В последние годы, в связи с непрерывным распространением таких приложений, как новые энергетические транспортные средства, фотоэлектрическая энергетика и хранение энергии, SiC, как новый полупроводниковый материал, играет важную роль в этих областях. Согласно отчету о рынке силовых SiC компании Yole Intelligence, опубликованному в 2023 году, прогнозируется, что к 2028 году объем мирового рынка силовых SiC-устройств достигнет почти 9 миллиардов долларов, что представляет собой рост примерно на 31% по сравнению с 2022 годом. Общий размер рынка SiC-устройств полупроводники демонстрирует устойчивую тенденцию расширения.
Среди многочисленных рыночных приложений доминируют автомобили на новых источниках энергии, занимающие 70% рынка. В настоящее время Китай стал крупнейшим в мире производителем, потребителем и экспортером транспортных средств на новых источниках энергии. По данным Nikkei Asian Review, в 2023 году благодаря новым энергетическим автомобилям экспорт автомобилей Китая впервые превзошел Японию, что сделало Китай крупнейшим в мире экспортером автомобилей.
Столкнувшись с растущим рыночным спросом, китайская индустрия SiC открывает важнейшую возможность для развития.
С момента публикации Государственным советом «Тринадцатой пятилетки» национальных инноваций в области науки и технологий в июле 2016 года разработка полупроводниковых чипов третьего поколения привлекла большое внимание со стороны правительства и получила положительные отзывы и широкую поддержку в различные регионы. К августу 2021 года Министерство промышленности и информационных технологий (МИИТ) включило полупроводники третьего поколения в «Четырнадцатую пятилетку» развития промышленной науки и технологических инноваций, придав дополнительный импульс росту внутреннего рынка SiC.
Под влиянием как рыночного спроса, так и политики, отечественные проекты индустрии SiC быстро появляются, как грибы после дождя, представляя ситуацию широкого развития. По нашей неполной статистике, на данный момент строительные проекты по технологии SiC развернуты как минимум в 17 городах. Среди них Цзянсу, Шанхай, Шаньдун, Чжэцзян, Гуандун, Хунань, Фуцзянь и другие регионы стали важными центрами развития индустрии SiC. В частности, запуск в производство нового проекта ReTopTech позволит еще больше укрепить всю отечественную цепочку полупроводниковой промышленности третьего поколения, особенно в Гуандуне.
Следующий макет ReTopTech — 8-дюймовая подложка SiC. Хотя в настоящее время на рынке доминируют 6-дюймовые подложки SiC, тенденция развития отрасли постепенно смещается в сторону 8-дюймовых подложек из соображений снижения затрат. По прогнозам GTAT, стоимость 8-дюймовых подложек снизится на 20–35% по сравнению с 6-дюймовыми подложками. В настоящее время известные производители SiC, такие как Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun и Xilinx Integration, как отечественные, так и международные, начали постепенно переходить на 8-дюймовые подложки.
В этом контексте ReTopTech планирует в будущем создать Центр исследований и разработок крупногабаритных кристаллов и технологий эпитаксии. Компания будет сотрудничать с ключевыми местными лабораториями для участия в совместном использовании инструментов и оборудования, а также в исследованиях материалов. Кроме того, ReTopTech планирует укреплять инновационное сотрудничество в области технологий обработки кристаллов с крупными производителями оборудования и участвовать в совместных инновациях с ведущими перерабатывающими предприятиями в области исследований и разработок автомобильных устройств и модулей. Эти меры направлены на повышение уровня исследований и разработок Китая, а также уровня индустриализации производства технологий в области 8-дюймовых подложек.
Полупроводники третьего поколения, основным представителем которых является SiC, общепризнаны как одна из наиболее перспективных областей во всей полупроводниковой промышленности. Китай обладает преимуществом полной производственной цепочки в области полупроводников третьего поколения, охватывающей оборудование, материалы, производство и приложения, с потенциалом для установления глобальной конкурентоспособности.
Время публикации: 08 апреля 2024 г.