6-дюймовый GaN-на-сапфире
150-мм 6-дюймовая пластина с эпитаксиальным слоем GaN на подложке из кремния/сапфира/SiC. Эпитаксиальная пластина из нитрида галлия.
6-дюймовая сапфировая подложка представляет собой высококачественный полупроводниковый материал, состоящий из слоев нитрида галлия (GaN), выращенных на сапфировой подложке. Этот материал обладает превосходными свойствами электронного транспорта и идеально подходит для производства мощных и высокочастотных полупроводниковых устройств.
Метод изготовления: Процесс изготовления включает выращивание слоев GaN на сапфировой подложке с использованием передовых технологий, таких как металлоорганическое химическое осаждение из газовой фазы (MOCVD) или молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE). Процесс осаждения проводится в контролируемых условиях для обеспечения высокого качества кристалла и однородности пленки.
Области применения 6-дюймовых GaN-на-сапфировой подложке: 6-дюймовые чипы на сапфировой подложке широко используются в микроволновой связи, радиолокационных системах, беспроводных технологиях и оптоэлектронике.
К числу распространенных применений относятся:
1. ВЧ усилитель мощности
2. Индустрия светодиодного освещения
3. Оборудование для беспроводной связи
4. Электронные устройства в условиях высоких температур
5. Оптоэлектронные устройства
Технические характеристики изделия
- Размер: Диаметр подложки составляет 6 дюймов (около 150 мм).
- Качество поверхности: Поверхность тщательно отполирована для достижения превосходного зеркального блеска.
- Толщина: Толщина слоя GaN может быть настроена в соответствии с конкретными требованиями.
- Упаковка: Подложка тщательно упаковывается с использованием антистатических материалов для предотвращения повреждений во время транспортировки.
- Рельефные кромки: Подложка имеет специальные позиционирующие кромки, которые облегчают выравнивание и работу во время подготовки устройства.
- Другие параметры: Конкретные параметры, такие как толщина, удельное сопротивление и концентрация легирующих примесей, могут быть скорректированы в соответствии с требованиями заказчика.
Благодаря превосходным материальным свойствам и разнообразным областям применения, 6-дюймовые сапфировые подложки являются надежным выбором для разработки высокопроизводительных полупроводниковых устройств в различных отраслях промышленности.
| Субстрат | 6” 1 мм <111> p-тип Si | 6” 1 мм <111> p-тип Si |
| Epi ThickAvg | ~5 мкм | ~7 мкм |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Поклон | +/-45 мкм | +/-45 мкм |
| Взлом | <5 мм | <5 мм |
| Вертикальный BV | >1000В | >1400В |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30 нм | 20-30 нм |
| Крышка из SiN, установленная на месте | 5-60 нм | 5-60 нм |
| 2DEG концентрация. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Мобильность | ~2000 см2/Vs (<2%) | ~2000 см2/Vs (<2%) |
| Рш | <330 Ом/кв (<2%) | <330 Ом/кв (<2%) |
Подробная схема
