6-дюймовые 150-миллиметровые пластины SiC карбида кремния типа 4H-N для исследований и производства МОП-транзисторов или SBD-транзисторов

6-дюймовые 150-миллиметровые пластины SiC карбида кремния типа 4H-N для исследований и производства МОП-транзисторов и образцовых схем Главное изображение

Краткое описание:

6-дюймовая подложка из монокристалла карбида кремния — это высокопроизводительный материал с превосходными физическими и химическими свойствами. Изготовленная из высокочистого монокристалла карбида кремния, она демонстрирует превосходную теплопроводность, механическую стабильность и устойчивость к высоким температурам. Эта подложка, изготовленная с использованием прецизионных производственных процессов и высококачественных материалов, стала предпочтительным материалом для изготовления высокоэффективных электронных устройств в различных областях.

Напишите нам письмо

Функции

Области применения

6-дюймовая монокристаллическая подложка из карбида кремния играет важную роль во многих отраслях промышленности. Во-первых, она широко используется в полупроводниковой промышленности для изготовления мощных электронных устройств, таких как силовые транзисторы, интегральные схемы и силовые модули. Ее высокая теплопроводность и устойчивость к высоким температурам обеспечивают лучшее рассеивание тепла, что приводит к повышению эффективности и надежности. Во-вторых, пластины из карбида кремния необходимы в исследовательских областях для разработки новых материалов и устройств. Кроме того, пластины из карбида кремния находят широкое применение в области оптоэлектроники, включая производство светодиодов и лазерных диодов.

Технические характеристики продукта

6-дюймовая подложка из монокристалла карбида кремния имеет диаметр 6 дюймов (приблизительно 152,4 мм). Шероховатость поверхности составляет Ra < 0,5 нм, а толщина составляет 600 ± 25 мкм. Подложка может быть изготовлена по индивидуальному заказу с проводимостью N-типа или P-типа в зависимости от требований заказчика. Кроме того, она демонстрирует исключительную механическую стабильность, выдерживая давление и вибрацию.

Диаметр		150±2,0 мм (6 дюймов)
Толщина		350 мкм±25 мкм
Ориентация		По оси ： <0001>±0,5°		Вне оси: 4,0° по направлению к 1120±0,5°
Политип		4H
Удельное сопротивление (Ом·см)	4H-N	0,015~0,028 Ом·см/0,015–0,025 Ом·см
	4/6H-SI	>1E5
Первичная плоская ориентация		{10-10}±5,0°
Длина первичной плоскости (мм)		47,5 мм±2,5 мм
Край		Фаска
TTV/Бук/Варп (гм)		≤15 /≤40 /≤60
Фронтальная часть AFM (Si-face)		Полировка Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,5 нм
ЛТВ		≤3мкм(10мм*10мм)	≤5мкм(10мм*10мм)		≤10мкм(10мм*10мм)
ТТВ		≤5мкм	≤10мкм		≤15мкм
Апельсиновая корка/ямки/трещины/загрязнения/пятна/полосы		Никто	Никто		Никто
отступы		Никто	Никто		Никто

6-дюймовая подложка из монокристалла карбида кремния — это высокопроизводительный материал, широко используемый в полупроводниковой, исследовательской и оптоэлектронной промышленности. Он обеспечивает превосходную теплопроводность, механическую стабильность и устойчивость к высоким температурам, что делает его пригодным для изготовления мощных электронных устройств и новых исследований материалов. Мы предоставляем различные спецификации и возможности настройки для удовлетворения разнообразных потребностей клиентов.Свяжитесь с нами для получения более подробной информации о пластинах из карбида кремния!