Новости
-
Соотношение между кристаллографическими плоскостями и ориентацией кристалла.
Кристаллические плоскости и ориентация кристалла — два основных понятия в кристаллографии, тесно связанных со структурой кристалла в технологии кремниевых интегральных схем. 1. Определение и свойства ориентации кристалла. Ориентация кристалла представляет собой определенное направление...Читать далее -
Каковы преимущества процессов сквозного стеклянного отверстия (TGV) и сквозного кремниевого отверстия (TSV) по сравнению с TGV?
Преимущества технологий сквозного стеклянного перехода (TGV) и сквозного кремниевого перехода (TSV) по сравнению с TGV заключаются в следующем: (1) превосходные высокочастотные электрические характеристики. Стекло является изолятором, его диэлектрическая проницаемость составляет всего около 1/3 от диэлектрической проницаемости кремния, а коэффициент потерь равен 2-...Читать далее -
Применение проводящих и полуизолированных подложек из карбида кремния
Подложки из карбида кремния подразделяются на полуизолирующие и проводящие. В настоящее время основной размер полуизолирующих подложек из карбида кремния составляет 4 дюйма. В проводящих подложках из карбида кремния...Читать далее -
Существуют ли также различия в применении сапфировых пластин с разной ориентацией кристаллов?
Сапфир — это монокристалл оксида алюминия, относящийся к трехчастной кристаллической системе, с гексагональной структурой. Его кристаллическая структура состоит из трех атомов кислорода и двух атомов алюминия в ковалентной связи, расположенных очень близко друг к другу, с прочной цепью связей и энергией решетки, в то время как его кристаллическая структура...Читать далее -
В чем разница между проводящей подложкой SiC и полуизолированной подложкой?
Устройства на основе карбида кремния SiC представляют собой устройства, изготовленные из карбида кремния в качестве исходного материала. В зависимости от различных характеристик сопротивления они подразделяются на проводящие силовые устройства на основе карбида кремния и полуизолированные СВЧ-устройства на основе карбида кремния. Основные формы устройств и...Читать далее -
Статья знакомит вас с миром TGV
Что такое TGV? TGV (Through-Glass via, сквозное отверстие через стекло) — технология создания сквозных отверстий в стеклянной подложке. Проще говоря, TGV — это высотное здание, которое пробивает, заполняет и соединяет стекло по всей его длине для создания интегральных схем на стеклянной подложке.Читать далее -
Каковы показатели оценки качества поверхности пластин?
В связи с непрерывным развитием полупроводниковых технологий, как в полупроводниковой промышленности, так и в фотоэлектрической промышленности, требования к качеству поверхности подложки или эпитаксиального слоя также весьма строгие. Итак, какие же требования к качеству...Читать далее -
Насколько хорошо вы знаете процесс выращивания монокристаллов SiC?
Карбид кремния (SiC), будучи широкозонным полупроводниковым материалом, играет всё более важную роль в применении современных достижений науки и техники. Карбид кремния обладает превосходной термической стабильностью, высокой устойчивостью к электрическому полю, преднамеренной проводимостью и...Читать далее -
Революционная битва отечественных подложек SiC
В последние годы, в связи с постоянным распространением новых технологий, таких как транспортные средства на новых источниках энергии, фотоэлектрическая генерация и накопление энергии, SiC, как новый полупроводниковый материал, играет важную роль в этих областях. Согласно...Читать далее -
SiC MOSFET, 2300 вольт.
26-го числа компания Power Cube Semi объявила об успешной разработке первого южнокорейского МОП-транзистора на основе SiC (карбида кремния) на 2300 В. По сравнению с существующими кремниевыми полупроводниками, SiC (карбид кремния) может выдерживать более высокие напряжения, поэтому его называют...Читать далее -
Является ли восстановление полупроводников всего лишь иллюзией?
В период с 2021 по 2022 год наблюдался быстрый рост мирового рынка полупроводников, обусловленный возникновением особого спроса, вызванного вспышкой COVID-19. Однако, поскольку во второй половине 2022 года особый спрос, вызванный пандемией COVID-19, прекратился, и рынок резко упал...Читать далее -
В 2024 году капитальные затраты на полупроводниковую промышленность снизились
В среду президент Байден объявил о соглашении о предоставлении Intel 8,5 млрд долларов прямого финансирования и 11 млрд долларов в виде займов в соответствии с Законом о чипах и науке (CHIPS and Science Act). Intel направит эти средства на свои фабрики по производству пластин в Аризоне, Огайо, Нью-Мексико и Орегоне. Как сообщалось в нашем...Читать далее