Новости
-
LiTaO3 Wafer PIC — литий-танталатный волновод с низкими потерями для встроенной нелинейной фотоники
Аннотация: Разработан волновод на основе диэлектрика 1550 нм из танталата лития с потерями 0,28 дБ/см и добротностью кольцевого резонатора 1,1 миллиона. Изучено применение нелинейности χ(3) в нелинейной фотонике. Преимущества ниобата лития...Читать далее -
XKH-Обмен знаниями-Что такое технология нарезки пластин?
Технология нарезки пластин, как важнейший этап в процессе производства полупроводников, напрямую связана с производительностью чипов, производительностью и производственными затратами. #01 Предыстория и значение нарезки вафель 1.1 Определение нарезки вафель Нарезка вафель кубиками (также известная как нарезка вафель...Читать далее -
Тонкопленочный танталат лития (LTOI): новый звездный материал для высокоскоростных модуляторов?
Тонкопленочный материал танталата лития (LTOI) становится важной новой силой в области интегральной оптики. В этом году было опубликовано несколько высокоуровневых работ по модуляторам LTOI, причем высококачественные пластины LTOI были предоставлены профессором Синь Оу из Шанхайского института...Читать далее -
Глубокое понимание системы SPC в производстве пластин
SPC (статистический контроль процесса) — это важнейший инструмент в процессе производства пластин, используемый для мониторинга, контроля и повышения стабильности различных этапов производства. 1. Обзор системы SPC SPC — это метод, использующий ста...Читать далее -
Почему эпитаксия проводится на пластине-подложке?
Выращивание дополнительного слоя атомов кремния на подложке кремниевой пластины имеет ряд преимуществ: В процессах изготовления кремния КМОП эпитаксиальный рост (EPI) на подложке пластины является критически важным этапом процесса. 1. Улучшение качества кристаллов...Читать далее -
Принципы, процессы, методы и оборудование для очистки пластин
Влажная очистка (Wet Clean) — один из важнейших этапов в процессах производства полупроводников, направленный на удаление различных загрязнений с поверхности пластины для обеспечения возможности выполнения последующих этапов процесса на чистой поверхности. ...Читать далее -
Связь между кристаллическими плоскостями и ориентацией кристалла.
Кристаллические плоскости и ориентация кристаллов — две основные концепции кристаллографии, тесно связанные с кристаллической структурой в технологии интегральных схем на основе кремния. 1.Определение и свойства ориентации кристалла Ориентация кристалла представляет собой определенное направление...Читать далее -
Каковы преимущества процессов «Через стекло» (TGV) и «Сквозь кремний» TSV (TSV) по сравнению с TGV?
Преимущества процессов «сквозь стекло» (TGV) и «сквозь кремний» (TSV) по сравнению с TGV заключаются в следующем: (1) превосходные высокочастотные электрические характеристики. Стеклянный материал является изоляционным материалом, диэлектрическая проницаемость которого составляет всего около 1/3 от диэлектрической проницаемости кремниевого материала, а коэффициент потерь составляет 2-...Читать далее -
Применение проводящих и полуизолированных подложек из карбида кремния
Подложка из карбида кремния делится на полуизолирующий и проводящий тип. В настоящее время основная спецификация полуизолированных подложек из карбида кремния составляет 4 дюйма. В проводящем материале из карбида кремния ...Читать далее -
Существуют ли различия в применении сапфировых пластин с разной ориентацией кристаллов?
Сапфир представляет собой монокристалл оксида алюминия, принадлежит к трехчастной кристаллической системе, имеет гексагональную структуру, его кристаллическая структура состоит из трех атомов кислорода и двух атомов алюминия с ковалентной связью, расположенных очень близко, с прочной цепью связи и энергией решетки, в то время как его хрустальный интер...Читать далее -
В чем разница между проводящей подложкой SiC и полуизолированной подложкой?
Устройство из карбида кремния SiC относится к устройству, изготовленному из карбида кремния в качестве сырья. В соответствии с различными свойствами сопротивления они делятся на проводящие силовые устройства из карбида кремния и полуизолированные радиочастотные устройства из карбида кремния. Основные формы устройства и...Читать далее -
Статья приведет вас к мастерству TGV
Что такое ТГВ? TGV (Through-Glass via), технология создания сквозных отверстий в стеклянной подложке. Проще говоря, TGV — это высотное здание, которое пробивает, заполняет и соединяет стекло вверх и вниз для создания на нем интегральных схем. эт...Читать далее