2-дюймовая подложка из карбида кремния 6H-N Sic Wafer с двойной полировкой проводящего основного класса Mos Grade

2-дюймовая подложка из карбида кремния 6H-N Sic Wafer с двойной полировкой, проводящая первоклассная марка Mos

Краткое описание:

Монокристаллическая подложка из карбида кремния (SiC) n-типа 6H является важным полупроводниковым материалом, широко используемым в мощных, высокочастотных и высокотемпературных электронных приложениях. Карбид кремния 6H-N, известный своей гексагональной кристаллической структурой, обладает широкой запрещенной зоной и высокой теплопроводностью, что делает его идеальным для применения в сложных условиях.
Сильное электрическое поле пробоя и подвижность электронов этого материала позволяют разрабатывать эффективные силовые электронные устройства, такие как MOSFET и IGBT, которые могут работать при более высоких напряжениях и температурах, чем устройства, изготовленные из традиционного кремния. Его превосходная теплопроводность обеспечивает эффективное рассеивание тепла, что имеет решающее значение для поддержания производительности и надежности в приложениях с высокой мощностью.
В радиочастотных (РЧ) приложениях свойства 6H-N SiC позволяют создавать устройства, способные работать на более высоких частотах с повышенной эффективностью. Его химическая стабильность и устойчивость к радиации также делают его пригодным для использования в суровых условиях, включая аэрокосмическую и оборонную отрасли.
Кроме того, подложки 6H-N SiC являются неотъемлемой частью оптоэлектронных устройств, таких как ультрафиолетовые фотодетекторы, где их широкая запрещенная зона позволяет эффективно обнаруживать ультрафиолетовый свет. Сочетание этих свойств делает SiC n-типа 6H универсальным и незаменимым материалом для развития современных электронных и оптоэлектронных технологий.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Ниже приведены характеристики пластин карбида кремния:

· Название продукта: Подложка SiC
· Шестиугольная структура: уникальные электронные свойства.
· Высокая подвижность электронов: ~600 см²/В·с.
· Химическая стабильность: Устойчив к коррозии.
· Радиационная стойкость: Подходит для суровых условий.
· Низкая собственная концентрация носителя: Эффективен при высоких температурах.
· Долговечность: Высокие механические свойства.
· Оптоэлектронные возможности: Эффективное обнаружение ультрафиолетового света.

Пластина карбида кремния имеет несколько применений.

Применение пластин SiC:
Подложки SiC (карбид кремния) используются в различных высокопроизводительных приложениях благодаря своим уникальным свойствам, таким как высокая теплопроводность, высокая напряженность электрического поля и широкая запрещенная зона. Вот некоторые приложения:

1. Силовая электроника:
·Высоковольтные МОП-транзисторы
·IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
·Диоды Шоттки
·Инверторы мощности

2.Высокочастотные устройства:
·РЧ (радиочастотные) усилители
·СВЧ-транзисторы
·Приборы миллиметрового диапазона

3.Высокотемпературная электроника:
·Датчики и схемы для суровых условий эксплуатации
·Аэрокосмическая электроника
·Автомобильная электроника (например, блоки управления двигателем)

4. Оптоэлектроника:
·Ультрафиолетовые (УФ) фотодетекторы
·Светодиоды (LED)
·Лазерные диоды

5. Системы возобновляемой энергии:
·Солнечные инверторы
·Преобразователи ветряных турбин
· Силовые агрегаты электромобилей

6.Промышленность и оборона:
· Радарные системы
·Спутниковая связь
·Приборы ядерного реактора

SiC пластина

Мы можем настроить размер подложки SiC в соответствии с вашими конкретными требованиями. Мы также предлагаем пластину 4H-Semi HPSI SiC размером 10x10 мм или 5x5 мм.
Цена определяется корпусом, а детали упаковки могут быть настроены по вашему желанию.
Срок поставки в течение 2-4 недель. Мы принимаем оплату через T/T.
Наша фабрика располагает передовым производственным оборудованием и технической командой, которая может изготовить пластины SiC различных характеристик, толщины и формы в соответствии с конкретными требованиями клиентов.