English

Автоматизированная четырехступенчатая линия полировки кремниевых/карбидкремниевых (SiC) пластин (интегрированная линия постполировки)

Четырехступенчатая автоматизированная линия полировки кремниевых/карбидкремниевых (SiC) пластин (интегрированная линия постполировки). Изображение на обложке.
  • Автоматизированная четырехступенчатая линия полировки кремниевых/карбидкремниевых (SiC) пластин (интегрированная линия постполировки)
  • Автоматизированная четырехступенчатая линия полировки кремниевых/карбидкремниевых (SiC) пластин (интегрированная линия постполировки)
  • Автоматизированная четырехступенчатая линия полировки кремниевых/карбидкремниевых (SiC) пластин (интегрированная линия постполировки)
  • Автоматизированная четырехступенчатая линия полировки кремниевых/карбидкремниевых (SiC) пластин (интегрированная линия постполировки)
  • Автоматизированная четырехступенчатая линия полировки кремниевых/карбидкремниевых (SiC) пластин (интегрированная линия постполировки)
  • Автоматизированная четырехступенчатая линия полировки кремниевых/карбидкремниевых (SiC) пластин (интегрированная линия постполировки)

Краткое описание:

Эта четырехступенчатая автоматизированная линия полировки представляет собой интегрированное поточное решение, разработанное дляпослеполировка / после CMPоперациикремнийикарбид кремния (SiC)вафли. Построено на основекерамические носители (керамические пластины)Система объединяет множество последующих задач в одну скоординированную линию, помогая предприятиям сократить ручную обработку, стабилизировать тактовое время и усилить контроль за загрязнением.

 


Функции

Подробная схема

6
Автоматизированная четырехступенчатая линия полировки кремниевых/карбидкремниевых (SiC) пластин (интегрированная линия постполировки)4

Обзор

Эта четырехступенчатая автоматизированная линия полировки представляет собой интегрированное поточное решение, разработанное дляпослеполировка / после CMPоперациикремнийикарбид кремния (SiC)вафли. Построено на основекерамические носители (керамические пластины)Система объединяет множество последующих задач в одну скоординированную линию, помогая предприятиям сократить ручную обработку, стабилизировать тактовое время и усилить контроль за загрязнением.

 

В полупроводниковом производстве,эффективная очистка после CMPшироко признан ключевым этапом снижения количества дефектов перед следующим процессом, а также передовыми подходами (включаямегазвуковая очистка) часто обсуждаются с целью повышения эффективности удаления частиц.

 

В частности, для SiC этовысокая твердость и химическая инертностьПолировка представляет собой сложную задачу (часто связанную с низкой скоростью удаления материала и повышенным риском повреждения поверхности/подповерхностного слоя), что делает особенно ценными стабильную автоматизацию процесса после полировки и контролируемую очистку/обработку.

Основные преимущества

Единая интегрированная линия, поддерживающая:

  • Разделение и сбор пластин(после полировки)

  • Керамический носитель для буферизации/хранения

  • Очистка керамического носителя

  • Нанесение (приклеивание) пластины на керамические подложки

  • Единая, комплексная операция длявафли диаметром 6–8 дюймов

Технические характеристики (из прилагаемого технического паспорта)

  • Габариты оборудования (Д×Ш×В):13643 × 5030 × 2300 мм

  • Источник питания:Переменный ток 380 В, 50 Гц

  • Суммарная мощность:119 кВт

  • Чистота монтажа:0,5 мкм < 50 шт.; 5 мкм < 1 шт.

  • Плоскостность при монтаже:≤ 2 мкм

Справочная информация о производительности (из прилагаемого технического описания)

  • Габариты оборудования (Д×Ш×В):13643 × 5030 × 2300 мм

  • Источник питания:Переменный ток 380 В, 50 Гц

  • Суммарная мощность:119 кВт

  • Чистота монтажа:0,5 мкм < 50 шт.; 5 мкм < 1 шт.

  • Плоскостность при монтаже:≤ 2 мкм

Типичный поток по трубопроводу

  1. Подача/интерфейс из зоны полировки, расположенной выше по потоку.

  2. Разделение и сбор пластин

  3. Буферизация/хранение с использованием керамических носителей (развязка по тактовому времени)

  4. Очистка керамического носителя

  5. Монтаж кремниевых пластин на подложки (с контролем чистоты и плоскостности).

  6. Подача сырья в последующий технологический процесс или логистику.

Часто задаваемые вопросы

В1: Какие основные проблемы решает эта линия?
A: Это оптимизирует операции после полировки, интегрируя разделение/сбор пластин, буферизацию керамических носителей, очистку носителей и установку пластин в единую скоординированную автоматизированную линию, что сокращает количество ручных операций и стабилизирует ритм производства.

 

В2: Какие материалы и размеры кремниевых пластин поддерживаются?
А:Кремний и SiC,6–8 дюймовпластины (в соответствии с предоставленной спецификацией).

 

В3: Почему в отрасли уделяется особое внимание очистке после CMP?
А: В отраслевой литературе отмечается рост спроса на эффективную очистку после химико-механической полировки (CMP) с целью снижения плотности дефектов перед следующим этапом; для улучшения удаления частиц обычно изучаются подходы, основанные на использовании мегазвука.

О нас

Компания XKH специализируется на высокотехнологичной разработке, производстве и продаже специального оптического стекла и новых кристаллических материалов. Наша продукция используется в оптической электронике, бытовой электронике и военной промышленности. Мы предлагаем сапфировые оптические компоненты, защитные крышки для объективов мобильных телефонов, керамику, LT, карбид кремния (SIC), кварц и полупроводниковые кристаллические пластины. Благодаря высококвалифицированным специалистам и современному оборудованию мы преуспеваем в обработке нестандартной продукции, стремясь стать ведущим высокотехнологичным предприятием в области оптоэлектронных материалов.

567
  • Предыдущий:
  • Следующий:

    • Сопутствующие товары

    Напишите здесь своё сообщение и отправьте его нам.
    Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.