8-дюймовая 200-мм 4H-N SiC пластина проводящий макет исследовательского класса
Благодаря своим уникальным физическим и электронным свойствам, 200-миллиметровый полупроводниковый материал SiC-пластины используется для создания высокопроизводительных, высокотемпературных, радиационно-стойких и высокочастотных электронных устройств. Цена 8-дюймовой подложки SiC постепенно снижается по мере того, как технология становится более продвинутой и спрос растет. Последние технологические разработки приводят к производству 200-миллиметровых пластин SiC в промышленных масштабах. Основные преимущества полупроводниковых материалов SiC-пластины по сравнению с пластинами Si и GaAs: Напряженность электрического поля 4H-SiC во время лавинного пробоя более чем на порядок выше соответствующих значений для Si и GaAs. Это приводит к значительному снижению удельного сопротивления в открытом состоянии Ron. Низкое удельное сопротивление в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и теплопроводностью позволяет использовать очень маленькие кристаллы для силовых устройств. Высокая теплопроводность SiC снижает тепловое сопротивление чипа. Электронные свойства приборов на основе пластин SiC очень стабильны во времени и стабильны от температуры, что обеспечивает высокую надежность изделий. Карбид кремния чрезвычайно устойчив к жесткому излучению, что не ухудшает электронные свойства чипа. Высокая предельная рабочая температура кристалла (более 6000С) позволяет создавать высоконадежные приборы для жестких условий эксплуатации и специальных применений. В настоящее время мы можем стабильно и непрерывно поставлять небольшие партии пластин SiC размером 200мм и иметь некоторый запас на складе.
Спецификация
| Число | Элемент | Единица | Производство | Исследовать | Дурачок |
| 1. Параметры | |||||
| 1.1 | политип | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | ориентация поверхности | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Электрические параметры | |||||
| 2.1 | легирующая примесь | -- | Азот n-типа | Азот n-типа | Азот n-типа |
| 2.2 | удельное сопротивление | ом ·см | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Механические параметры | |||||
| 3.1 | диаметр | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | толщина | мкм | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Ориентация выемки | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Глубина выемки | mm | 1~1,5 | 1~1,5 | 1~1,5 |
| 3.5 | ЛТВ | мкм | ≤5(10мм*10мм) | ≤5(10мм*10мм) | ≤10(10мм*10мм) |
| 3.6 | ТТВ | мкм | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Поклон | мкм | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Варп | мкм | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | АСМ | nm | Ра≤0,2 | Ра≤0,2 | Ра≤0,2 |
| 4. Структура | |||||
| 4.1 | плотность микротрубок | шт./см2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | содержание металла | атомов/см2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | ТСД | шт./см2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | БЛД | шт./см2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | ТЕД | шт./см2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Положительное качество | |||||
| 5.1 | передний | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | отделка поверхности | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | частица | шт./пластина | ≤100(размер≥0,3мкм) | NA | NA |
| 5.4 | царапать | шт./пластина | ≤5,общая длина≤200мм | NA | NA |
| 5.5 | Край сколы/вмятины/трещины/пятна/загрязнения | -- | Никто | Никто | NA |
| 5.6 | Политипные области | -- | Никто | Площадь ≤10% | Площадь ≤30% |
| 5.7 | передняя маркировка | -- | Никто | Никто | Никто |
| 6. Качество спины | |||||
| 6.1 | задняя отделка | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | царапать | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Дефекты заднего края сколы/вмятины | -- | Никто | Никто | NA |
| 6.4 | Шероховатость спины | nm | Ра≤5 | Ра≤5 | Ра≤5 |
| 6.5 | Задняя маркировка | -- | Выемка | Выемка | Выемка |
| 7. Край | |||||
| 7.1 | край | -- | Фаска | Фаска | Фаска |
| 8. Упаковка | |||||
| 8.1 | упаковка | -- | Готов к эпиляции с вакуумом упаковка | Готов к эпиляции с вакуумом упаковка | Готов к эпиляции с вакуумом упаковка |
| 8.2 | упаковка | -- | Многослойный упаковка кассет | Многослойный упаковка кассет | Многослойный упаковка кассет |
Подробная схема
