6-дюймовые 150-миллиметровые вафли SiC из карбида кремния типа 4H-N для производственных исследований MOS или SBD и фиктивного класса

6-дюймовые 150-миллиметровые пластины карбида кремния SiC типа 4H-N для производственных исследований MOS или SBD и макетов Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

6-дюймовая монокристаллическая подложка из карбида кремния представляет собой высокопроизводительный материал с превосходными физическими и химическими свойствами. Изготовленный из монокристаллического материала карбида кремния высокой чистоты, он обладает превосходной теплопроводностью, механической стабильностью и устойчивостью к высоким температурам. Эта подложка, изготовленная с использованием точных производственных процессов и высококачественных материалов, стала предпочтительным материалом для изготовления высокоэффективных электронных устройств в различных областях.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Области применения

6-дюймовая монокристаллическая подложка из карбида кремния играет решающую роль во многих отраслях промышленности. Во-первых, он широко используется в полупроводниковой промышленности для изготовления мощных электронных устройств, таких как силовые транзисторы, интегральные схемы и силовые модули. Его высокая теплопроводность и устойчивость к высоким температурам обеспечивают лучшее рассеивание тепла, что приводит к повышению эффективности и надежности. Во-вторых, пластины карбида кремния необходимы в исследовательских областях для разработки новых материалов и устройств. Кроме того, пластина карбида кремния находит широкое применение в области оптоэлектроники, включая производство светодиодов и лазерных диодов.

Технические характеристики продукта

6-дюймовая монокристаллическая подложка из карбида кремния имеет диаметр 6 дюймов (приблизительно 152,4 мм). Шероховатость поверхности Ra < 0,5 нм, толщина 600 ± 25 мкм. Подложку можно настроить с проводимостью N- или P-типа в зависимости от требований заказчика. Кроме того, он демонстрирует исключительную механическую стабильность, способен выдерживать давление и вибрацию.

Диаметр		150±2,0 мм (6 дюймов)
Толщина		350 мкм±25 мкм
Ориентация		По оси: <0001>±0,5°		Вне оси: от 4,0° до 1120±0,5°
Политип		4H
Удельное сопротивление (Ом·см)	4Ч-Н	0,015~0,028 Ом·см/0,015–0,025 Ом·см
	4/6H-SI	>1E5
Первичная плоская ориентация		{10-10}±5,0°
Длина первичной плоскости (мм)		47,5 мм±2,5 мм
Край		Фаска
TTV/Лук/Деформация (гм)		≤15/≤40/≤60
Передняя часть AFM (Si-face)		Польский Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,5 нм
Общая ценность		≤3 мкм (10 мм*10 мм)	≤5 мкм (10 мм*10 мм)		≤10 мкм (10 мм*10 мм)
ТТВ		≤5 мкм	≤10 мкм		≤15 мкм
Апельсиновая корка/ямочки/трещины/загрязнения/пятна/бороздки		Никто	Никто		Никто
отступы		Никто	Никто		Никто

6-дюймовая монокристаллическая подложка из карбида кремния представляет собой высокопроизводительный материал, широко используемый в полупроводниковой, исследовательской и оптоэлектронной промышленности. Он обладает превосходной теплопроводностью, механической стабильностью и устойчивостью к высоким температурам, что делает его пригодным для изготовления мощных электронных устройств и исследования новых материалов. Мы предоставляем различные спецификации и варианты настройки для удовлетворения разнообразных требований клиентов.Свяжитесь с нами для получения более подробной информации о пластинах карбида кремния!