2-дюймовая, 4-дюймовая и 6-дюймовая структурированная сапфировая подложка (PSS), на которой выращивается материал GaN, может использоваться для светодиодного освещения.

Краткое описание:

Сапфировая подложка с рисунком (PSS) представляет собой маску для сухого травления на сапфировой подложке. На маске гравируется рисунок стандартным литографическим методом, затем сапфир травится методом ICP-травления. Маска удаляется, и на ней выращивается слой GaN, в результате чего продольная эпитаксия GaN переходит в горизонтальную. Этот процесс включает несколько этапов: нанесение фоторезиста, ступенчатое экспонирование, формирование рисунка экспонирования, сухое травление ICP и очистку.

Написать нам письмо

Функции

Основные характеристики

1. Конструктивные характеристики:
Поверхность PSS имеет упорядоченный конусный или треугольный конический рисунок, форму, размер и распределение которого можно контролировать, регулируя параметры процесса травления.
Эти графические структуры помогают изменить путь распространения света и уменьшить общее отражение света, тем самым повышая эффективность светоизвлечения.

2. Характеристики материала:
В качестве материала подложки компания PSS использует высококачественный сапфир, обладающий такими характеристиками, как высокая твердость, высокая теплопроводность, хорошая химическая стабильность и оптическая прозрачность.
Благодаря этим характеристикам PSS способны выдерживать суровые условия, такие как высокие температуры и давления, сохраняя при этом превосходные оптические характеристики.

3. Оптические характеристики:
Изменяя многократное рассеяние на границе раздела между GaN и сапфировой подложкой, PSS дает фотонам, которые полностью отражаются внутри слоя GaN, возможность покинуть сапфировую подложку.
Эта функция значительно повышает эффективность светоотдачи светодиода и увеличивает его интенсивность света.

4. Характеристики процесса:
Процесс производства PSS относительно сложен, включает несколько этапов, таких как литография и травление, и требует высокоточного оборудования и контроля процесса.
Однако, благодаря постоянному совершенствованию технологий и снижению затрат, процесс производства ПСС постепенно оптимизируется и совершенствуется.

Основное преимущество

1. Повышение эффективности светоизвлечения: PSS значительно повышает эффективность светоизвлечения светодиодов за счет изменения пути распространения света и уменьшения полного отражения.

2. Продление срока службы светодиодов: PSS может снизить плотность дислокаций эпитаксиальных материалов GaN, тем самым уменьшая безызлучательную рекомбинацию и обратный ток утечки в активной области, продлевая срок службы светодиодов.

3. Повышение яркости светодиодов: благодаря повышению эффективности извлечения света и продлению срока службы светодиодов интенсивность свечения светодиодов на PSS значительно увеличивается.

4. Снижение производственных затрат: хотя процесс производства PSS относительно сложен, он может значительно повысить световую эффективность и срок службы светодиодов, тем самым в определенной степени снижая производственные затраты и повышая конкурентоспособность продукции.

Основные области применения

1. Светодиодное освещение: PSS в качестве материала подложки для светодиодных чипов может значительно улучшить световую эффективность и срок службы светодиодов.
В области светодиодного освещения PSS широко используется в различных осветительных приборах, таких как уличные фонари, настольные лампы, автомобильные фонари и т. д.

2. Полупроводниковые приборы: Помимо светодиодного освещения, PSS также может использоваться для производства других полупроводниковых приборов, таких как датчики света, лазеры и т. д. Эти приборы имеют широкий спектр применения в области связи, медицины, военного дела и других областях.

3.Оптоэлектронная интеграция: Оптические свойства и стабильность PSS делают его одним из идеальных материалов в области оптоэлектронной интеграции. В оптоэлектронной интеграции PSS может использоваться для изготовления оптических волноводов, оптических переключателей и других компонентов для реализации передачи и обработки оптических сигналов.

Технические параметры

Элемент	Узорчатая сапфировая подложка (2~6 дюймов)
Диаметр	50,8 ± 0,1 мм	100,0 ± 0,2 мм	150,0 ± 0,3 мм
Толщина	430 ± 25 мкм	650 ± 25 мкм	1000 ± 25 мкм
Ориентация поверхности	Плоскость С (0001) под углом к оси М (10-10) 0,2 ± 0,1°
	Плоскость С (0001) под углом к оси А (11-20) 0 ± 0,1°
Первичная плоская ориентация	Плоскость А (11-20) ± 1,0°
Длина первичной плоскости	16,0 ± 1,0 мм	30,0 ± 1,0 мм	47,5 ± 2,0 мм
R-Plane	9 часов
Отделка лицевой поверхности	Узорчатый
Отделка задней поверхности	SSP: Тонкая шлифовка, Ra = 0,8–1,2 мкм; DSP: Эпиполировка, Ra < 0,3 нм
Лазерная метка	Обратная сторона
ТТВ	≤8 мкм	≤10 мкм	≤20 мкм
ПОКЛОН	≤10 мкм	≤15мкм	≤25мкм
ВАРП	≤12 мкм	≤20 мкм	≤30 мкм
Исключение границ	≤2 мм
Спецификация шаблона	Структура формы	Купол, Конус, Пирамида
	Высота узора	1,6~1,8 мкм
	Диаметр узора	2,75~2,85 мкм
	Пространство шаблонов	0,1~0,3 мкм

Компания XKH специализируется на разработке, производстве и продаже структурированных сапфировых подложек (PSS) и стремится предоставлять высококачественные и высокопроизводительные PSS-продукты клиентам по всему миру. XKH обладает передовыми производственными технологиями и профессиональной технической командой, которая может изготавливать PSS-продукты с различными характеристиками и структурами подложек в соответствии с потребностями клиентов. XKH уделяет особое внимание качеству продукции и обслуживания, предоставляя клиентам полный спектр технической поддержки и решений. В области PSS компания XKH накопила богатый опыт и преимущества и рассчитывает на сотрудничество с глобальными партнерами для совместного продвижения инновационного развития светодиодного освещения, полупроводниковых приборов и других отраслей.