3-дюймовая 76,2 мм пластина с подложкой 4H-Semi SiC из карбида кремния, полуоскорбительные пластины SiC

3-дюймовые полуизолированные подложки SiC (карбида кремния) 4H представляют собой широко используемый полупроводниковый материал. 4H указывает на тетрагексаэдрическую кристаллическую структуру. Полуизоляция означает, что подложка имеет высокие характеристики сопротивления и может быть в некоторой степени изолирована от тока.

Такие пластины-подложки обладают следующими характеристиками: высокая теплопроводность, низкие потери проводимости, отличная устойчивость к высоким температурам и отличная механическая и химическая стабильность. Поскольку карбид кремния имеет широкую энергетическую щель и может выдерживать высокие температуры и условия сильного электрического поля, полуизолированные пластины 4H-SiC широко используются в силовой электронике и радиочастотных (РЧ) устройствах.

Основные области применения полуизолированных пластин 4H-SiC включают:

1 - Силовая электроника: пластины 4H-SiC могут использоваться для производства устройств переключения мощности, таких как MOSFET (металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы), IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) и диоды Шоттки. Эти устройства имеют меньшие потери на проводимость и переключение в условиях высокого напряжения и высоких температур, а также обеспечивают более высокую эффективность и надежность.

2. Радиочастотные (РЧ) устройства. Полуизолированные пластины 4H-SiC можно использовать для изготовления высокочастотных усилителей мощности высокой мощности, микросхемных резисторов, фильтров и других устройств. Карбид кремния обладает лучшими высокочастотными характеристиками и термической стабильностью благодаря большей скорости дрейфа электронов и более высокой теплопроводности.

3. Оптоэлектронные устройства: полуизолированные пластины 4H-SiC могут использоваться для производства мощных лазерных диодов, детекторов ультрафиолетового излучения и оптоэлектронных интегральных схем.

С точки зрения направления рынка, спрос на полуизолированные пластины 4H-SiC растет вместе с развитием областей силовой, радиочастотной и оптоэлектроники. Это связано с тем, что карбид кремния имеет широкий спектр применения, включая энергоэффективность, электромобили, возобновляемые источники энергии и связь. В будущем рынок полуизолированных пластин 4H-SiC останется очень перспективным и, как ожидается, заменит традиционные кремниевые материалы в различных приложениях.