Новости
-
Высокоточное лазерное оборудование для резки 8-дюймовых пластин SiC: основная технология для будущего производства пластин SiC
Карбид кремния (SiC) — это не только важнейшая технология для национальной обороны, но и ключевой материал для мировой автомобильной и энергетической промышленности. Резка пластин на пластины, являясь первым критически важным этапом обработки монокристаллов SiC, напрямую определяет качество последующего утонения и полировки. Tr...Читать далее -
Оптические карбидкремниевые волноводные просветляющие стекла: изготовление высокочистых полуизолирующих подложек
На фоне революции искусственного интеллекта очки дополненной реальности постепенно проникают в общественное сознание. Будучи парадигмой, органично сочетающей виртуальный и реальный миры, очки дополненной реальности отличаются от устройств виртуальной реальности тем, что позволяют пользователям воспринимать как цифровые проецируемые изображения, так и окружающий свет...Читать далее -
Гетероэпитаксиальный рост 3C-SiC на кремниевых подложках с различной ориентацией
1. Введение. Несмотря на десятилетия исследований, гетероэпитаксиальные кристаллы 3C-SiC, выращенные на кремниевых подложках, пока не достигли достаточного качества для применения в промышленной электронике. Рост обычно осуществляется на подложках Si(100) или Si(111), каждая из которых имеет свои особенности: антифазное распределение...Читать далее -
Керамика на основе карбида кремния против полупроводникового карбида кремния: один и тот же материал с двумя разными судьбами
Карбид кремния (SiC) — замечательное соединение, которое используется как в полупроводниковой промышленности, так и в производстве современных керамических изделий. Это часто приводит к путанице среди неспециалистов, которые могут ошибочно принять их за один и тот же тип продукции. В действительности, несмотря на идентичный химический состав, SiC проявляет...Читать далее -
Достижения в технологиях получения керамики из высокочистого карбида кремния
Керамика из высокочистого карбида кремния (SiC) стала идеальным материалом для критически важных компонентов в полупроводниковой, аэрокосмической и химической промышленности благодаря своей исключительной теплопроводности, химической стабильности и механической прочности. В связи с растущим спросом на высокопроизводительные, низкопол...Читать далее -
Технические принципы и процессы производства эпитаксиальных пластин светодиодов
Из принципа работы светодиодов очевидно, что материал эпитаксиальной пластины является основным компонентом светодиода. Фактически, ключевые оптоэлектронные параметры, такие как длина волны, яркость и прямое напряжение, во многом определяются материалом эпитаксиальной пластины. Технология и оборудование для производства эпитаксиальных пластин...Читать далее -
Ключевые моменты при получении высококачественного монокристалла карбида кремния
К основным методам получения монокристаллов кремния относятся: физический перенос пара (PVT), выращивание из раствора с затравкой сверху (TSSG) и высокотемпературное химическое осаждение из газовой фазы (HT-CVD). Метод PVT широко применяется в промышленном производстве благодаря простоте оборудования, простоте...Читать далее -
Ниобат лития на изоляторе (LNOI): движущая сила развития фотонных интегральных схем
Введение Вдохновленная успехом электронных интегральных схем (ЭИС), область фотонных интегральных схем (ФИС) развивалась с момента своего зарождения в 1969 году. Однако, в отличие от ЭИС, разработка универсальной платформы, способной поддерживать разнообразные фотонные приложения, остается...Читать далее -
Ключевые моменты при производстве высококачественных монокристаллов карбида кремния (SiC)
Ключевые моменты при производстве высококачественных монокристаллов карбида кремния (SiC) К основным методам выращивания монокристаллов карбида кремния относятся физический перенос паров (PVT), выращивание из раствора с затравкой сверху (TSSG) и высокотемпературная химическая...Читать далее -
Технология эпитаксиальных пластин светодиодов нового поколения: будущее освещения
Светодиоды освещают наш мир, и в основе каждого высокопроизводительного светодиода лежит эпитаксиальная пластина — важнейший компонент, определяющий его яркость, цвет и эффективность. Освоив науку эпитаксиального роста,...Читать далее -
Конец эпохи? Банкротство Wolfspeed меняет ландшафт SiC
Банкротство Wolfspeed знаменует собой важный поворотный момент для отрасли SiC-полупроводников. Компания Wolfspeed, давний лидер в области технологий карбида кремния (SiC), на этой неделе объявила о банкротстве, что ознаменовало собой существенный сдвиг на мировом рынке SiC-полупроводников. Компания...Читать далее -
Комплексный анализ формирования напряжений в плавленом кварце: причины, механизмы и последствия
1. Термическое напряжение при охлаждении (основная причина). Плавленый кварц создает напряжение в условиях неравномерной температуры. При любой заданной температуре атомная структура плавленого кварца достигает относительно «оптимальной» пространственной конфигурации. При изменении температуры атомная...Читать далее