2-дюймовая, 4-дюймовая и 6-дюймовая структурированная сапфировая подложка (PSS), на которой выращивается материал GaN, может использоваться для светодиодного освещения.

Краткое описание:

Узорчатая сапфировая подложка (PSS) представляет собой маску для сухого травления на сапфировой подложке, на маске гравируется рисунок с помощью стандартного процесса литографии, затем сапфир травится с помощью технологии травления ICP, и маска удаляется, и, наконец, на ней выращивается материал GaN, так что продольная эпитаксия материала GaN становится горизонтальной эпитаксией. Этот процесс включает несколько этапов, таких как нанесение фоторезиста, пошаговое экспонирование, разработка рисунка экспонирования, сухое травление ICP и очистка.


Подробности продукта

Теги продукта

Основные характеристики

1. Конструктивные характеристики:
Поверхность PSS имеет упорядоченный конический или треугольный конический рисунок, форму, размер и распределение которого можно контролировать, регулируя параметры процесса травления.
Эти графические структуры помогают изменить путь распространения света и уменьшить общее отражение света, тем самым повышая эффективность светоизвлечения.

2. Характеристики материала:
В качестве материала подложки PSS использует высококачественный сапфир, обладающий такими характеристиками, как высокая твердость, высокая теплопроводность, хорошая химическая стабильность и оптическая прозрачность.
Эти характеристики позволяют PSS выдерживать суровые условия, такие как высокие температуры и давления, сохраняя при этом превосходные оптические характеристики.

3. Оптические характеристики:
Изменяя многократное рассеяние на границе раздела между GaN и сапфировой подложкой, PSS дает фотонам, которые полностью отражаются внутри слоя GaN, возможность покинуть сапфировую подложку.
Эта функция значительно повышает эффективность светоотдачи светодиода и увеличивает его интенсивность света.

4. Характеристики процесса:
Процесс производства PSS относительно сложен, включает несколько этапов, таких как литография и травление, и требует высокоточного оборудования и контроля процесса.
Однако, благодаря постоянному совершенствованию технологий и снижению затрат, процесс производства ПСС постепенно оптимизируется и совершенствуется.

Основное преимущество

1. Повышение эффективности светоизвлечения: PSS значительно повышает эффективность светоизвлечения светодиодов за счет изменения пути распространения света и снижения полного отражения.

2. Продление срока службы светодиодов: PSS может уменьшить плотность дислокаций эпитаксиальных материалов GaN, тем самым уменьшая безызлучательную рекомбинацию и обратный ток утечки в активной области, продлевая срок службы светодиодов.

3. Повышение яркости светодиодов: благодаря повышению эффективности светоотдачи и увеличению срока службы светодиодов интенсивность свечения светодиодов на PSS значительно увеличивается.

4. Снижение производственных затрат: хотя процесс производства PSS относительно сложен, он может значительно улучшить световую эффективность и срок службы светодиодов, тем самым в определенной степени снижая производственные затраты и повышая конкурентоспособность продукции.

Основные области применения

1. Светодиодное освещение: PSS в качестве материала подложки для светодиодных чипов может значительно улучшить световую эффективность и срок службы светодиодов.
В области светодиодного освещения PSS широко используется в различных осветительных приборах, таких как уличные фонари, настольные лампы, автомобильные фары и т. д.

2. Полупроводниковые приборы: Помимо светодиодного освещения, PSS также может использоваться для производства других полупроводниковых приборов, таких как детекторы света, лазеры и т. д. Эти приборы имеют широкий спектр применения в области связи, медицины, обороны и других областях.

3.Оптоэлектронная интеграция: Оптические свойства и стабильность PSS делают его одним из идеальных материалов в области оптоэлектронной интеграции. В оптоэлектронной интеграции PSS может использоваться для изготовления оптических волноводов, оптических переключателей и других компонентов для реализации передачи и обработки оптических сигналов.

Технические параметры

Элемент Узорчатая сапфировая подложка (2~6 дюймов)
Диаметр 50,8 ± 0,1 мм 100,0 ± 0,2 мм 150,0 ± 0,3 мм
Толщина 430 ± 25 мкм 650 ± 25 мкм 1000 ± 25 мкм
Ориентация поверхности Плоскость С (0001) под углом к ​​оси М (10-10) 0,2 ± 0,1°
Плоскость С (0001) под углом к ​​оси А (11-20) 0 ± 0,1°
Первичная плоская ориентация Плоскость А (11-20) ± 1,0°
Длина первичной плоскости 16,0 ± 1,0 мм 30,0 ± 1,0 мм 47,5 ± 2,0 мм
R-План 9 часов
Отделка передней поверхности Узорчатый
Отделка задней поверхности SSP: Тонкая шлифовка, Ra=0,8-1,2 мкм; DSP: Эпиполировка, Ra<0,3 нм
Лазерная маркировка Задняя сторона
ТТВ ≤8мкм ≤10мкм ≤20мкм
ПОКЛОН ≤10мкм ≤15мкм ≤25мкм
ВАРП ≤12мкм ≤20мкм ≤30мкм
Исключение кромки ≤2 мм
Спецификация шаблона Структура формы Купол, Конус, Пирамида
Высота узора 1,6~1,8 мкм
Диаметр узора 2,75~2,85 мкм
Пространство шаблонов 0,1~0,3 мкм

XKH фокусируется на разработке, производстве и продаже структурированной сапфировой подложки (PSS) и стремится предоставлять высококачественные, высокопроизводительные продукты PSS клиентам по всему миру. XKH имеет передовые производственные технологии и профессиональную техническую команду, которая может настраивать продукты PSS с различными спецификациями и различными структурами шаблонов в соответствии с потребностями клиентов. В то же время XKH уделяет внимание качеству продукции и качеству обслуживания и стремится предоставлять клиентам полный спектр технической поддержки и решений. В области PSS XKH накопила богатый опыт и преимущества и рассчитывает на совместную работу с глобальными партнерами для совместного продвижения инновационного развития светодиодного освещения, полупроводниковых приборов и других отраслей промышленности.

Подробная схема

Узорчатая сапфировая подложка (PSS) 6
Узорчатая сапфировая подложка (PSS) 5
Узорчатая сапфировая подложка (PSS) 4

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам