Керамический лоток SiC, концевой эффектор, обработка пластин, компоненты, изготовленные на заказ
Краткое описание индивидуальных компонентов из керамики на основе карбида кремния и оксида алюминия
Керамические компоненты из карбида кремния (SiC) на заказ
Керамические компоненты из карбида кремния (SiC) – это высокопроизводительные промышленные керамические материалы, известные своейчрезвычайно высокая твердость, превосходная термическая стабильность, исключительная коррозионная стойкость и высокая теплопроводностьКерамические компоненты из карбида кремния (SiC) позволяют поддерживать структурную стабильностьвысокотемпературных средах, устойчивых к эрозии, вызываемой сильными кислотами, щелочами и расплавленными металламиКерамика SiC производится с помощью таких процессов, какспекание без давления, реакционное спекание или спекание в горячем прессеи могут быть изготовлены по индивидуальному заказу в сложных формах, включая механические уплотнительные кольца, втулки вала, сопла, печные трубы, пластинчатые лодочки и износостойкие футеровочные пластины.
Керамические компоненты из оксида алюминия на заказ
Керамические компоненты из оксида алюминия (Al₂O₃) подчеркивают индивидуальностьвысокая изоляция, хорошая механическая прочность и износостойкостьКерамические компоненты из оксида алюминия (Al₂O₃), классифицируемые по степени чистоты (например, 95%, 99%), с прецизионной механической обработкой позволяют использовать их для изготовления изоляторов, подшипников, режущих инструментов и медицинских имплантатов. Керамика из оксида алюминия в основном производитсяпроцессы сухого прессования, литья под давлением или изостатического прессования, с поверхностями, полируемыми до зеркального блеска.
XKH специализируется на исследованиях и разработках, а также индивидуальном производствекерамика из карбида кремния (SiC) и оксида алюминия (Al₂O₃)Изделия из керамики на основе карбида кремния (SiC) предназначены для использования в высокотемпературных, износостойких и коррозионных средах, охватывая полупроводниковые применения (например, пластины-лодочки, консольные лопатки, печные трубы), а также компоненты тепловых полей и высококачественные уплотнения для новых энергетических секторов. Изделия из оксида алюминия обладают изоляционными, герметизирующими и биомедицинскими свойствами, включая электронные подложки, механические уплотнительные кольца и медицинские имплантаты. Использование таких технологий, какизостатическое прессование, спекание без давления и прецизионная обработкаМы предлагаем высокопроизводительные индивидуальные решения для различных отраслей промышленности, включая полупроводники, фотоэлектрические системы, аэрокосмическую промышленность, медицину и химическую переработку, гарантируя, что компоненты будут соответствовать строгим требованиям к точности, долговечности и надежности в экстремальных условиях.
Керамические патроны SiC и шлифовальные диски CMP Введение
Керамические вакуумные зажимные приспособления SiC
Керамические вакуумные патроны из карбида кремния (SiC) представляют собой высокоточные адсорбционные инструменты, изготовленные из высокопроизводительного керамического материала на основе карбида кремния (SiC). Они специально разработаны для применений, требующих исключительной чистоты и стабильности, таких как полупроводниковая, фотоэлектрическая и прецизионная промышленность. Их основные преимущества включают в себя: зеркально отполированную поверхность (плоскостность контролируется в пределах 0,3–0,5 мкм), сверхвысокую жесткость и низкий коэффициент теплового расширения (обеспечивающий наностабильность формы и положения), чрезвычайно легкую конструкцию (значительно снижающую инерцию движения) и исключительную износостойкость (твердость по Моосу до 9,5, что значительно превышает срок службы металлических патронов). Эти свойства обеспечивают стабильную работу в условиях чередующихся высоких и низких температур, сильной коррозии и высокоскоростной обработки, существенно повышая производительность обработки и эффективность производства прецизионных компонентов, таких как пластины и оптические элементы.
Вакуумный держатель из карбида кремния (SiC) для метрологии и контроля
Этот высокоточный адсорбционный инструмент, разработанный для контроля дефектов пластин, изготовлен из карбида кремния (SiC) – керамического материала. Уникальная структура рельефной поверхности обеспечивает мощное вакуумное адсорбционное усилие, минимизируя площадь контакта с пластиной, предотвращая повреждение или загрязнение поверхности пластины и обеспечивая стабильность и точность во время контроля. Держатель отличается исключительной плоскостностью (0,3–0,5 мкм) и зеркально отполированной поверхностью, а также сверхмалым весом и высокой жесткостью, что обеспечивает устойчивость при высокоскоростном движении. Чрезвычайно низкий коэффициент теплового расширения гарантирует размерную стабильность при колебаниях температуры, а исключительная износостойкость продлевает срок службы. Изделие доступно в исполнениях 6, 8 и 12 дюймов для удовлетворения потребностей инспекции пластин различных размеров.
Патрон для крепления Flip Chip
Держатель для монтажа перевёрнутых кристаллов (Flip Chip Bonding) — ключевой компонент в процессах монтажа перевёрнутых кристаллов (Chip Flip Chip Bonding), специально разработанный для точной адсорбции пластин и обеспечения стабильности при высокоскоростной и высокоточной пайке. Он имеет зеркально отполированную поверхность (плоскостность/параллельность ≤1 мкм) и прецизионные газовые каналы для равномерной вакуумной адсорбции, предотвращая смещение и повреждение пластины. Высокая жёсткость и сверхнизкий коэффициент теплового расширения (близкий к кремнию) обеспечивают размерную стабильность в условиях высокотемпературной сварки, а материал высокой плотности (например, карбид кремния или специальная керамика) эффективно предотвращает проникновение газа, обеспечивая долговременную надёжность вакуумной системы. В совокупности эти характеристики обеспечивают точность сварки на микронном уровне и значительно повышают выход годных кристаллов.
Патрон для припоя SiC
Держатель из карбида кремния (SiC) – это ключевое приспособление в процессах сращивания кристаллов, специально разработанное для точной адсорбции и фиксации пластин, обеспечивая сверхстабильную работу в условиях высоких температур и давления. Изготовленный из керамики на основе карбида кремния высокой плотности (пористость <0,1%), он обеспечивает равномерное распределение адсорбционных сил (отклонение <5%) благодаря зеркальной полировке нанометрового уровня (шероховатость поверхности Ra <0,1 мкм) и прецизионным газовым каналам (диаметр пор: 5–50 мкм), предотвращая смещение пластины или повреждение поверхности. Его сверхнизкий коэффициент теплового расширения (4,5×10⁻⁶/℃) практически соответствует коэффициенту теплового расширения кремниевых пластин, что сводит к минимуму коробление, вызванное термическими напряжениями. В сочетании с высокой жёсткостью (модуль упругости >400 ГПа) и плоскостностью/параллельностью ≤1 мкм он гарантирует точность совмещения при склеивании. Широко используемый в корпусировании полупроводников, 3D-стекировании и интеграции чиплетов, он подходит для высокотехнологичных производственных приложений, требующих наномасштабной точности и термостабильности.
Шлифовальный диск CMP
Шлифовальный диск CMP является ключевым компонентом оборудования для химико-механической полировки (CMP), специально разработанным для надежной фиксации и стабилизации пластин во время высокоскоростной полировки, обеспечивая глобальную планаризацию на нанометровом уровне. Изготовленный из материалов высокой жесткости и плотности (например, керамики на основе карбида кремния или специальных сплавов), он обеспечивает равномерную вакуумную адсорбцию благодаря прецизионно спроектированным канавкам газовых каналов. Зеркально отполированная поверхность (плоскостность/параллельность ≤3 мкм) гарантирует контакт с пластинами без напряжений, а сверхнизкий коэффициент теплового расширения (соответствует кремнию) и внутренние каналы охлаждения эффективно подавляют термическую деформацию. Диск совместим с 12-дюймовыми (диаметром 750 мм) пластинами и использует технологию диффузионной сварки для обеспечения бесшовной интеграции и долговременной надежности многослойных структур в условиях высоких температур и давлений, что значительно повышает однородность и выход годных изделий в процессе химического литья под давлением.
Введение в различные детали из керамики SiC, изготовленные по индивидуальному заказу
Квадратное зеркало из карбида кремния (SiC)
Квадратное зеркало из карбида кремния (SiC) – это высокоточный оптический компонент, изготовленный из усовершенствованной карбидокремниевой керамики, специально разработанный для высокопроизводительного оборудования для производства полупроводников, такого как литографические машины. Благодаря рациональной конструкции (например, сотовой структуре с обратной стороны) оно отличается сверхмалым весом и высокой жесткостью (модуль упругости более 400 ГПа), а его чрезвычайно низкий коэффициент теплового расширения (≈4,5×10⁻⁶/℃) обеспечивает стабильность размеров при колебаниях температуры. Поверхность зеркала после прецизионной полировки достигает плоскостности/параллельности ≤1 мкм, а её исключительная износостойкость (твёрдость по шкале Мооса 9,5) продлевает срок службы. Зеркало широко используется в литографических станках, лазерных рефлекторах и космических телескопах, где крайне важны сверхвысокая точность и стабильность.
Воздушные направляющие из карбида кремния (SiC)
В воздушных направляющих из карбида кремния (SiC) используется технология бесконтактных аэростатических подшипников, где сжатый газ образует воздушную пленку микронного уровня (обычно 3–20 мкм), обеспечивающую плавное движение без трения и вибрации. Они обеспечивают нанометрическую точность перемещения (точность повторного позиционирования до ±75 нм) и субмикронную геометрическую точность (прямолинейность ±0,1–0,5 мкм, плоскостность ≤1 мкм) благодаря замкнутому контуру обратной связи с прецизионными решётками или лазерными интерферометрами. Керамический материал сердечника из карбида кремния (варианты включают серии Coresic® SP/Marvel Sic) обеспечивает сверхвысокую жесткость (модуль упругости >400 ГПа), сверхнизкий коэффициент теплового расширения (4,0–4,5×10⁻⁶/K, соответствующий кремнию) и высокую плотность (пористость <0,1%). Его лёгкая конструкция (плотность 3,1 г/см³, уступающая только алюминию) снижает инерцию движения, а исключительная износостойкость (твёрдость по шкале Мооса 9,5) и термостабильность обеспечивают долговременную надёжность в условиях высоких скоростей (1 м/с) и ускорений (4G). Эти направляющие широко используются в литографии полупроводников, инспекции пластин и сверхточной обработке.
Поперечные балки из карбида кремния (SiC)
Поперечные балки из карбида кремния (SiC) представляют собой основные компоненты движения, предназначенные для полупроводникового оборудования и высокотехнологичных промышленных приложений, и в первую очередь служат для перемещения столиков пластин и направления их по заданным траекториям для высокоскоростного и сверхточного движения. Используя высокопроизводительную керамику из карбида кремния (опции включают серии Coresic® SP или Marvel Sic) и легкую структурную конструкцию, они достигают сверхлегкого веса при высокой жесткости (модуль упругости >400 ГПа), а также сверхнизкого коэффициента теплового расширения (≈4,5×10⁻⁶/℃) и высокой плотности (пористость <0,1%), что гарантирует нанометрическую стабильность (плоскостность/параллельность ≤1 мкм) при термических и механических нагрузках. Их интегрированные свойства поддерживают высокоскоростные и высокоускоренные операции (например, 1 м/с, 4G), что делает их идеальными для литографических машин, систем контроля пластин и прецизионного производства, значительно повышая точность движения и эффективность динамического реагирования.
Компоненты движения из карбида кремния (SiC)
Компоненты движения из карбида кремния (SiC) – это критически важные компоненты, разработанные для высокоточных полупроводниковых систем движения. Они используют материалы SiC высокой плотности (например, серии Coresic® SP или Marvel Sic, пористость <0,1%) и обладают облегченной структурой, что обеспечивает сверхмалый вес при высокой жесткости (модуль упругости >400 ГПа). Благодаря сверхнизкому коэффициенту теплового расширения (≈4,5×10⁻⁶/℃) они обеспечивают нанометрическую стабильность (плоскостность/параллельность ≤1 мкм) при температурных колебаниях. Эти интегрированные свойства поддерживают высокоскоростные и высокоускоренные операции (например, 1 м/с, 4G), что делает их идеальными для литографических машин, систем контроля пластин и прецизионного производства, значительно повышая точность движения и эффективность динамического реагирования.
Пластина оптического пути из карбида кремния (SiC)
Оптическая пластина из карбида кремния (SiC) представляет собой базовую платформу, разработанную для систем с двойным оптическим путем в оборудовании для контроля пластин. Изготовленный из высокопроизводительной керамики на основе карбида кремния, он достигает сверхлегкого веса (плотность ≈3,1 г/см³) и высокой жесткости (модуль упругости >400 ГПа) за счет облегченной конструкции, при этом обладая сверхнизким коэффициентом теплового расширения (≈4,5×10⁻⁶/℃) и высокой плотностью (пористость <0,1%), что гарантирует нанометрическую стабильность (плоскостность/параллельность ≤0,02 мм) при термических и механических колебаниях. Благодаря большому максимальному размеру (900×900 мм) и исключительной производительности, он обеспечивает долговременную и стабильную монтажную базу для оптических систем, значительно повышая точность и надежность контроля. Он широко используется в полупроводниковой метрологии, оптической юстировке и высокоточных системах визуализации.
Направляющее кольцо с покрытием из графита и карбида тантала
Направляющее кольцо с покрытием из графита и карбида тантала — важнейший компонент, специально разработанный для установок выращивания монокристаллов карбида кремния (SiC). Его основная функция — точное направление потока высокотемпературного газа, обеспечивающее равномерность и стабильность температурных и скоростных полей в реакционной камере. Изготовленный из высокочистого графитового субстрата (чистота >99,99%) с покрытием из слоя карбида тантала (TaC), нанесенного методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) (содержание примесей в покрытии <5 ppm), он обладает исключительной теплопроводностью (≈120 Вт/м·К) и химической инертностью при экстремальных температурах (выдерживает до 2200 °C), эффективно предотвращая коррозию паров кремния и подавляя диффузию примесей. Высокая однородность покрытия (отклонение <3%, покрытие по всей площади) обеспечивает стабильное направление газа и долговременную надежность эксплуатации, значительно повышая качество и выход продукции при выращивании монокристаллов SiC.
Аннотация к трубчатой печи из карбида кремния (SiC)
Вертикальная трубчатая печь из карбида кремния (SiC)
Вертикальная труба печи из карбида кремния (SiC) – важнейший компонент высокотемпературного промышленного оборудования, в первую очередь выполняющий функцию внешней защитной трубы, обеспечивающей равномерное распределение тепла внутри печи в воздушной атмосфере. Типичная рабочая температура трубы составляет около 1200 °C. Изготовленная с использованием технологии интегрированной формовки на 3D-печати, она имеет содержание примесей в основном материале <300 ppm и может быть дополнительно оснащена покрытием из карбида кремния, нанесенным методом химического осаждения из газовой фазы (содержание примесей в покрытии <5 ppm). Сочетая в себе высокую теплопроводность (≈20 Вт/м·К) и исключительную термостойкость (выдерживает перепады температур >800 °C), он широко используется в высокотемпературных процессах, таких как термообработка полупроводников, спекание фотоэлектрических материалов и прецизионное производство керамики, значительно повышая тепловую однородность и долговременную надежность оборудования.
Горизонтальная трубчатая печь из карбида кремния (SiC)
Горизонтальная труба печи из карбида кремния (SiC) – это основной компонент, предназначенный для высокотемпературных процессов. Труба работает в газовой среде, содержащей кислород (реактивный газ), азот (защитный газ) и следы хлористого водорода. Типичная рабочая температура трубы составляет около 1250 °C. Изготовленная с использованием технологии интегрированной 3D-печати, она имеет содержание примесей в основном материале <300 ppm и может быть дополнительно оснащена покрытием из карбида кремния, нанесенным методом химического осаждения из газовой фазы (содержание примесей в покрытии <5 ppm). Сочетая в себе высокую теплопроводность (≈20 Вт/м·К) и исключительную термостойкость (выдерживает перепады температур >800 °C), он идеально подходит для сложных полупроводниковых применений, таких как окисление, диффузия и осаждение тонких пленок, гарантируя структурную целостность, чистоту атмосферы и долговременную термостойкость в экстремальных условиях.
Введение в керамические вилки SiC
Производство полупроводников
В производстве полупроводниковых пластин вилочные держатели из карбида кремния в основном используются для перемещения и позиционирования пластин и обычно встречаются в:
- Оборудование для обработки пластин: например, кассеты для пластин и технологические лодочки, которые стабильно работают в высокотемпературных и коррозионных технологических средах.
- Литографические машины: используются в прецизионных компонентах, таких как столы, направляющие и роботизированные манипуляторы, где их высокая жесткость и низкая тепловая деформация обеспечивают точность движения на уровне нанометров.
- Процессы травления и диффузии: их высокая чистота и коррозионная стойкость позволяют использовать их в качестве поддонов для травления ICP и компонентов для процессов диффузии полупроводников, предотвращая загрязнение в технологических камерах.
Промышленная автоматизация и робототехника
Керамические вилочные рычаги из SiC являются важнейшими компонентами высокопроизводительных промышленных роботов и автоматизированного оборудования:
- Роботизированные рабочие органы: используются для погрузочно-разгрузочных работ, сборки и точных операций. Их лёгкий вес (плотность ~3,21 г/см³) повышает скорость и эффективность робота, а высокая твёрдость (твёрдость по Виккерсу ~2500) обеспечивает исключительную износостойкость.
- Автоматизированные производственные линии: в ситуациях, требующих высокочастотной и высокоточной обработки (например, на складах электронной коммерции, на заводских складах), вилочные захваты из карбида кремния гарантируют долговременную и стабильную работу.
Аэрокосмическая промышленность и новая энергетика
В экстремальных условиях керамические вилки из SiC демонстрируют высокую термостойкость, коррозионную стойкость и стойкость к тепловым ударам:
- Авиационно-космическая промышленность: используется в важнейших компонентах космических аппаратов и беспилотных летательных аппаратов, где их малый вес и высокая прочность помогают снизить вес и повысить производительность.
- Новая энергия: применяется в производственном оборудовании для фотоэлектрической промышленности (например, диффузионные печи) и в качестве прецизионных структурных компонентов при производстве литий-ионных аккумуляторов.
Высокотемпературная промышленная обработка
Керамические вилки из SiC выдерживают температуру свыше 1600 °C, что делает их пригодными для:
- Металлургия, керамическая и стекольная промышленность: используется в высокотемпературных манипуляторах, установочных плитах и толкающих плитах.
- Ядерная энергетика: Благодаря своей радиационной стойкости они подходят для использования в некоторых компонентах ядерных реакторов.
Медицинское оборудование
В медицинской сфере вилкообразные керамические ручки из SiC в основном используются для:
- Медицинские роботы и хирургические инструменты: ценятся за свою биосовместимость, коррозионную стойкость и стабильность в условиях стерилизации.
Обзор покрытия SiC
| Типичные свойства | Единицы | Ценности |
| Структура |
| FCC β фаза |
| Ориентация | Фракция (%) | 111 предпочитаемых |
| Насыпная плотность | г/см³ | 3.21 |
| Твердость | твердость по Виккерсу | 2500 |
| Теплоемкость | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Тепловое расширение 100–600 °C (212–1112 °F) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Модуль Юнга | ГПа (изгиб 4 точки, 1300℃) | 430 |
| Размер зерна | мкм | 2~10 |
| Температура сублимации | ℃ | 2700 |
| Сила сгибания | МПа (RT 4-точечная) | 415 |
| Теплопроводность | (Вт/мК) | 300 |
Обзор конструкционных деталей из карбида кремния
Конструкционные элементы из карбидкремниевой керамики получают путем спекания частиц карбида кремния. Они широко используются в автомобильной, машиностроительной, химической, полупроводниковой, космической, микроэлектронной и энергетической отраслях, играя важнейшую роль в различных приложениях этих отраслей. Благодаря своим исключительным свойствам, конструкционные элементы из карбидкремниевой керамики стали идеальным материалом для работы в суровых условиях, включая высокие температуры, давление, коррозию и износ, обеспечивая надежную работу и долговечность в сложных условиях эксплуатации.Обзор деталей уплотнений SiC
Уплотнения из карбида кремния (SiC) идеально подходят для эксплуатации в суровых условиях (таких как высокие температуры, давление, коррозионные среды и высокоскоростной износ) благодаря своей исключительной твёрдости, износостойкости, стойкости к высоким температурам (выдерживают температуры до 1600°C и даже 2000°C) и коррозионной стойкости. Высокая теплопроводность способствует эффективному отводу тепла, а низкий коэффициент трения и самосмазывающиеся свойства обеспечивают надёжность уплотнения и длительный срок службы в экстремальных условиях эксплуатации. Благодаря этим характеристикам уплотнения из карбида кремния широко применяются в таких отраслях, как нефтехимия, горнодобывающая промышленность, производство полупроводников, очистка сточных вод и энергетика, значительно снижая затраты на техническое обслуживание, минимизируя время простоя и повышая эффективность и безопасность работы оборудования.
Краткое описание керамических пластин SiC
Керамические пластины из карбида кремния (SiC) известны своей исключительной твёрдостью (твёрдость по шкале Мооса до 9,5, уступая только алмазу), превосходной теплопроводностью (значительно превосходящей большинство керамических материалов по эффективности теплоотвода), а также исключительной химической инертностью и термостойкостью (выдерживают воздействие сильных кислот, щелочей и резких перепадов температур). Эти свойства обеспечивают структурную стабильность и надёжную работу в экстремальных условиях (например, при высоких температурах, абразивном износе и коррозии), продлевая срок службы и снижая потребность в техническом обслуживании.
