2-дюймовые 50,8-миллиметровые пластины SiC из карбида кремния, легированные кремнием N-типа, для исследований и испытаний на производстве
Параметрические критерии для 2-дюймовых 4H-N нелегированных пластин SiC включают
Материал подложки: карбид кремния 4H (4H-SiC)
Кристаллическая структура: тетрагексаэдрическая (4H)
Допинг: без допинга (4H-N)
Размер: 2 дюйма
Тип проводимости: N-тип (n-легированный)
Проводимость: полупроводник
Перспективы рынка: Нелегированные пластины SiC 4H-N обладают множеством преимуществ, таких как высокая теплопроводность, низкие потери проводимости, превосходная термостойкость и высокая механическая стабильность, что открывает широкие перспективы для применения в силовой электронике и СВЧ-приложениях. С развитием возобновляемых источников энергии, электромобилей и телекоммуникаций растёт спрос на высокоэффективные устройства, способные работать при высоких температурах и обладающие высокой допустимой мощностью, что расширяет рыночные возможности нелегированных пластин SiC 4H-N.
Применение: 2-дюймовые нелегированные пластины SiC 4H-N могут использоваться для изготовления различных устройств силовой электроники и радиочастотных устройств, включая, помимо прочего:
1--4H-SiC МОП-транзисторы: полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник для приложений высокой мощности и высоких температур. Эти приборы обладают низкими потерями проводимости и коммутации, что обеспечивает высокую эффективность и надежность.
2--4H-SiC JFET: полевые транзисторы с переходным механизмом для усилителей мощности и коммутационных устройств. Эти устройства обладают высокой частотной производительностью и высокой температурной стабильностью.
Диоды Шоттки 3-4H-SiC: диоды для мощных, высокотемпературных и высокочастотных применений. Эти приборы обладают высокой эффективностью при низких потерях проводимости и коммутации.
Оптоэлектронные приборы на основе 4H-SiC: приборы, используемые в таких областях, как мощные лазерные диоды, УФ-детекторы и оптоэлектронные интегральные схемы. Эти приборы обладают высокими мощностными и частотными характеристиками.
Подводя итог, можно сказать, что 2-дюймовые нелегированные пластины SiC 4H-N обладают потенциалом для широкого спектра применений, особенно в силовой электронике и СВЧ-технологиях. Их превосходные характеристики и высокотемпературная стабильность делают их серьёзным претендентом на замену традиционных кремниевых материалов в высокопроизводительных, высокотемпературных и мощных приложениях.
Подробная схема
