p-тип 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC подложка 4 дюйма 〈111〉± 0,5°Ноль MPD

Краткое описание:

Подложка из карбида кремния P-типа 4H/6H-P 3C-N, размером 4 дюйма, с ориентацией 〈111〉± 0,5° и нулевым уровнем микротрубчатых дефектов (Zero MPD), представляет собой высокоэффективный полупроводниковый материал, разработанный для производства современных электронных устройств. Известная своей превосходной теплопроводностью, высоким напряжением пробоя и высокой устойчивостью к высоким температурам и коррозии, эта подложка идеально подходит для силовой электроники и радиочастотных приложений. Нулевой уровень MPD гарантирует минимальное количество дефектов, обеспечивая надежность и стабильность высокопроизводительных устройств. Точная ориентация 〈111〉± 0,5° обеспечивает точное выравнивание во время изготовления, что делает ее подходящей для крупномасштабных производственных процессов. Эта подложка широко используется в высокотемпературных, высоковольтных и высокочастотных электронных устройствах, таких как преобразователи мощности, инверторы и радиочастотные компоненты.


Функции

Таблица общих параметров композитных подложек из карбида кремния типа 4H/6H-P

4 дюймовый диаметр кремнияКарбидная (SiC) подложка Спецификация

 

Оценка Производство нулевого MPD

Класс (Z) Оценка)

Стандартное производство

Оценка (P) Оценка)

 

Оценка фиктивного образца (D Оценка)

Диаметр 99,5 мм~100,0 мм
Толщина 350 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины Вне оси: 2,0°-4,0° в сторону [11]2(-)0] ± 0,5° для 4H/6H-P, OОсь n: 〈111〉± 0,5° для 3C-N
Плотность микротрубок 0 см-2
Сопротивление p-тип 4H/6H-P ≤0,1 Омꞏсм ≤0,3 Омꞏсм
n-тип 3C-N ≤0,8 мОмꞏсм ≤1 м Омꞏсм
Ориентация основной квартиры 4H/6H-P -

{1010} ± 5,0°

3C-N -

{110} ± 5,0°

Основная плоская длина 32,5 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская длина 18,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная ориентация квартиры Кремниевая поверхность вверх: 90° по часовой стрелке от плоской поверхности Prime.±5,0°
Исключение края 3 мм 6 мм
LTV/TTV/Bow/Warp ≤2,5 мкм/≤5 мкм/≤15 мкм/≤30 мкм ≤10 мкм/≤15 мкм/≤25 мкм/≤40 мкм
Шероховатость Польское Ra≤1 нм
CMP Ra≤0,2 нм Ra≤0,5 нм
Трещины по краям, возникающие под воздействием света высокой интенсивности. Никто Суммарная длина ≤ 10 мм, длина одного образца ≤ 2 мм
Шестигранные пластины, освещенные светом высокой интенсивности. Суммарная площадь ≤0,05% Суммарная площадь ≤0,1%
Политипные участки при высокой интенсивности света Никто Суммарная площадь ≤3%
Визуальные включения углерода Суммарная площадь ≤0,05% Суммарная площадь ≤3%
Поверхность кремния царапается под воздействием света высокой интенсивности. Никто Суммарная длина ≤ 1 × диаметр пластины
Сколы на кромках, вызванные высокой интенсивностью света. Не допускается использование материалов шириной и глубиной ≥0,2 мм. Допускается 5, ≤1 мм каждый
Загрязнение поверхности кремния высокоинтенсивным излучением Никто
Упаковка Многопластинчатая кассета или контейнер для одной пластины

Примечания:

※Предельные значения дефектов распространяются на всю поверхность пластины, за исключением зоны исключения по краям. # Царапины следует проверять только на кремниевой поверхности.

Подложка из карбида кремния (SiC) P-типа 4H/6H-P 3C-N размером 4 дюйма с ориентацией 〈111〉± 0,5° и классом Zero MPD широко используется в высокопроизводительных электронных устройствах. Ее превосходная теплопроводность и высокое напряжение пробоя делают ее идеальной для силовой электроники, такой как высоковольтные переключатели, инверторы и преобразователи мощности, работающие в экстремальных условиях. Кроме того, устойчивость подложки к высоким температурам и коррозии обеспечивает стабильную работу в суровых условиях. Точная ориентация 〈111〉± 0,5° повышает точность изготовления, что делает ее подходящей для радиочастотных устройств и высокочастотных приложений, таких как радиолокационные системы и оборудование беспроводной связи.

К преимуществам композитных подложек из карбида кремния N-типа относятся:

1. Высокая теплопроводность: эффективное рассеивание тепла, что делает его пригодным для использования в условиях высоких температур и в мощных устройствах.
2. Высокое напряжение пробоя: Обеспечивает надежную работу в высоковольтных приложениях, таких как преобразователи мощности и инверторы.
3. Нулевой уровень дефектов микротрубок (MPD): гарантирует минимальное количество дефектов, обеспечивая стабильность и высокую надежность в критически важных электронных устройствах.
4. Коррозионная стойкость: Долговечность в суровых условиях, обеспечивающая длительную функциональность в сложных условиях эксплуатации.
5. Точная ориентация 〈111〉± 0,5°: обеспечивает точное выравнивание во время производства, улучшая характеристики устройства в высокочастотных и радиочастотных приложениях.

 

В целом, 4-дюймовая подложка из карбида кремния P-типа 4H/6H-P 3C-N с ориентацией 〈111〉± 0,5° и классом Zero MPD представляет собой высокоэффективный материал, идеально подходящий для передовых электронных приложений. Его превосходная теплопроводность и высокое напряжение пробоя делают его идеальным для силовой электроники, такой как высоковольтные переключатели, инверторы и преобразователи. Класс Zero MPD обеспечивает минимальное количество дефектов, гарантируя надежность и стабильность в критически важных устройствах. Кроме того, устойчивость подложки к коррозии и высоким температурам обеспечивает долговечность в суровых условиях. Точная ориентация 〈111〉± 0,5° обеспечивает точное выравнивание во время производства, что делает его очень подходящим для радиочастотных устройств и высокочастотных приложений.

Подробная схема

б4
б3

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь своё сообщение и отправьте его нам.