Новости
-
Керамика из карбида кремния против полупроводникового карбида кремния: один и тот же материал с двумя разными судьбами.
Карбид кремния (SiC) — это замечательное соединение, которое можно найти как в полупроводниковой промышленности, так и в современных керамических изделиях. Это часто приводит к путанице среди непрофессионалов, которые могут ошибочно принимать их за один и тот же тип продукции. В действительности, несмотря на идентичный химический состав, SiC проявляет...Читать далее -
Достижения в технологиях получения высокочистой керамики из карбида кремния
Высокочистая керамика на основе карбида кремния (SiC) стала идеальным материалом для критически важных компонентов в полупроводниковой, аэрокосмической и химической промышленности благодаря своей исключительной теплопроводности, химической стабильности и механической прочности. В условиях растущего спроса на высокоэффективные, низкополяризованные материалы...Читать далее -
Технические принципы и процессы эпитаксиального осаждения светодиодов из кремниевых пластин.
Исходя из принципа работы светодиодов, очевидно, что эпитаксиальный материал подложки является ключевым компонентом светодиода. Фактически, ключевые оптоэлектронные параметры, такие как длина волны, яркость и прямое напряжение, в значительной степени определяются эпитаксиальным материалом. Технология и оборудование для эпитаксиального осаждения...Читать далее -
Ключевые аспекты получения высококачественных монокристаллов карбида кремния.
К основным методам получения монокристаллов кремния относятся: физическая парофазная транспортировка (PVT), выращивание из раствора с затравкой сверху (TSSG) и высокотемпературное химическое осаждение из газовой фазы (HT-CVD). Среди них метод PVT широко применяется в промышленном производстве благодаря простоте оборудования и легкости выполнения...Читать далее -
Ниобат лития на изоляторе (LNOI): движущая сила развития фотонных интегральных схем
Введение. Вдохновленная успехом электронных интегральных схем (ЭИС), область фотонных интегральных схем (ФИС) развивается с момента своего зарождения в 1969 году. Однако, в отличие от ЭИС, разработка универсальной платформы, способной поддерживать разнообразные фотонные приложения, остается...Читать далее -
Основные аспекты производства высококачественных монокристаллов карбида кремния (SiC)
Основные аспекты получения высококачественных монокристаллов карбида кремния (SiC). К основным методам выращивания монокристаллов карбида кремния относятся физический парофазный перенос (PVT), выращивание из раствора с затравкой сверху (TSSG) и высокотемпературная химическая обработка...Читать далее -
Технология эпитаксиальных пластин для светодиодов нового поколения: будущее освещения
Светодиоды освещают наш мир, и в основе каждого высокоэффективного светодиода лежит эпитаксиальная пластина — важнейший компонент, определяющий его яркость, цвет и эффективность. Овладев наукой эпитаксиального роста, ...Читать далее -
Конец эпохи? Банкротство Wolfspeed меняет ландшафт SiC.
Банкротство Wolfspeed знаменует собой важный поворотный момент для полупроводниковой промышленности на основе карбида кремния (SiC). Компания Wolfspeed, давний лидер в области технологий карбида кремния (SiC), на этой неделе подала заявление о банкротстве, что знаменует собой значительный сдвиг на глобальном рынке полупроводников SiC. Компания...Читать далее -
Комплексный анализ образования напряжений в плавленом кварце: причины, механизмы и последствия.
1. Термическое напряжение при охлаждении (основная причина). Плавленый кварц испытывает напряжение в условиях неравномерного распределения температуры. При любой заданной температуре атомная структура плавленого кварца достигает относительно «оптимальной» пространственной конфигурации. По мере изменения температуры атомная структура...Читать далее -
Полное руководство по кремнийкарбидным пластинам/пластинам SiC
Аннотация к кремниево-карбидным пластинам: Кремниево-карбидные (SiC) пластины стали предпочтительным материалом для подложек в мощной, высокочастотной и высокотемпературной электронике в автомобильной, возобновляемой энергетике и аэрокосмической отраслях. Наш портфель включает в себя ключевые политипы...Читать далее -
Комплексный обзор методов осаждения тонких пленок: MOCVD, магнетронное распыление и PECVD.
В полупроводниковом производстве, хотя фотолитография и травление являются наиболее часто упоминаемыми процессами, методы эпитаксиального осаждения или осаждения тонких пленок имеют не меньшее значение. В этой статье представлены несколько распространенных методов осаждения тонких пленок, используемых при изготовлении микросхем, включая MOCVD, магнетронное осаждение и т.д.Читать далее -
Защитные трубки для термопар из сапфира: повышение точности измерения температуры в суровых промышленных условиях.
1. Измерение температуры – основа промышленного контроля. В условиях современной промышленности, работающей во все более сложных и экстремальных условиях, точный и надежный мониторинг температуры стал крайне важным. Среди различных технологий измерения температуры термопары получили широкое распространение благодаря…Читать далее