Новости отрасли
-
Конец эпохи? Банкротство Wolfspeed меняет ландшафт SiC
Банкротство Wolfspeed сигнализирует о важном поворотном моменте для отрасли полупроводников SiC Wolfspeed, давний лидер в технологии карбида кремния (SiC), на этой неделе подал заявление о банкротстве, что ознаменовало собой существенный сдвиг в мировом ландшафте полупроводников SiC. Падение компании подчеркивает глубочайшие...Читать далее -
Комплексный обзор методов осаждения тонких пленок: MOCVD, магнетронное распыление и PECVD
В производстве полупроводников, хотя фотолитография и травление являются наиболее часто упоминаемыми процессами, эпитаксиальные или тонкопленочные методы осаждения не менее важны. В этой статье представлены несколько распространенных методов осаждения тонких пленок, используемых при изготовлении чипов, включая MOCVD, магнетрон...Читать далее -
Сапфировые защитные трубки для термопар: повышение точности измерения температуры в суровых промышленных условиях
1. Измерение температуры – основа промышленного контроля В современных отраслях промышленности, работающих во все более сложных и экстремальных условиях, точный и надежный мониторинг температуры стал необходимым. Среди различных технологий измерения термопары широко применяются благодаря...Читать далее -
Карбид кремния освещает очки дополненной реальности, открывая безграничные новые визуальные впечатления
Историю человеческих технологий часто можно рассматривать как неустанное стремление к «улучшениям» — внешним инструментам, которые усиливают естественные возможности. Огонь, например, служил «дополнительной» пищеварительной системой, высвобождая больше энергии для развития мозга. Радио, родившееся в конце 19 века, стало...Читать далее -
Лазерная резка станет основной технологией резки 8-дюймового карбида кремния в будущем. Коллекция вопросов и ответов
В: Каковы основные технологии, используемые при нарезке и обработке пластин SiC? О: Карбид кремния (SiC) по твердости уступает только алмазу и считается очень твердым и хрупким материалом. Процесс нарезки, включающий резку выращенных кристаллов на тонкие пластины,...Читать далее -
Текущее состояние и тенденции технологии обработки пластин SiC
Как полупроводниковый подложечный материал третьего поколения, монокристалл карбида кремния (SiC) имеет широкие перспективы применения в производстве высокочастотных и мощных электронных приборов. Технология обработки SiC играет решающую роль в производстве высококачественных подложек...Читать далее -
Восходящая звезда третьего поколения полупроводников: нитрид галлия несколько новых точек роста в будущем
По сравнению с устройствами на основе карбида кремния силовые устройства на основе нитрида галлия будут иметь больше преимуществ в сценариях, где одновременно требуются эффективность, частота, объем и другие комплексные аспекты, например, устройства на основе нитрида галлия были успешно применены...Читать далее -
Развитие отечественной промышленности GaN ускорилось
Внедрение силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN) стремительно растёт, в первую очередь за счёт китайских поставщиков бытовой электроники. Ожидается, что к 2027 году объём рынка силовых устройств на основе GaN достигнет 2 миллиардов долларов по сравнению со 126 миллионами долларов в 2021 году. В настоящее время сектор бытовой электроники является основным драйвером рынка нитрида галлия...Читать далее