Новости отрасли
-
Конец эпохи? Банкротство Wolfspeed меняет ландшафт SiC
Банкротство Wolfspeed знаменует собой важный поворотный момент для отрасли SiC-полупроводников. Компания Wolfspeed, давний лидер в области технологий карбида кремния (SiC), на этой неделе объявила о банкротстве, что ознаменовало собой существенный сдвиг на мировом рынке SiC-полупроводников. Компания...Читать далее -
Комплексный обзор методов осаждения тонких пленок: MOCVD, магнетронное распыление и PECVD
В производстве полупроводников, хотя фотолитография и травление являются наиболее часто упоминаемыми процессами, эпитаксиальные методы, или методы осаждения тонких плёнок, не менее важны. В данной статье рассматриваются несколько распространённых методов осаждения тонких плёнок, используемых при изготовлении микросхем, включая MOCVD, магнитоэлектрофорез...Читать далее -
Сапфировые защитные трубки для термопар: повышение точности измерения температуры в суровых промышленных условиях
1. Измерение температуры – основа промышленного контроля. В современных отраслях промышленности, работающих во всё более сложных и экстремальных условиях, точный и надёжный мониторинг температуры становится всё более важным. Среди различных технологий измерения температуры термопары получили широкое распространение благодаря...Читать далее -
Карбид кремния освещает очки дополненной реальности, открывая безграничные новые визуальные возможности
Историю человеческих технологий часто можно рассматривать как неустанное стремление к «улучшениям» — внешним инструментам, усиливающим естественные возможности. Например, огонь служил «дополнительной» пищеварительной системой, высвобождая больше энергии для развития мозга. Радио, появившееся в конце XIX века, стало…Читать далее -
В будущем лазерная резка станет основной технологией резки карбида кремния толщиной 8 дюймов. Коллекция вопросов и ответов
В: Какие основные технологии используются для резки и обработки пластин SiC? О: Карбид кремния (SiC) по твёрдости уступает только алмазу и считается очень твёрдым и хрупким материалом. Процесс резки, включающий резку выращенных кристаллов на тонкие пластины,...Читать далее -
Текущее состояние и тенденции технологии обработки пластин SiC
Монокристаллический карбид кремния (SiC), являясь полупроводниковым подложечным материалом третьего поколения, имеет широкие перспективы применения в производстве высокочастотных и мощных электронных устройств. Технология обработки SiC играет решающую роль в производстве высококачественных подложек...Читать далее -
Восходящая звезда третьего поколения полупроводников: нитрид галлия: несколько новых точек роста в будущем
По сравнению с устройствами на основе карбида кремния силовые устройства на основе нитрида галлия будут иметь больше преимуществ в сценариях, где одновременно требуются эффективность, частота, объем и другие комплексные аспекты, например, устройства на основе нитрида галлия успешно применяются...Читать далее -
Развитие отечественной промышленности GaN ускорилось
Внедрение силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN) стремительно растёт, в первую очередь за счёт китайских поставщиков потребительской электроники. Ожидается, что к 2027 году объём рынка силовых устройств на основе GaN достигнет 2 миллиардов долларов США по сравнению со 126 миллионами долларов США в 2021 году. В настоящее время сектор потребительской электроники является основным драйвером рынка нитрида галлия.Читать далее