Керамические пластины из карбида кремния широко используются в областях с высокими эксплуатационными характеристиками:
•Абразивные материалы и шлифовальные инструменты: использование сверхвысокой твердости для изготовления шлифовальных кругов и полировальных инструментов, повышение точности и долговечности в абразивных средах.
• Огнеупорные материалы: служат в качестве футеровки печей и компонентов печей, сохраняя стабильность при температуре выше 1600 °C, что позволяет повысить тепловой КПД и снизить затраты на техническое обслуживание.
•Полупроводниковая промышленность: используются в качестве подложек для мощных электронных устройств (например, силовых диодов и радиочастотных усилителей), поддерживают работу в условиях высокого напряжения и высоких температур для повышения надежности и энергоэффективности.
•Литье и плавка: замена традиционных материалов при обработке металлов для обеспечения эффективной теплопередачи и стойкости к химической коррозии, повышение качества металлургических изделий и экономической эффективности.
Аннотация лодочки из SiC
Керамические лодочки XKH SiC обеспечивают превосходную термическую стабильность, химическую инертность, точность проектирования и экономическую эффективность, представляя собой высокопроизводительное решение для производства полупроводников. Они значительно повышают безопасность, чистоту и эффективность обработки пластин, делая их незаменимыми компонентами в современных процессах изготовления пластин.
Керамические лодочки из SiC. Применение:
Керамические лодочки из SiC широко используются в передовых процессах производства полупроводников, включая:
•Процессы осаждения: такие как LPCVD (химическое осаждение из паровой фазы при низком давлении) и PECVD (плазменно-усиленное химическое осаждение из паровой фазы).
•Высокотемпературная обработка: включая термическое окисление, отжиг, диффузию и ионную имплантацию.
•Влажные процессы и процессы очистки: этапы очистки пластин и химической обработки.
Совместимость как с атмосферными, так и с вакуумными технологическими средами,
Они идеально подходят для предприятий, стремящихся минимизировать риски загрязнения и повысить эффективность производства.
Параметры лодочки из SiC-пластины:
| Технические свойства | ||||
| Индекс | Единица | Ценить | ||
| Название материала | Реакционно-спеченный карбид кремния | Спеченный без давления карбид кремния | Рекристаллизованный карбид кремния | |
| Состав | РБСиК | SSiC | R-SiC | |
| Насыпная плотность | г/см3 | 3 | 3,15 ± 0,03 | 2.60-2.70 |
| Прочность на изгиб | МПа (кфунтов на квадратный дюйм) | 338(49) | 380(55) | 80-90 (20°С) 90-100(1400°С) |
| Прочность на сжатие | МПа (кфунтов на квадратный дюйм) | 1120(158) | 3970(560) | > 600 |
| Твердость | Кноп | 2700 | 2800 | / |
| Сломить упорство | МПа м1/2 | 4.5 | 4 | / |
| Теплопроводность | Вт/мК | 95 | 120 | 23 |
| Коэффициент теплового расширения | 10-6.1/°С | 5 | 4 | 4.7 |
| Удельная теплоемкость | Джоуль/г 0k | 0,8 | 0,67 | / |
| Максимальная температура воздуха | ℃ | 1200 | 1500 | 1600 |
| Модуль упругости | Средний балл | 360 | 410 | 240 |
Дисплей различных индивидуальных компонентов из керамики SiC
Керамическая мембрана SiC
Керамическая мембрана SiC – это передовое решение для фильтрации, изготовленное из чистого карбида кремния, имеющее прочную трехслойную структуру (опорный слой, переходный слой и разделительная мембрана), разработанную с использованием высокотемпературных процессов спекания. Такая конструкция обеспечивает исключительную механическую прочность, точное распределение размеров пор и исключительную долговечность. Она превосходна в различных промышленных применениях, эффективно разделяя, концентрируя и очищая жидкости. Основные области применения включают очистку воды и сточных вод (удаление взвешенных частиц, бактерий и органических загрязнителей), производство продуктов питания и напитков (осветление и концентрирование соков, молочных продуктов и ферментированных жидкостей), фармацевтические и биотехнологические операции (очистка биожидкостей и промежуточных продуктов), химическую переработку (фильтрация коррозионных жидкостей и катализаторов), а также нефтегазовую отрасль (очистка пластовой воды и удаление загрязнений).
