2-дюймовые 50,8-миллиметровые пластины SiC из карбида кремния, легированные Si N-типа, исследования и имитация производства

Материал подложки: карбид кремния 4H (4H-SiC)

Кристаллическая структура: тетрагексаэдрическая (4H)

Допинг: Без допинга (4H-N)

Размер: 2 дюйма

Тип проводимости: N-тип (n-легированный)

Проводимость: полупроводник

Перспективы рынка: 4H-N нелегированные пластины SiC обладают многими преимуществами, такими как высокая теплопроводность, низкие потери проводимости, отличная устойчивость к высоким температурам и высокая механическая стабильность, и, таким образом, имеют широкие рыночные перспективы в силовой электронике и радиочастотных приложениях. С развитием возобновляемой энергии, электромобилей и коммуникаций растет спрос на устройства с высокой эффективностью, высокой температурой работы и высокой толерантностью к мощности, что обеспечивает более широкие рыночные возможности для 4H-N нелегированных пластин SiC.

Применение: 2-дюймовые нелегированные пластины SiC 4H-N могут использоваться для изготовления различных силовых электронных и радиочастотных устройств, включая, помимо прочего:

1--4H-SiC MOSFET: полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник для приложений высокой мощности/высокой температуры. Эти устройства имеют низкие потери проводимости и переключения, что обеспечивает более высокую эффективность и надежность.

2--4H-SiC JFET: JFET-транзисторы для усилителей мощности ВЧ и коммутационных приложений. Эти устройства обеспечивают высокую частотную производительность и высокую термическую стабильность.

3--4H-SiC диоды Шоттки: диоды для мощных, высокотемпературных, высокочастотных приложений. Эти устройства обеспечивают высокую эффективность с низкими потерями проводимости и переключения.

4--4H-SiC Оптоэлектронные приборы: Приборы, используемые в таких областях, как лазерные диоды высокой мощности, УФ-детекторы и оптоэлектронные интегральные схемы. Эти приборы имеют высокие мощностные и частотные характеристики.

Подводя итог, можно сказать, что 2-дюймовые нелегированные пластины SiC 4H-N имеют потенциал для широкого спектра применений, особенно в силовой электронике и РЧ. Их превосходные характеристики и высокотемпературная стабильность делают их сильным претендентом на замену традиционных кремниевых материалов для высокопроизводительных, высокотемпературных и высокомощных приложений.