Новости отрасли
-
Лазерная резка станет основной технологией резки 8-дюймового карбида кремния в будущем. Коллекция вопросов и ответов
В: Какие основные технологии используются при нарезке и обработке пластин SiC? О: Карбид кремния (SiC) по твердости уступает только алмазу и считается очень твердым и хрупким материалом. Процесс нарезки, включающий резку выращенных кристаллов на тонкие пластины, занимает много времени и подвержен ...Читать далее -
Текущее состояние и тенденции технологии обработки пластин SiC
Как полупроводниковый подложечный материал третьего поколения, монокристалл карбида кремния (SiC) имеет широкие перспективы применения в производстве высокочастотных и мощных электронных приборов. Технология обработки SiC играет решающую роль в производстве высококачественных подложек...Читать далее -
Восходящая звезда третьего поколения полупроводников: нитрид галлия несколько новых точек роста в будущем
По сравнению с устройствами на основе карбида кремния силовые устройства на основе нитрида галлия будут иметь больше преимуществ в сценариях, где одновременно требуются эффективность, частота, объем и другие комплексные аспекты, например, устройства на основе нитрида галлия были успешно применены...Читать далее -
Развитие отечественной промышленности GaN ускорилось
Внедрение силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN) стремительно растёт, в первую очередь за счёт китайских поставщиков бытовой электроники. Ожидается, что к 2027 году объём рынка силовых устройств на основе GaN достигнет 2 миллиардов долларов по сравнению со 126 миллионами долларов в 2021 году. В настоящее время сектор бытовой электроники является основным драйвером рынка нитрида галлия...Читать далее