2-дюймовые (50,8 мм) кремниевые карбидные пластины (SiC), легированный кремний N-типа, для производства, исследований и изготовления макетов.

Материал подложки: карбид кремния 4H (4H-SiC)

Кристаллическая структура: тетрагексаэдрическая (4H)

Допирование: Нелегированный (4H-N)

Размер: 2 дюйма

Тип проводимости: N-тип (n-легированный)

Проводимость: Полупроводник

Перспективы рынка: Нелегированные кремниевые пластины SiC с 4H-N обладают множеством преимуществ, таких как высокая теплопроводность, низкие потери проводимости, превосходная термостойкость и высокая механическая стабильность, что открывает широкие рыночные перспективы в силовой электронике и радиочастотных приложениях. С развитием возобновляемой энергетики, электромобилей и связи растет спрос на устройства с высокой эффективностью, возможностью работы при высоких температурах и высокой устойчивостью к высоким энергопотреблениям, что открывает более широкие рыночные возможности для нелегированных кремниевых пластин SiC с 4H-N.

Применение: 2-дюймовые нелегированные кремниевые пластины SiC 4H-N могут использоваться для изготовления различных силовых электронных и радиочастотных устройств, включая, помимо прочего:

1--4H-SiC MOSFET: Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы для мощных и высокотемпературных применений. Эти устройства обладают низкими потерями проводимости и переключения, что обеспечивает более высокую эффективность и надежность.

2-4H-SiC JFET: полевые транзисторы с p-n-переходом для ВЧ усилителей мощности и коммутационных приложений. Эти устройства обеспечивают высокую частотную характеристику и высокую термическую стабильность.

Диоды Шоттки на основе 3-4H-SiC: диоды для мощных, высокотемпературных и высокочастотных применений. Эти устройства обеспечивают высокую эффективность при низких потерях проводимости и переключения.

Оптоэлектронные устройства на основе 4-4H-SiC: устройства, используемые в таких областях, как мощные лазерные диоды, УФ-детекторы и оптоэлектронные интегральные схемы. Эти устройства обладают высокими показателями мощности и частоты.

В заключение, 2-дюймовые нелегированные кремниевые пластины SiC с 4H-N обладают потенциалом для широкого спектра применений, особенно в силовой электронике и радиочастотной технике. Их превосходные характеристики и высокотемпературная стабильность делают их серьезным претендентом на замену традиционных кремниевых материалов в высокопроизводительных, высокотемпературных и мощных приложениях.