В последние годы, в связи с постоянным проникновением в такие области применения, как новые энергетические транспортные средства, фотоэлектрическая генерация и накопление энергии, SiC, как новый полупроводниковый материал, играет важную роль в этих областях. Согласно отчёту Yole Intelligence Power SiC Market Report, опубликованному в 2023 году, прогнозируется, что к 2028 году объём мирового рынка силовых SiC-устройств достигнет почти 9 миллиардов долларов, что примерно на 31% больше, чем в 2022 году. Общий объём рынка SiC-полупроводников демонстрирует устойчивую тенденцию к росту.
Среди многочисленных рыночных приложений доминируют автомобили на новых источниках энергии, занимая 70% рынка. В настоящее время Китай стал крупнейшим в мире производителем, потребителем и экспортером автомобилей на новых источниках энергии. По данным Nikkei Asian Review, в 2023 году благодаря автомобилям на новых источниках энергии экспорт автомобилей из Китая впервые превзошел Японию, став крупнейшим мировым экспортером автомобилей.
Столкнувшись с растущим рыночным спросом, китайская промышленность SiC получает критически важную возможность развития.
С момента публикации в июле 2016 года Государственным советом «Тринадцатого пятилетнего плана» по развитию национальной научно-технической инновации, разработка полупроводниковых кристаллов третьего поколения привлекла пристальное внимание правительства, получила положительный отклик и широкую поддержку в различных регионах. В августе 2021 года Министерство промышленности и информационных технологий (МИИТ) включило полупроводники третьего поколения в «Четырнадцатый пятилетний план» развития промышленной научно-технической инновации, что придало дополнительный импульс росту внутреннего рынка SiC.
Под влиянием рыночного спроса и политики, отечественные проекты в области производства SiC появляются как грибы после дождя, создавая условия для повсеместного развития. Согласно нашим неполным статистическим данным, на данный момент строительные проекты, связанные с SiC, реализуются как минимум в 17 городах. Среди них Цзянсу, Шанхай, Шаньдун, Чжэцзян, Гуандун, Хунань, Фуцзянь и другие регионы, которые стали важными центрами развития отрасли SiC. В частности, запуск нового проекта ReTopTech ещё больше укрепит всю цепочку отечественной полупроводниковой промышленности третьего поколения, особенно в Гуандуне.
Следующим направлением развития ReTopTech станет 8-дюймовая подложка SiC. Хотя 6-дюймовые подложки SiC в настоящее время доминируют на рынке, тенденция развития отрасли постепенно смещается в сторону 8-дюймовых подложек из-за снижения стоимости. Согласно прогнозам GTAT, ожидается, что стоимость 8-дюймовых подложек снизится на 20–35% по сравнению с 6-дюймовыми. В настоящее время такие известные производители SiC, как Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun и Xilinx Integration, как китайские, так и зарубежные, начали постепенно переходить на 8-дюймовые подложки.
В этом контексте ReTopTech планирует в будущем создать Центр исследований и разработок в области роста крупногабаритных кристаллов и эпитаксии. Компания будет сотрудничать с ведущими местными лабораториями в области обмена приборами и оборудованием, а также исследования материалов. Кроме того, ReTopTech планирует укреплять инновационное сотрудничество в области обработки кристаллов с крупными производителями оборудования и участвовать в совместных инновациях с ведущими предприятиями перерабатывающей промышленности в области исследований и разработок автомобильных устройств и модулей. Эти меры направлены на повышение уровня исследований, разработок и технологий индустриализации производства в Китае в области 8-дюймовых платформ.
Полупроводники третьего поколения, главным представителем которых является SiC, общепризнанно считаются одним из наиболее перспективных направлений полупроводниковой промышленности. Китай обладает преимуществом в полной производственной цепочке полупроводников третьего поколения, охватывающей оборудование, материалы, производство и применение, что позволяет ему стать конкурентоспособным на мировом рынке.
Время публикации: 08.04.2024