3-дюймовая 76,2-мм 4H-полупроводниковая пластина-подложка из карбида кремния с полуизоляционными пластинами из карбида кремния
Спецификация продукта
3-дюймовые полуизолированные пластины 4H из карбида кремния (SiC) — широко используемый полупроводниковый материал. 4H обозначает тетрагексаэдрическую кристаллическую структуру. Полуизоляция означает, что подложка обладает высоким сопротивлением и может быть в некоторой степени изолирована от протекающего тока.
Такие подложки обладают следующими характеристиками: высокой теплопроводностью, низкими потерями проводимости, превосходной термостойкостью, а также превосходной механической и химической стабильностью. Поскольку карбид кремния имеет широкую запрещенную зону и способен выдерживать высокие температуры и сильные электрические поля, полуизолированные пластины 4H-SiC широко используются в силовой электронике и радиочастотных (РЧ) устройствах.
Основные области применения полуизолированных пластин 4H-SiC:
1. Силовая электроника: пластины 4H-SiC могут использоваться для производства силовых коммутационных устройств, таких как МОП-транзисторы (полевые транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник), БТИЗ (биполярные транзисторы с изолированным затвором) и диоды Шоттки. Эти устройства обладают меньшими потерями проводимости и коммутации в условиях высокого напряжения и высоких температур, а также обеспечивают более высокую эффективность и надежность.
2. Радиочастотные (РЧ) устройства: полуизолированные пластины 4H-SiC могут использоваться для изготовления мощных высокочастотных усилителей мощности, чип-резисторов, фильтров и других устройств. Карбид кремния обладает лучшими высокочастотными характеристиками и термостабильностью благодаря большей скорости электронного дрейфа насыщения и более высокой теплопроводности.
3--Оптоэлектронные приборы: полуизолированные пластины 4H-SiC могут использоваться для изготовления мощных лазерных диодов, детекторов УФ-излучения и оптоэлектронных интегральных схем.
Что касается рыночной конъюнктуры, спрос на полуизолированные пластины 4H-SiC растёт в связи с развитием силовой электроники, СВЧ- и оптоэлектроники. Это обусловлено широким спектром применения карбида кремния, включая энергоэффективность, электромобили, возобновляемые источники энергии и связь. В будущем рынок полуизолированных пластин 4H-SiC остаётся весьма перспективным и, как ожидается, заменит традиционные кремниевые материалы в различных областях применения.
Подробная схема
