6-дюймовые 150-миллиметровые пластины из карбида кремния SiC типа 4H-N для исследований и испытаний на производстве МОП-транзисторов или SBD-транзисторов.

6-дюймовые 150-миллиметровые пластины SiC карбида кремния типа 4H-N для исследований и производства МОП-транзисторов и SBD-транзисторов. Изображение

Краткое описание:

6-дюймовая монокристаллическая подложка из карбида кремния – это высокопроизводительный материал с превосходными физико-химическими свойствами. Изготовленная из высокочистого монокристаллического карбида кремния, она обладает превосходной теплопроводностью, механической стабильностью и устойчивостью к высоким температурам. Эта подложка, изготовленная с применением прецизионных технологий и из высококачественных материалов, стала предпочтительным материалом для изготовления высокоэффективных электронных устройств в различных областях.

Написать нам письмо

Функции

Области применения

6-дюймовая монокристаллическая подложка из карбида кремния играет ключевую роль во многих отраслях промышленности. Во-первых, она широко используется в полупроводниковой промышленности для изготовления мощных электронных устройств, таких как силовые транзисторы, интегральные схемы и силовые модули. Высокая теплопроводность и термостойкость обеспечивают более эффективное рассеивание тепла, что повышает эффективность и надежность. Во-вторых, пластины из карбида кремния играют важнейшую роль в исследованиях, направленных на разработку новых материалов и устройств. Кроме того, пластины из карбида кремния находят широкое применение в оптоэлектронике, включая производство светодиодов и лазерных диодов.

Технические характеристики продукта

Подложка из монокристалла карбида кремния диаметром 6 дюймов (приблизительно 152,4 мм) имеет шероховатость поверхности Ra < 0,5 нм и толщину 600 ± 25 мкм. По желанию заказчика подложка может быть изготовлена с проводимостью N- или P-типа. Кроме того, она обладает исключительной механической стабильностью, выдерживая давление и вибрацию.

Диаметр		150±2,0 мм (6 дюймов)
Толщина		350 мкм±25 мкм
Ориентация		По оси: <0001>±0,5°		Вне оси: 4,0° в направлении 1120±0,5°
Политип		4H
Удельное сопротивление (Ом·см)	4H-N	0,015~0,028 Ом·см/0,015~0,025 Ом·см
	4/6H-SI	>1E5
Первичная плоская ориентация		{10-10}±5,0°
Длина первичной плоскости (мм)		47,5 мм±2,5 мм
Край		Фаска
TTV/Bow/Warp (гм)		≤15 /≤40 /≤60
Фронт АСМ (Si-face)		Полировка Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,5 нм
ЛТВ		≤3мкм(10мм*10мм)	≤5мкм(10мм*10мм)		≤10мкм(10мм*10мм)
ТТВ		≤5мкм	≤10 мкм		≤15мкм
Апельсиновая корка/ямки/трещины/загрязнения/пятна/борозды		Никто	Никто		Никто
отступы		Никто	Никто		Никто

6-дюймовая монокристаллическая подложка из карбида кремния — это высокопроизводительный материал, широко используемый в полупроводниковой, исследовательской и оптоэлектронной промышленности. Он обладает превосходной теплопроводностью, механической стабильностью и стойкостью к высоким температурам, что делает его подходящим для производства мощных электронных устройств и исследований новых материалов. Мы предлагаем различные спецификации и варианты индивидуальной настройки для удовлетворения разнообразных требований клиентов.Свяжитесь с нами для получения более подробной информации о пластинах из карбида кремния!