2-дюймовый слиток SiC диаметром 50,8 мм x 10 мм, монокристалл 4H-N
Технология выращивания кристаллов SiC
Характеристики SiC затрудняют выращивание монокристаллов.В основном это связано с тем, что при атмосферном давлении нет жидкой фазы со стехиометрическим соотношением Si:C = 1:1, а также невозможно вырастить SiC более совершенными методами выращивания, такими как метод прямого вытягивания и метод падающего тигля, который является основой полупроводниковой промышленности.Теоретически раствор со стехиометрическим соотношением Si:C = 1:1 можно получить только при давлении выше 10E5атм и температуре выше 3200℃.В настоящее время к основным методам относятся метод PVT, метод жидкой фазы и метод высокотемпературного химического осаждения из паровой фазы.
Пластины и кристаллы SiC, которые мы поставляем, в основном выращиваются методом физического переноса паров (PVT), и ниже приводится краткое введение в PVT:
Метод физического переноса пара (PVT) возник из метода газофазной сублимации, изобретенного Лели в 1955 году, при котором порошок SiC помещается в графитовую трубку и нагревается до высокой температуры, чтобы заставить порошок SiC разлагаться и сублимироваться, а затем графит трубка охлаждается, а разложившиеся газофазные компоненты порошка SiC осаждаются и кристаллизуются в виде кристаллов SiC в окружающей зоне графитовой трубки.Хотя этим методом сложно получить монокристаллы SiC большого размера и трудно контролировать процесс осаждения внутри графитовой трубки, он дает идеи для последующих исследователей.
Ю.М. Таиров и др.на этой основе в России была введена концепция затравочного кристалла, которая решила проблему неконтролируемой кристаллической формы и положения зародышеобразования кристаллов SiC.Последующие исследователи продолжали совершенствоваться и в конечном итоге разработали метод физического паропереноса (PVT), который сегодня используется в промышленности.
PVT, как самый ранний метод выращивания кристаллов SiC, в настоящее время является наиболее распространенным методом выращивания кристаллов SiC.По сравнению с другими методами, этот метод имеет низкие требования к оборудованию для выращивания, простой процесс выращивания, строгую управляемость, тщательные разработки и исследования и уже промышленно внедрен.
Подробная схема
![асд (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-19.jpg)
![асд (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-29.jpg)
![асд (3)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-35.jpg)
![асд (4)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-42.jpg)