2-дюймовая подложка из карбида кремния 6H-N, Sic-пластина, двойная полировка, проводящая, класс Prime, Mos

2-дюймовая подложка из карбида кремния 6H-N, Sic-пластина, с двойной полировкой, проводящая, класса Prime Grade Mos, главное изображение

Краткое описание:

Монокристаллическая подложка из карбида кремния (SiC) 6H n-типа — важный полупроводниковый материал, широко используемый в мощных, высокочастотных и высокотемпературных электронных устройствах. Известный своей гексагональной кристаллической структурой, карбид кремния 6H-N обладает широкой запрещенной зоной и высокой теплопроводностью, что делает его идеальным для использования в сложных условиях.
Высокая пробивная напряженность электрического поля и подвижность электронов этого материала позволяют разрабатывать эффективные силовые электронные устройства, такие как МОП-транзисторы (MOSFET) и БТИЗ (IGBT), способные работать при более высоких напряжениях и температурах, чем устройства из традиционного кремния. Его превосходная теплопроводность обеспечивает эффективное рассеивание тепла, что критически важно для поддержания производительности и надежности в мощных приложениях.
В радиочастотных (РЧ) приложениях свойства 6H-N SiC позволяют создавать устройства, способные работать на более высоких частотах с повышенной эффективностью. Его химическая стабильность и устойчивость к радиации также делают его пригодным для использования в суровых условиях, в том числе в аэрокосмической и оборонной отраслях.
Кроме того, подложки 6H-N SiC являются неотъемлемой частью оптоэлектронных устройств, таких как ультрафиолетовые фотодетекторы, где их широкая запрещенная зона обеспечивает эффективное детектирование ультрафиолетового излучения. Сочетание этих свойств делает 6H-n-SiC универсальным и незаменимым материалом для развития современных электронных и оптоэлектронных технологий.

Написать нам письмо

Функции

Ниже приведены характеристики пластины карбида кремния:

· Название продукта: SiC-подложка
· Гексагональная структура: уникальные электронные свойства.
· Высокая подвижность электронов: ~600 см²/В·с.
· Химическая стабильность: Устойчив к коррозии.
· Стойкость к радиации: подходит для суровых условий.
· Низкая собственная концентрация носителей заряда: эффективно при высоких температурах.
· Долговечность: высокие механические свойства.
· Оптоэлектронные возможности: Эффективное обнаружение УФ-излучения.

Пластина карбида кремния имеет несколько применений

Применение пластин SiC:
Подложки из карбида кремния (SiC) используются в различных высокопроизводительных устройствах благодаря своим уникальным свойствам, таким как высокая теплопроводность, высокая напряжённость электрического поля и широкая запрещённая зона. Вот некоторые из областей применения:

1.Силовая электроника:
·Высоковольтные МОП-транзисторы
·IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
·Диоды Шоттки
·Инверторы мощности

2.Высокочастотные устройства:
·РЧ (радиочастотные) усилители
·СВЧ-транзисторы
·Устройства миллиметрового диапазона

3.Высокотемпературная электроника:
·Датчики и схемы для суровых условий эксплуатации
·Авиационно-космическая электроника
·Автомобильная электроника (например, блоки управления двигателем)

4.Оптоэлектроника:
·Ультрафиолетовые (УФ) фотодетекторы
·Светодиоды (LED)
·Лазерные диоды

5. Системы возобновляемой энергии:
·Солнечные инверторы
·Преобразователи ветровых турбин
·Силовые агрегаты электромобилей

6.Промышленность и оборона:
·Радиолокационные системы
·Спутниковая связь
·Приборы для ядерных реакторов

Индивидуальная настройка пластин SiC

Мы можем изготовить подложку SiC под ваши конкретные требования. Мы также предлагаем пластину SiC 4H-Semi HPSI размером 10x10 мм или 5x5 мм.
Цена определяется индивидуально, а детали упаковки могут быть изменены по вашему желанию.
Срок доставки — от 2 до 4 недель. Оплата принимается через банковский перевод.
Наш завод располагает передовым производственным оборудованием и технической командой, которая может изготавливать пластины SiC различных спецификаций, толщины и формы в соответствии с конкретными требованиями заказчиков.