8-дюймовая 200-мм пластина 4H-N SiC, проводящая манекен, исследовательский класс

8-дюймовая 200-мм пластина 4H-N SiC, проводящая манекен исследовательского класса

Краткое описание:

По мере развития рынков транспорта, энергетики и промышленности спрос на надежную и высокопроизводительную силовую электронику продолжает расти. Чтобы удовлетворить потребности в улучшенных характеристиках полупроводников, производители устройств обращают внимание на полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, такие как наша линейка 4H SiC Prime Grade, состоящая из пластин карбида кремния (SiC) 4H n-типа.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Благодаря своим уникальным физическим и электронным свойствам полупроводниковый материал SiC толщиной 200 мм используется для создания высокопроизводительных, высокотемпературных, радиационно-стойких и высокочастотных электронных устройств. Цена на 8-дюймовую подложку SiC постепенно снижается по мере того, как технология становится более совершенной и спрос растет. Последние технологические разработки привели к промышленному производству пластин SiC диаметром 200 мм. Основные преимущества пластинчатых полупроводниковых материалов SiC по сравнению с пластинами Si и GaAs: Напряженность электрического поля 4H-SiC при лавинном пробое более чем на порядок превышает соответствующие значения для Si и GaAs. Это приводит к значительному уменьшению удельного сопротивления Ron во включенном состоянии. Низкое удельное сопротивление в открытом состоянии в сочетании с высокой плотностью тока и теплопроводностью позволяет использовать очень маленькие кристаллы для силовых устройств. Высокая теплопроводность SiC снижает термическое сопротивление чипа. Электронные свойства устройств на основе пластин SiC очень стабильны во времени и температуре, что обеспечивает высокую надежность изделий. Карбид кремния чрезвычайно устойчив к жесткому излучению, что не ухудшает электронные свойства чипа. Высокая предельная рабочая температура кристалла (более 6000С) позволяет создавать высоконадежные устройства для тяжелых условий эксплуатации и специального применения. В настоящее время мы можем стабильно и непрерывно поставлять небольшие партии пластин SiC толщиной 200 мм и иметь некоторый запас на складе.

Спецификация

Число	Элемент	Единица	Производство	Исследовать	Дурачок
1. Параметры
1.1	политип	--	4H	4H	4H
1.2	ориентация поверхности	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Электрический параметр
2.1	присадка	--	Азот n-типа	Азот n-типа	Азот n-типа
2.2	удельное сопротивление	ом·см	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Механический параметр
3.1	диаметр	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	толщина	мкм	500±25	500±25	500±25
3.3	Ориентация выреза	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Глубина выреза	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3,5	Общая ценность	мкм	≤5(10мм*10мм)	≤5(10мм*10мм)	≤10(10мм*10мм)
3.6	ТТВ	мкм	≤10	≤10	≤15
3.7	Поклон	мкм	-25~25	-45~45	-65~65
3,8	Деформация	мкм	≤30	≤50	≤70
3,9	АСМ	nm	Ра≤0,2	Ра≤0,2	Ра≤0,2
4. Структура
4.1	плотность микротрубок	шт/см2	≤2	≤10	≤50
4.2	содержание металла	атомов/см2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	ТСД	шт/см2	≤500	≤1000	NA
4.4	БЛД	шт/см2	≤2000	≤5000	NA
4,5	ТЕД	шт/см2	≤7000	≤10000	NA
5. Положительное качество
5.1	передний	--	Si	Si	Si
5.2	обработка поверхности	--	Si-лицо CMP	Si-лицо CMP	Si-лицо CMP
5.3	частица	шт/вафля	≤100 (размер≥0,3 мкм)	NA	NA
5.4	царапать	шт/вафля	≤5, общая длина≤200 мм	NA	NA
5,5	Край сколы/вмятины/трещины/пятна/загрязнения	--	Никто	Никто	NA
5,6	Политипные области	--	Никто	Площадь ≤10%	Площадь ≤30%
5,7	передняя маркировка	--	Никто	Никто	Никто
6. Качество спинки
6.1	задняя отделка	--	C-face MP	C-face MP	C-face MP
6.2	царапать	mm	NA	NA	NA
6.3	Край задних дефектов сколы/вмятины	--	Никто	Никто	NA
6.4	Задняя шероховатость	nm	Ра≤5	Ра≤5	Ра≤5
6,5	Задняя маркировка	--	Нотч	Нотч	Нотч
7. Край
7.1	край	--	Фаска	Фаска	Фаска
8. Пакет
8.1	упаковка	--	Эпи-готовность с вакуумом упаковка	Эпи-готовность с вакуумом упаковка	Эпи-готовность с вакуумом упаковка
8.2	упаковка	--	Мультивафельный кассетная упаковка	Мультивафельный кассетная упаковка	Мультивафельный кассетная упаковка