Трубы из карбида кремния
Трубки из карбида кремния (SiC) представляют собой высокопроизводительные керамические компоненты, предназначенные для систем полупроводниковых печей, изготовленные из высокочистого мелкозернистого карбида кремния с использованием передовых технологий спекания. Они обладают исключительной теплопроводностью, высокотемпературной стабильностью (выдерживают более 1600 °C) и стойкостью к химической коррозии. Их низкий коэффициент теплового расширения и высокая механическая прочность обеспечивают размерную стабильность при экстремальных термоциклических нагрузках, эффективно снижая деформацию под действием термических напряжений и износ. Трубки из карбида кремния подходят для диффузионных печей, окислительных печей и систем LPCVD/PECVD, обеспечивая равномерное распределение температуры и стабильные условия процесса для минимизации дефектов пластин и улучшения однородности осаждения тонких пленок. Кроме того, плотная непористая структура и химическая инертность карбида кремния противостоят эрозии под воздействием реактивных газов, таких как кислород, водород и аммиак, продлевая срок службы и обеспечивая чистоту процесса. Трубки из карбида кремния могут быть изготовлены по индивидуальному заказу по размеру и толщине стенок. Прецизионная обработка обеспечивает гладкую внутреннюю поверхность и высокую концентричность, что обеспечивает ламинарный поток и сбалансированный тепловой профиль. Полировка поверхности или нанесение покрытия дополнительно снижают образование частиц и повышают коррозионную стойкость, отвечая строгим требованиям к точности и надежности, предъявляемым к производству полупроводников.
Керамическая консольная лопатка из карбида кремния
Монолитная конструкция консольных лопаток из SiC значительно повышает механическую прочность и тепловую однородность, устраняя при этом стыки и слабые места, характерные для композитных материалов. Их поверхность прецизионно полируется до почти зеркального состояния, что сводит к минимуму образование частиц и соответствует стандартам чистых помещений. Собственная химическая инертность SiC предотвращает газовыделение, коррозию и загрязнение процесса в реактивных средах (например, кислород, пар), обеспечивая стабильность и надежность в процессах диффузии/окисления. Несмотря на быстрые термоциклы, SiC сохраняет структурную целостность, продлевая срок службы и сокращая время простоя при техническом обслуживании. Легкость SiC обеспечивает более быструю тепловую реакцию, ускоряя нагрев/охлаждение и повышая производительность и энергоэффективность. Эти лопатки доступны в настраиваемых размерах (совместимы с пластинами от 100 мм до 300 мм и более) и адаптируются к различным конструкциям печей, обеспечивая стабильную производительность как в начальных, так и в конечных процессах производства полупроводников.
Введение в вакуумный патрон для оксида алюминия
Вакуумные зажимные приспособления Al₂O₃ являются важнейшими инструментами в производстве полупроводников, обеспечивая стабильную и точную поддержку в различных процессах:•Утончение: обеспечивает равномерную поддержку во время утончения пластины, гарантируя высокоточное уменьшение подложки для улучшения рассеивания тепла кристалла и производительности устройства.
•Нарезка: обеспечивает надежную адсорбцию во время нарезки пластин, сводя к минимуму риск повреждения и гарантируя чистоту резки отдельных чипов.
•Очистка: гладкая, однородная адсорбционная поверхность обеспечивает эффективное удаление загрязнений без повреждения пластин в процессе очистки.
• Транспортировка: обеспечивает надежную и безопасную поддержку при обработке и транспортировке пластин, снижая риск повреждения и загрязнения.
1. Технология однородной микропористой керамики
•Использует нанопорошки для создания равномерно распределенных и взаимосвязанных пор, что обеспечивает высокую пористость и равномерно плотную структуру для последовательной и надежной поддержки пластин.
2. Исключительные свойства материала
-Изготовленный из сверхчистого 99,99% оксида алюминия (Al₂O₃), он обладает:
•Тепловые свойства: Высокая термостойкость и отличная теплопроводность, подходит для высокотемпературных полупроводниковых сред.
•Механические свойства: Высокая прочность и твердость обеспечивают долговечность, износостойкость и длительный срок службы.
•Дополнительные преимущества: высокая электроизоляция и коррозионная стойкость, адаптируемость к различным производственным условиям.
3. Превосходная плоскостность и параллельность•Обеспечивает точную и стабильную обработку пластин, обеспечивая их высокую плоскостность и параллельность, минимизируя риск повреждения и гарантируя стабильные результаты обработки. Хорошая воздухопроницаемость и равномерная адсорбционная способность дополнительно повышают эксплуатационную надежность.
