3-дюймовая (76,2 мм) полупроводниковая кремниевая подложка 4H-Semi SiC. Полупроводниковые кремниевые пластины из карбида кремния.

3-дюймовые полуизолированные подложки из карбида кремния (SiC) с маркировкой 4H являются широко используемым полупроводниковым материалом. 4H обозначает тетрагексаэдрическую кристаллическую структуру. Полуизоляция означает, что подложка обладает высокими резистивными характеристиками и может быть частично изолирована от протекания тока.

Такие подложки обладают следующими характеристиками: высокой теплопроводностью, низкими потерями на проводимость, превосходной термостойкостью, а также отличной механической и химической стабильностью. Благодаря широкой энергетической щели карбида кремния и способности выдерживать высокие температуры и условия сильного электрического поля, полуизолированные пластины 4H-SiC широко используются в силовой электронике и радиочастотных (РЧ) устройствах.

Основные области применения полуизолированных пластин 4H-SiC включают:

1. Силовая электроника: пластины 4H-SiC могут использоваться для производства силовых коммутирующих устройств, таких как MOSFET (полевые транзисторы на основе оксидов металлов), IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) и диоды Шоттки. Эти устройства обладают меньшими потерями проводимости и переключения в условиях высокого напряжения и высоких температур, а также обеспечивают более высокую эффективность и надежность.

2. Радиочастотные (РЧ) устройства: Полуизолированные пластины из 4H-SiC могут использоваться для изготовления мощных высокочастотных РЧ усилителей мощности, чип-резисторов, фильтров и других устройств. Карбид кремния обладает лучшими высокочастотными характеристиками и термической стабильностью благодаря большей скорости дрейфа насыщения электронов и более высокой теплопроводности.

3. Оптоэлектронные устройства: полуизолированные пластины из 4H-SiC могут использоваться для производства мощных лазерных диодов, детекторов УФ-излучения и оптоэлектронных интегральных схем.

С точки зрения рыночных тенденций, спрос на полуизолированные пластины 4H-SiC растет в связи с развитием таких областей, как силовая электроника, радиочастотная техника и оптоэлектроника. Это обусловлено широким спектром применения карбида кремния, включая энергоэффективность, электромобили, возобновляемую энергетику и связь. В будущем рынок полуизолированных пластин 4H-SiC остается очень перспективным и, как ожидается, заменит традиционные кремниевые материалы в различных областях применения.