2-дюймовая 6H-N кремниевая карбидная подложка Sic-пластина с двойной полировкой, проводящая, класс Prime, класс Mos

Монокристаллическая подложка карбида кремния (SiC) 6H n-типа является важным полупроводниковым материалом, широко используемым в мощных, высокочастотных и высокотемпературных электронных приложениях. Известный своей гексагональной кристаллической структурой, 6H-N SiC обеспечивает широкую запрещенную зону и высокую теплопроводность, что делает его идеальным для требовательных сред.
Высокое электрическое поле пробоя и подвижность электронов этого материала позволяют разрабатывать эффективные силовые электронные устройства, такие как МОП-транзисторы и БТИЗ, которые могут работать при более высоких напряжениях и температурах, чем те, что сделаны из традиционного кремния. Его превосходная теплопроводность обеспечивает эффективное рассеивание тепла, что критически важно для поддержания производительности и надежности в мощных приложениях.
В радиочастотных (РЧ) приложениях свойства 6H-N SiC поддерживают создание устройств, способных работать на более высоких частотах с повышенной эффективностью. Его химическая стабильность и устойчивость к радиации также делают его пригодным для использования в суровых условиях, включая аэрокосмическую и оборонную отрасли.
Кроме того, подложки 6H-N SiC являются неотъемлемой частью оптоэлектронных устройств, таких как ультрафиолетовые фотодетекторы, где их широкая запрещенная зона позволяет эффективно обнаруживать УФ-излучение. Сочетание этих свойств делает 6H n-тип SiC универсальным и незаменимым материалом в продвижении современных электронных и оптоэлектронных технологий.