Новости
-
Керамика на основе карбида кремния против полупроводникового карбида кремния: один и тот же материал с двумя разными судьбами
Карбид кремния (SiC) — замечательное соединение, которое используется как в полупроводниковой промышленности, так и в производстве современных керамических изделий. Это часто приводит к путанице среди неспециалистов, которые могут ошибочно принять их за один и тот же тип продукции. В действительности, несмотря на идентичный химический состав, SiC проявляет...Читать далее -
Достижения в технологиях получения керамики из высокочистого карбида кремния
Керамика из высокочистого карбида кремния (SiC) стала идеальным материалом для критически важных компонентов в полупроводниковой, аэрокосмической и химической промышленности благодаря своей исключительной теплопроводности, химической стабильности и механической прочности. В связи с растущим спросом на высокопроизводительные, низкопол...Читать далее -
Технические принципы и процессы производства эпитаксиальных пластин светодиодов
Из принципа работы светодиодов очевидно, что материал эпитаксиальной пластины является основным компонентом светодиода. Фактически, ключевые оптоэлектронные параметры, такие как длина волны, яркость и прямое напряжение, во многом определяются материалом эпитаксиальной пластины. Технология и оборудование для производства эпитаксиальных пластин...Читать далее -
Ключевые моменты при получении высококачественного монокристалла карбида кремния
К основным методам получения монокристаллов кремния относятся: физический перенос пара (PVT), выращивание из раствора с затравкой сверху (TSSG) и высокотемпературное химическое осаждение из газовой фазы (HT-CVD). Метод PVT широко применяется в промышленном производстве благодаря простоте оборудования, простоте...Читать далее -
Ниобат лития на изоляторе (LNOI): движущая сила развития фотонных интегральных схем
Введение Вдохновленная успехом электронных интегральных схем (ЭИС), область фотонных интегральных схем (ФИС) развивалась с момента своего зарождения в 1969 году. Однако, в отличие от ЭИС, разработка универсальной платформы, способной поддерживать разнообразные фотонные приложения, остается...Читать далее -
Ключевые моменты при производстве высококачественных монокристаллов карбида кремния (SiC)
Ключевые моменты при производстве высококачественных монокристаллов карбида кремния (SiC) К основным методам выращивания монокристаллов карбида кремния относятся физический перенос паров (PVT), выращивание из раствора с затравкой сверху (TSSG) и высокотемпературная химическая...Читать далее -
Технология эпитаксиальных пластин светодиодов нового поколения: будущее освещения
Светодиоды освещают наш мир, и в основе каждого высокопроизводительного светодиода лежит эпитаксиальная пластина — важнейший компонент, определяющий его яркость, цвет и эффективность. Освоив науку эпитаксиального роста,...Читать далее -
Конец эпохи? Банкротство Wolfspeed меняет ландшафт SiC
Банкротство Wolfspeed знаменует собой важный поворотный момент для отрасли SiC-полупроводников. Компания Wolfspeed, давний лидер в области технологий карбида кремния (SiC), на этой неделе объявила о банкротстве, что ознаменовало собой существенный сдвиг на мировом рынке SiC-полупроводников. Компания...Читать далее -
Комплексный анализ формирования напряжений в плавленом кварце: причины, механизмы и последствия
1. Термическое напряжение при охлаждении (основная причина). Плавленый кварц создает напряжение в условиях неравномерной температуры. При любой заданной температуре атомная структура плавленого кварца достигает относительно «оптимальной» пространственной конфигурации. При изменении температуры атомная...Читать далее -
Полное руководство по пластинам карбида кремния/SiC
Пластины карбида кремния (SiC) стали предпочтительным субстратом для мощных, высокочастотных и высокотемпературных электронных компонентов в автомобильной промышленности, возобновляемой энергетике и аэрокосмической отрасли. Наше портфолио охватывает ключевые политипы...Читать далее -
Комплексный обзор методов осаждения тонких пленок: MOCVD, магнетронное распыление и PECVD
В производстве полупроводников, хотя фотолитография и травление являются наиболее часто упоминаемыми процессами, эпитаксиальные методы, или методы осаждения тонких плёнок, не менее важны. В данной статье рассматриваются несколько распространённых методов осаждения тонких плёнок, используемых при изготовлении микросхем, включая MOCVD, магнитоэлектрофорез...Читать далее -
Сапфировые защитные трубки для термопар: повышение точности измерения температуры в суровых промышленных условиях
1. Измерение температуры – основа промышленного контроля. В современных отраслях промышленности, работающих во всё более сложных и экстремальных условиях, точный и надёжный мониторинг температуры становится всё более важным. Среди различных технологий измерения температуры термопары получили широкое распространение благодаря...Читать далее