2-дюймовые пластины карбида кремния толщиной 50,8 мм, легированные Si N-типом, производственные исследования и имитация класса

2-дюймовые пластины карбида кремния диаметром 50,8 мм, легированные кремнием N-типа, производственные исследования и имитация качества. Рекомендуемое изображение

Краткое описание:

Шанхайский технологический институт Синьхехуэй. Co.,Ltd предлагает лучший выбор и цены на высококачественные пластины и подложки карбида кремния диаметром до шести дюймов N- и полуизолирующего типа. Маленькие и крупные компании по производству полупроводниковых приборов и исследовательские лаборатории по всему миру используют наши пластины из карбида кремния и полагаются на них.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Параметрические критерии для 2-дюймовых нелегированных пластин SiC 4H-N включают:

Материал подложки: карбид кремния 4H (4H-SiC).

Кристаллическая структура: тетрагексаэдрическая (4H).

Допинг: Нелегированный (4H-N).

Размер: 2 дюйма

Тип проводимости: N-тип (n-легированный)

Проводимость: Полупроводник

Перспективы рынка: Нелегированные пластины SiC 4H-N обладают многими преимуществами, такими как высокая теплопроводность, низкие потери проводимости, превосходная устойчивость к высоким температурам и высокая механическая стабильность, и, таким образом, имеют широкий круг перспектив на рынке силовой электроники и радиочастотных приложений. С развитием возобновляемых источников энергии, электромобилей и средств связи растет спрос на устройства с высоким КПД, возможностью работы при высоких температурах и высокой устойчивостью к мощности, что обеспечивает более широкие рыночные возможности для нелегированных пластин SiC 4H-N.

Применение: 2-дюймовые нелегированные пластины SiC 4H-N можно использовать для изготовления разнообразной силовой электроники и радиочастотных устройств, включая, помимо прочего:

МОП-транзисторы 1--4H-SiC: Металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы для применений с высокой мощностью и высокими температурами. Эти устройства имеют низкие потери на проводимость и переключение, что обеспечивает более высокую эффективность и надежность.

2--4H-SiC JFET: соединительные полевые транзисторы для усилителей мощности и коммутационных устройств. Эти устройства обладают высокими частотными характеристиками и высокой термической стабильностью.

Диоды Шоттки 3--4H-SiC: Диоды для мощных, высокотемпературных и высокочастотных применений. Эти устройства обеспечивают высокую эффективность при низких потерях проводимости и переключения.

Оптоэлектронные устройства 4--4H-SiC: устройства, используемые в таких областях, как мощные лазерные диоды, УФ-детекторы и оптоэлектронные интегральные схемы. Эти устройства обладают высокими мощностными и частотными характеристиками.

Таким образом, 2-дюймовые нелегированные пластины SiC 4H-N имеют потенциал для широкого спектра применений, особенно в силовой электронике и радиочастотах. Их превосходные характеристики и высокотемпературная стабильность делают их сильным претендентом на замену традиционных кремниевых материалов для высокопроизводительных, высокотемпературных и мощных приложений.