8-дюймовая 200-мм 4H-N SiC-пластина, проводящий макет исследовательского класса

8-дюймовая 200-мм пластина 4H-N SiC проводящий макет исследовательского класса. Изображение

Краткое описание:

По мере развития рынков транспорта, энергетики и промышленности спрос на надежную и высокопроизводительную силовую электронику продолжает расти. Чтобы удовлетворить потребность в улучшенных характеристиках полупроводников, производители устройств ищут широкозонные полупроводниковые материалы, такие как наша линейка пластин карбида кремния (SiC) 4H n-типа 4H SiC Prime Grade.

Написать нам письмо

Функции

Благодаря своим уникальным физическим и электронным свойствам, 200-миллиметровый полупроводниковый материал из пластины SiC используется для создания высокопроизводительных, высокотемпературных, радиационно-стойких и высокочастотных электронных устройств. Цена 8-дюймовой подложки SiC постепенно снижается по мере развития технологии и роста спроса. Недавние технологические разработки привели к производству 200-миллиметровых пластин SiC в промышленных масштабах. Основные преимущества полупроводниковых материалов из пластин SiC по сравнению с пластинами Si и GaAs: Напряженность электрического поля 4H-SiC во время лавинного пробоя более чем на порядок выше соответствующих значений для Si и GaAs. Это приводит к значительному снижению удельного сопротивления в открытом состоянии Ron. Низкое удельное сопротивление в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и теплопроводностью позволяет использовать очень маленькие кристаллы для силовых устройств. Высокая теплопроводность SiC снижает тепловое сопротивление чипа. Электронные свойства приборов на основе пластин SiC очень стабильны во времени и температурном режиме, что обеспечивает высокую надёжность изделий. Карбид кремния чрезвычайно устойчив к жёсткому излучению, не ухудшающему электронные свойства кристалла. Высокая предельная рабочая температура кристалла (более 6000°C) позволяет создавать высоконадёжные приборы для жёстких условий эксплуатации и специального применения. В настоящее время мы можем стабильно и непрерывно поставлять небольшие партии пластин SiC диаметром 200 мм и иметь небольшой запас на складе.

Спецификация

Число	Элемент	Единица	Производство	Исследовать	Дурачок
1. Параметры
1.1	политип	--	4H	4H	4H
1.2	ориентация поверхности	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Электрические параметры
2.1	легирующая примесь	--	азот n-типа	азот n-типа	азот n-типа
2.2	удельное сопротивление	Ом ·см	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Механические параметры
3.1	диаметр	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	толщина	мкм	500±25	500±25	500±25
3.3	Ориентация выемки	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Глубина выемки	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	ЛТВ	мкм	≤5(10мм*10мм)	≤5(10мм*10мм)	≤10(10мм*10мм)
3.6	ТТВ	мкм	≤10	≤10	≤15
3.7	Поклон	мкм	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Варп	мкм	≤30	≤50	≤70
3.9	АСМ	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Структура
4.1	плотность микротрубок	шт./см2	≤2	≤10	≤50
4.2	содержание металла	атомов/см2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	ТСД	шт./см2	≤500	≤1000	NA
4.4	пограничное расстройство личности	шт./см2	≤2000	≤5000	NA
4.5	ТЕД	шт./см2	≤7000	≤10000	NA
5. Положительное качество
5.1	передний	--	Si	Si	Si
5.2	отделка поверхности	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	частица	ea/вафля	≤100(размер ≥0,3 мкм)	NA	NA
5.4	царапать	ea/вафля	≤5,общая длина ≤200 мм	NA	NA
5.5	Край сколы/вмятины/трещины/пятна/загрязнения	--	Никто	Никто	NA
5.6	Политипные области	--	Никто	Площадь ≤10%	Площадь ≤30%
5.7	передняя маркировка	--	Никто	Никто	Никто
6. Качество спины
6.1	задняя отделка	--	C-face MP	C-face MP	C-face MP
6.2	царапать	mm	NA	NA	NA
6.3	Дефекты заднего края сколы/вмятины	--	Никто	Никто	NA
6.4	Шероховатость спины	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Задняя маркировка	--	Выемка	Выемка	Выемка
7. Край
7.1	край	--	Фаска	Фаска	Фаска
8. Упаковка
8.1	упаковка	--	Готов к эпиляции с вакуумом упаковка	Готов к эпиляции с вакуумом упаковка	Готов к эпиляции с вакуумом упаковка
8.2	упаковка	--	Многопластинчатый кассетная упаковка	Многопластинчатый кассетная упаковка	Многопластинчатый кассетная упаковка