6-дюймовый GaN-на-сапфире
150 мм 6-дюймовая пластина GaN на кремниево-сапфирово-карбидной эпитаксиальной пластине из нитрида галлия
6-дюймовая сапфировая пластина-подложка представляет собой высококачественный полупроводниковый материал, состоящий из слоёв нитрида галлия (GaN), выращенных на сапфировой подложке. Материал обладает превосходными свойствами электронного транспорта и идеально подходит для производства мощных и высокочастотных полупроводниковых приборов.
Метод производства: Процесс производства включает выращивание слоёв GaN на сапфировой подложке с использованием передовых технологий, таких как химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) или молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE). Процесс осаждения осуществляется в контролируемых условиях, что обеспечивает высокое качество кристаллов и однородность плёнки.
6-дюймовые кристаллы GaN-на-сапфире: 6-дюймовые кристаллы на сапфировой подложке широко используются в микроволновой связи, радиолокационных системах, беспроводных технологиях и оптоэлектронике.
Некоторые распространенные применения включают в себя:
1. Усилитель мощности ВЧ
2. Индустрия светодиодного освещения
3. Оборудование беспроводной сетевой связи
4. Электронные устройства в условиях высоких температур
5. Оптоэлектронные приборы
Технические характеристики продукта
- Размер: Диаметр подложки составляет 6 дюймов (около 150 мм).
- Качество поверхности: Поверхность тщательно отполирована для обеспечения превосходного зеркального качества.
- Толщина: Толщина слоя GaN может быть изменена в соответствии с конкретными требованиями.
- Упаковка: Субстрат тщательно упаковывается антистатическими материалами, чтобы исключить повреждения при транспортировке.
- Позиционирующие края: подложка имеет специальные позиционирующие края, которые облегчают выравнивание и эксплуатацию во время подготовки устройства.
- Другие параметры: Конкретные параметры, такие как толщина, удельное сопротивление и концентрация легирования, могут быть скорректированы в соответствии с требованиями заказчика.
Благодаря превосходным свойствам материала и разнообразным сферам применения 6-дюймовые сапфировые пластины-подложки являются надежным выбором для разработки высокопроизводительных полупроводниковых приборов в различных отраслях промышленности.
| Субстрат | 6" 1 мм <111> p-типа Si | 6" 1 мм <111> p-типа Si |
| Epi ThickAvg | ~5 мкм | ~7 мкм |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Поклон | +/-45 мкм | +/-45 мкм |
| Трещины | <5 мм | <5 мм |
| Вертикальный BV | >1000 В | >1400В |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30 нм | 20-30 нм |
| Крышка Insitu SiN | 5-60 нм | 5-60 нм |
| 2DEG конц. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Мобильность | ~2000см2/Вс (<2%) | ~2000см2/Вс (<2%) |
| Рш | <330 Ом/кв. (<2%) | <330 Ом/кв. (<2%) |
Подробная схема