Вакуумный зажимной патрон Al₂O₃ сочетает в себе передовую микропористую технологию, исключительные свойства материала и высокую точность для поддержки критически важных процессов обработки полупроводников, гарантируя эффективность, надежность и контроль загрязнений на этапах утонения, резки, очистки и транспортировки.
Краткое описание роботизированной руки из оксида алюминия и концевого эффектора из оксидной керамики
Роботизированные манипуляторы из керамики на основе оксида алюминия (Al₂O₃) являются важнейшими компонентами для обработки пластин в производстве полупроводников. Они непосредственно контактируют с пластинами и обеспечивают точную передачу и позиционирование в сложных условиях, таких как вакуум или высокие температуры. Их основная ценность заключается в обеспечении безопасности пластин, предотвращении загрязнения и повышении эффективности работы оборудования и производительности благодаря исключительным свойствам материала.
| Измерение характеристик | Подробное описание |
| Механические свойства | Высокочистый оксид алюминия (например, >99%) обеспечивает высокую твердость (твердость по шкале Мооса до 9) и прочность на изгиб (до 250-500 МПа), гарантируя износостойкость и отсутствие деформаций, тем самым продлевая срок службы.
|
| Электроизоляция | Удельное сопротивление при комнатной температуре до 10¹⁵ Ом·см и прочность изоляции 15 кВ/мм эффективно предотвращают электростатический разряд (ESD), защищая чувствительные пластины от электрических помех и повреждений.
|
| Термическая стабильность | Температура плавления до 2050 °C позволяет выдерживать высокотемпературные процессы (например, RTA, CVD) в производстве полупроводников. Низкий коэффициент теплового расширения минимизирует деформацию и сохраняет размерную стабильность при нагревании.
|
| Химическая инертность | Инертен к большинству кислот, щелочей, технологических газов и чистящих средств, предотвращая загрязнение частицами и выброс ионов металлов. Это обеспечивает сверхчистую производственную среду и предотвращает загрязнение поверхности пластин.
|
| Другие преимущества | Отработанная технология обработки обеспечивает высокую экономическую эффективность: поверхности можно точно полировать до минимальной шероховатости, что еще больше снижает риск образования твердых частиц.
|
Роботизированные руки из алюмооксидной керамики в основном используются в первоначальных процессах производства полупроводников, включая:
•Обработка и позиционирование пластин: безопасный и точный перенос и позиционирование пластин (например, размером от 100 мм до 300 мм и более) в вакууме или среде инертного газа высокой чистоты, сводя к минимуму риски повреждения и загрязнения.
• Высокотемпературные процессы: такие как быстрый термический отжиг (RTA), химическое осаждение из газовой фазы (CVD) и плазменное травление, где они сохраняют стабильность при высоких температурах, обеспечивая постоянство процесса и выход годного.
•Автоматизированные системы обработки пластин: интегрированы в роботы по обработке пластин в качестве конечных исполнительных органов для автоматизации передачи пластин между оборудованием, повышая эффективность производства.
Заключение
Компания XKH специализируется на исследованиях и разработках, а также производстве керамических компонентов из карбида кремния (SiC) и оксида алюминия (Al₂O₃) по индивидуальному заказу, включая роботизированные манипуляторы, консольные лопасти, вакуумные зажимы, лодочки для пластин, печные трубы и другие высокопроизводительные компоненты, используемые в полупроводниковой промышленности, новой энергетике, аэрокосмической промышленности и высокотемпературных отраслях. Мы придерживаемся принципов точного производства, строгого контроля качества и технологических инноваций, используя передовые методы спекания (например, спекание без давления, реакционное спекание) и методы прецизионной обработки (например, шлифование с ЧПУ, полирование) для обеспечения исключительной термостойкости, механической прочности, химической инертности и точности размеров. Мы поддерживаем изготовление изделий на заказ по чертежам, предлагая индивидуальные решения по размерам, формам, отделке поверхности и сортам материалов в соответствии с конкретными требованиями клиентов. Мы стремимся поставлять надежные и эффективные керамические компоненты для мирового высокотехнологичного производства, повышая производительность оборудования и эффективность производства для наших клиентов.
Сопутствующие товары
-
Шарик из карбида кремния, диаметр 3 мм Керамический...
-
Призма/зеркало из карбида кремния для инфракрасной оптики...
-
Балка из карбида кремния Балка из карбида кремния Переопредел...
-
Керамическая рука из оксида алюминия, керамическая роботизированная рука на заказ
-
Поликристаллическая керамика из оксида алюминия Al2O3 по индивидуальному заказу...
-
Керамический поддон SiC Керамические присоски...