6-дюймовые (150 мм) кремниево-карбидные пластины (SiC) типа 4H-N для производства MOS- или SBD-транзисторов, исследовательских и опытно-конструкторских образцов.

Краткое описание:

6-дюймовая подложка из монокристаллического карбида кремния — это высокоэффективный материал с превосходными физическими и химическими свойствами. Изготовленная из высокочистого монокристаллического карбида кремния, она обладает высокой теплопроводностью, механической стабильностью и термостойкостью. Эта подложка, созданная с использованием высокоточных производственных процессов и высококачественных материалов, стала предпочтительным материалом для изготовления высокоэффективных электронных устройств в различных областях.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Области применения

6-дюймовая монокристаллическая подложка из карбида кремния играет решающую роль во многих отраслях промышленности. Во-первых, она широко используется в полупроводниковой промышленности для изготовления мощных электронных устройств, таких как силовые транзисторы, интегральные схемы и силовые модули. Ее высокая теплопроводность и термостойкость обеспечивают лучшее рассеивание тепла, что приводит к повышению эффективности и надежности. Во-вторых, кремниевые пластины необходимы в исследовательских областях для разработки новых материалов и устройств. Кроме того, кремниевые пластины находят широкое применение в области оптоэлектроники, включая производство светодиодов и лазерных диодов.

Технические характеристики изделия

Подложка из монокристаллического карбида кремния диаметром 6 дюймов (приблизительно 152,4 мм) имеет шероховатость поверхности Ra < 0,5 нм, а толщина составляет 600 ± 25 мкм. В зависимости от требований заказчика, подложка может быть изготовлена с проводимостью N-типа или P-типа. Кроме того, она обладает исключительной механической стабильностью, способна выдерживать давление и вибрацию.

Диаметр		150±2,0 мм (6 дюймов)
Толщина		350 мкм ± 25 мкм
Ориентация		По оси: <0001>±0,5°		Отклонение от оси: 4,0° в сторону 1120±0,5°
Политип		4H
Удельное сопротивление (Ом·см)	4H-N	0,015~0,028 Ом·см/0,015–0,025 Ом·см
	4/6H-SI	>1E5
Основная ориентация квартиры		{10-10}±5.0°
Длина первичной плоскости (мм)		47,5 мм ± 2,5 мм
Край		Фаска
TTV/Bow/Warp (ум)		≤15 /≤40 /≤60
Передняя панель АСМ (Si-face)		Польское Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,5 нм
ЛТВ		≤3 мкм (10 мм * 10 мм)	≤5 мкм (10 мм * 10 мм)		≤10 мкм (10 мм * 10 мм)
ТТВ		≤5 мкм	≤10 мкм		≤15 мкм
Апельсиновая корка/косточки/трещины/загрязнения/пятна/бороздки		Никто	Никто		Никто
отступы		Никто	Никто		Никто

6-дюймовая подложка из монокристаллического карбида кремния — это высокоэффективный материал, широко используемый в полупроводниковой, научно-исследовательской и оптоэлектронной промышленности. Он обладает превосходной теплопроводностью, механической стабильностью и термостойкостью, что делает его пригодным для изготовления мощных электронных устройств и исследований новых материалов. Мы предлагаем различные спецификации и варианты индивидуальной настройки для удовлетворения разнообразных потребностей клиентов.Свяжитесь с нами для получения более подробной информации о кремниевых карбидных пластинах!