Новости
-
Связь между кристаллическими плоскостями и ориентацией кристалла.
Кристаллические плоскости и кристаллическая ориентация являются двумя основными концепциями в кристаллографии, тесно связанными со структурой кристалла в технологии кремниевых интегральных схем. 1. Определение и свойства кристаллической ориентации Кристаллическая ориентация представляет собой определенное направление...Читать далее -
Каковы преимущества процессов сквозного стеклянного отверстия (TGV) и сквозного кремниевого отверстия (TSV) по сравнению с TGV?
Преимущества процессов сквозного стеклянного отверстия (TGV) и сквозного кремниевого отверстия (TSV) по сравнению с TGV заключаются в следующем: (1) превосходные высокочастотные электрические характеристики. Стеклянный материал является изолятором, диэлектрическая проницаемость составляет всего около 1/3 от диэлектрической проницаемости кремниевого материала, а коэффициент потерь равен 2-...Читать далее -
Применение проводящих и полуизолированных подложек из карбида кремния
Подложка из карбида кремния делится на полуизолирующий тип и проводящий тип. В настоящее время основная спецификация полуизолированных подложек из карбида кремния составляет 4 дюйма. В проводящей подложке из карбида кремния...Читать далее -
Существуют ли также различия в применении сапфировых пластин с разной ориентацией кристаллов?
Сапфир представляет собой монокристалл оксида алюминия, принадлежит к трехкомпонентной кристаллической системе, имеет гексагональную структуру, его кристаллическая структура состоит из трех атомов кислорода и двух атомов алюминия в ковалентном типе связи, расположенных очень близко, с прочной цепью связей и энергией решетки, в то время как его кристаллическое строение...Читать далее -
В чем разница между проводящей подложкой SiC и полуизолированной подложкой?
Устройство из карбида кремния SiC относится к устройству, изготовленному из карбида кремния в качестве сырья. В соответствии с различными свойствами сопротивления оно делится на проводящие силовые устройства из карбида кремния и полуизолированные радиочастотные устройства из карбида кремния. Основные формы устройства и...Читать далее -
Статья знакомит вас с TGV
Что такое TGV? TGV (Through-Glass via) — технология создания сквозных отверстий на стеклянной подложке. Проще говоря, TGV — это высотное здание, которое пробивает, заполняет и соединяет стекло сверху и снизу для создания интегральных схем на стеклянной поверхности.Читать далее -
Каковы показатели оценки качества поверхности пластин?
С непрерывным развитием полупроводниковой технологии, в полупроводниковой промышленности и даже в фотоэлектрической промышленности, требования к качеству поверхности подложки пластины или эпитаксиального листа также очень строгие. Итак, каковы требования к качеству ...Читать далее -
Насколько хорошо вы знаете процесс выращивания монокристаллов SiC?
Карбид кремния (SiC), как вид широкозонного полупроводникового материала, играет все более важную роль в применении современной науки и техники. Карбид кремния обладает превосходной термической стабильностью, высокой устойчивостью к электрическому полю, преднамеренной проводимостью и...Читать далее -
Решающая битва отечественных подложек SiC
В последние годы, с постоянным проникновением в такие области применения, как новые энергетические транспортные средства, фотоэлектрическая генерация энергии и хранение энергии, SiC, как новый полупроводниковый материал, играет важную роль в этих областях. Согласно...Читать далее -
SiC MOSFET, 2300 вольт.
26-го числа Power Cube Semi объявила об успешной разработке первого в Южной Корее полупроводника SiC (карбид кремния) MOSFET на 2300 В. По сравнению с существующими полупроводниками на основе Si (кремния), SiC (карбид кремния) может выдерживать более высокие напряжения, поэтому его называют ...Читать далее -
Является ли восстановление полупроводников всего лишь иллюзией?
С 2021 по 2022 год наблюдался быстрый рост мирового рынка полупроводников из-за возникновения особых требований, вызванных вспышкой COVID-19. Однако, поскольку особые требования, вызванные пандемией COVID-19, закончились во второй половине 2022 года и погрузились в ...Читать далее -
В 2024 году капитальные затраты на полупроводниковую промышленность снизились
В среду президент Байден объявил о соглашении о предоставлении Intel $8,5 млрд прямого финансирования и $11 млрд кредитов в рамках Закона о CHIPS и науке. Intel будет использовать это финансирование для своих фабрик по производству пластин в Аризоне, Огайо, Нью-Мексико и Орегоне. Как сообщалось в нашем...Читать далее