2-дюймовая, 4-дюймовая, 6-дюймовая подложка из сапфира с рисунком (PSS), на которой выращивается материал GaN, может использоваться для светодиодного освещения.

Краткое описание:

Подложка из сапфира с рисунком (PSS) представляет собой маску для сухого травления на сапфировой подложке. На маску наносится рисунок с помощью стандартного литографического процесса, затем сапфир травится с помощью технологии ICP-травления, после чего маска удаляется, и, наконец, на ней выращивается материал GaN, так что продольная эпитаксия материала GaN превращается в горизонтальную. Этот процесс включает в себя несколько этапов, таких как нанесение фоторезиста, пошаговое экспонирование, проявление рисунка экспонирования, сухое ICP-травление и очистка.


Функции

Основные характеристики

1. Структурные характеристики:
Поверхность PSS имеет упорядоченный конусообразный или треугольный конусообразный рисунок, форму, размер и распределение которого можно контролировать путем регулирования параметров процесса травления.
Эти графические структуры помогают изменить путь распространения света и уменьшить полное отражение света, тем самым повышая эффективность извлечения света.

2. Характеристики материала:
В качестве подложки в PSS используется высококачественный сапфир, обладающий такими характеристиками, как высокая твердость, высокая теплопроводность, хорошая химическая стабильность и оптическая прозрачность.
Эти характеристики позволяют PSS выдерживать суровые условия окружающей среды, такие как высокие температуры и давление, сохраняя при этом превосходные оптические свойства.

3. Оптические характеристики:
Изменяя многократное рассеяние на границе раздела между GaN и сапфировой подложкой, PSS позволяет фотонам, полностью отраженным внутри слоя GaN, выйти за пределы сапфировой подложки.
Эта особенность значительно повышает эффективность извлечения света светодиодом и увеличивает интенсивность его свечения.

4. Характеристики процесса:
Процесс производства PSS достаточно сложен и включает в себя множество этапов, таких как литография и травление, а также требует высокоточного оборудования и контроля технологического процесса.
Однако, благодаря постоянному развитию технологий и снижению затрат, производственный процесс PSS постепенно оптимизируется и совершенствуется.

Ключевое преимущество

1. Повышение эффективности извлечения света: PSS значительно повышает эффективность извлечения света светодиодом за счет изменения пути распространения света и уменьшения полного отражения.

2. Продление срока службы светодиода: PSS может снизить плотность дислокаций в эпитаксиальных материалах GaN, тем самым уменьшая нерадиационную рекомбинацию и обратный ток утечки в активной области, что продлевает срок службы светодиода.

3. Повышение яркости светодиодов: Благодаря повышению эффективности извлечения света и увеличению срока службы светодиодов, интенсивность свечения светодиодов на PSS значительно возрастает.

4. Снижение производственных затрат: Хотя процесс производства PSS относительно сложен, он может значительно повысить светоотдачу и срок службы светодиодов, тем самым в определенной степени снижая производственные затраты и повышая конкурентоспособность продукта.

Основные области применения

1. Светодиодное освещение: использование PSS в качестве подложки для светодиодных чипов позволяет значительно повысить светоотдачу и срок службы светодиодов.
В области светодиодного освещения PSS широко используется в различных осветительных приборах, таких как уличные фонари, настольные лампы, автомобильные фары и так далее.

2. Полупроводниковые приборы: Помимо светодиодного освещения, PSS также может использоваться для производства других полупроводниковых приборов, таких как детекторы света, лазеры и т. д. Эти приборы имеют широкий спектр применения в связи, медицине, военной и других областях.

3. Оптоэлектронная интеграция: Оптические свойства и стабильность PSS делают его одним из идеальных материалов в области оптоэлектронной интеграции. В оптоэлектронной интеграции PSS может использоваться для создания оптических волноводов, оптических переключателей и других компонентов для реализации передачи и обработки оптических сигналов.

Технические параметры

Элемент Узорчатая сапфировая подложка (2–6 дюймов)
Диаметр 50,8 ± 0,1 мм 100,0 ± 0,2 мм 150,0 ± 0,3 мм
Толщина 430 ± 25 мкм 650 ± 25 мкм 1000 ± 25 мкм
Ориентация поверхности Угол отклонения плоскости C (0001) от оси M (10-10) составляет 0,2 ± 0,1°
Плоскость C (0001) под углом к ​​оси A (11-20) 0 ± 0,1°
Ориентация основной квартиры Плоскость А (11-20) ± 1,0°
Основная плоская длина 16,0 ± 1,0 мм 30,0 ± 1,0 мм 47,5 ± 2,0 мм
R-план 9 часов
Отделка лицевой поверхности Узорчатый
Отделка задней поверхности SSP: тонкая шлифовка, Ra = 0,8–1,2 мкм; DSP: эпитаксиальная полировка, Ra < 0,3 нм
Лазерная маркировка Обратная сторона
ТТВ ≤8 мкм ≤10 мкм ≤20 мкм
ПОКЛОН ≤10 мкм ≤15 мкм ≤25 мкм
WARP ≤12 мкм ≤20 мкм ≤30 мкм
Исключение края ≤2 мм
Спецификация шаблона Форма и структура Купол, конус, пирамида
Высота узора 1,6~1,8 мкм
Диаметр рисунка 2,75~2,85 мкм
Пространство шаблонов 0,1~0,3 мкм

Компания XKH специализируется на разработке, производстве и продаже сапфировых подложек с рисунком (PSS) и стремится предоставлять высококачественную и высокоэффективную продукцию PSS клиентам по всему миру. XKH обладает передовыми технологиями производства и профессиональной технической командой, позволяющей изготавливать продукцию PSS с различными характеристиками и структурой рисунка в соответствии с потребностями заказчика. При этом XKH уделяет внимание качеству продукции и сервиса, предоставляя клиентам полный спектр технической поддержки и решений. В области PSS компания XKH накопила богатый опыт и преимущества и рассчитывает на сотрудничество с глобальными партнерами для совместного продвижения инновационного развития светодиодного освещения, полупроводниковых приборов и других отраслей.

Подробная схема

Сапфировая подложка с рисунком (PSS) 6
Сапфировая подложка с рисунком (PSS) 5
Сапфировая подложка с рисунком (PSS) 4

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь своё сообщение и отправьте его нам.