6-дюймовый GaN-на-сапфире

Краткое описание:

150 мм 6-дюймовый GaN на кремниевой/сапфировой/SiC эпитаксиальной пластине с эпитаксиальным слоем нитрида галлия

6-дюймовая пластина с сапфировой подложкой представляет собой высококачественный полупроводниковый материал, состоящий из слоев нитрида галлия (GaN), выращенных на сапфировой подложке. Материал обладает отличными свойствами электронного транспорта и идеально подходит для производства мощных и высокочастотных полупроводниковых приборов.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

150 мм 6-дюймовый GaN на кремниевой/сапфировой/SiC эпитаксиальной пластине с эпитаксиальным слоем нитрида галлия

Метод производства: Производственный процесс включает выращивание слоев GaN на сапфировой подложке с использованием передовых технологий, таких как химическое осаждение из паровой фазы металлорганических соединений (MOCVD) или молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE). Процесс осаждения проводится в контролируемых условиях, чтобы обеспечить высокое качество кристаллов и однородную пленку.

Применение 6-дюймового GaN-On-Sapphire: 6-дюймовые чипы с сапфировой подложкой широко используются в микроволновой связи, радиолокационных системах, беспроводных технологиях и оптоэлектронике.

Некоторые распространенные приложения включают в себя

1. ВЧ усилитель мощности

2. Индустрия светодиодного освещения

3. Оборудование беспроводной сети связи.

4. Электронные устройства в условиях высокой температуры.

5. Оптоэлектронные устройства.

Характеристики продукта

- Размер: Диаметр подложки составляет 6 дюймов (около 150 мм).

- Качество поверхности: поверхность тщательно отполирована для обеспечения превосходного зеркального качества.

- Толщина: Толщина слоя GaN может быть настроена в соответствии с конкретными требованиями.

- Упаковка: Подложка тщательно упакована антистатическими материалами для предотвращения повреждений при транспортировке.

- Края позиционирования: подложка имеет специальные позиционирующие края, которые облегчают выравнивание и работу во время подготовки устройства.

- Другие параметры: конкретные параметры, такие как толщина, удельное сопротивление и концентрация легирующих примесей, могут быть скорректированы в соответствии с требованиями заказчика.

Благодаря превосходным свойствам материала и широкому спектру применения 6-дюймовые пластины с сапфировой подложкой являются надежным выбором для разработки высокопроизводительных полупроводниковых приборов в различных отраслях промышленности.

Субстрат	6” 1 мм <111> p-тип Si	6” 1 мм <111> p-тип Si
Эпи толщиной среднего	~5ум	~7ум
Эпи ТолстыйУниф	<2%	<2%
Поклон	+/-45ум	+/-45ум
Крекинг	<5 мм	<5 мм
Вертикальный БВ	>1000 В	>1400 В
НЕМТ Ал%	25-35%	25-35%
HEMT толщинойAvg	20-30 нм	20-30 нм
Insitu SiN Кепка	5-60 нм	5-60 нм
2DEG конц.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Мобильность	~2000см²/Вс (<2%)	~2000см²/Вс (<2%)
Рш	<330 Ом/кв.м (<2%)	<330 Ом/кв.м (<2%)