4H-N 4-дюймовая подложка SiC, манекен для производства карбида кремния, исследовательский класс
Приложения
4-дюймовые монокристаллические подложки из карбида кремния играют важную роль во многих областях. Во-первых, он широко используется в полупроводниковой промышленности при изготовлении мощных электронных устройств, таких как силовые транзисторы, интегральные схемы и силовые модули. Его высокая теплопроводность и высокая термостойкость позволяют ему лучше рассеивать тепло и обеспечивать большую эффективность и надежность работы. Во-вторых, пластины карбида кремния также используются в исследовательской сфере для проведения исследований новых материалов и устройств. Кроме того, пластины карбида кремния также широко используются в оптоэлектронике, например, при производстве светодиодов и лазерных диодов.
Характеристики 4-дюймовой пластины SiC
4-дюймовая пластина монокристаллической подложки из карбида кремния диаметром 4 дюйма (около 101,6 мм), чистота поверхности до Ra <0,5 нм, толщина 600 ± 25 мкм. Проводимость пластины бывает типа N или P и может быть настроена в соответствии с потребностями клиента. Кроме того, чип также обладает превосходной механической стабильностью, выдерживает определенное давление и вибрацию.
Дюймовая пластина монокристаллической подложки из карбида кремния представляет собой высокопроизводительный материал, широко используемый в полупроводниковой, исследовательской и оптоэлектронной областях. Он обладает превосходной теплопроводностью, механической стабильностью и устойчивостью к высоким температурам, что подходит для изготовления мощных электронных устройств и исследования новых материалов. Мы предлагаем различные спецификации и варианты настройки для удовлетворения различных потребностей клиентов. Пожалуйста, обратите внимание на наш независимый сайт, чтобы узнать больше об информации о пластинах карбида кремния.
Ключевые работы: пластины карбида кремния, пластины монокристаллической подложки карбида кремния, 4 дюйма, теплопроводность, механическая стабильность, устойчивость к высоким температурам, силовые транзисторы, интегральные схемы, силовые модули, светодиоды, лазерные диоды, обработка поверхности, проводимость, индивидуальные опции.