Новости о продукции
-
Технология очистки полупроводниковых пластин в производстве полупроводников.
Технология очистки пластин в полупроводниковом производстве. Очистка пластин является критически важным этапом на протяжении всего процесса производства полупроводников и одним из ключевых факторов, напрямую влияющих на производительность устройств и выход годной продукции. Во время изготовления чипов даже малейшее загрязнение...Читать далее -
Технологии очистки кремниевых пластин и техническая документация.
Содержание 1. Основные цели и важность очистки кремниевых пластин 2. Оценка загрязнений и передовые аналитические методы 3. Передовые методы очистки и технические принципы 4. Технические аспекты реализации и основы управления процессом 5. Будущие тенденции и инновационные направления 6. X...Читать далее -
Свежевыращенные монокристаллы
Монокристаллы встречаются в природе редко, и даже если они и обнаруживаются, то обычно очень малы — как правило, в масштабе миллиметра (мм) — и их трудно добыть. Сообщается, что алмазы, изумруды, агаты и т. д. попадают в оборот, не говоря уже о промышленном применении; большинство из них демонстрируются...Читать далее -
Крупнейший покупатель высокочистого глинозема: насколько хорошо вы разбираетесь в сапфирах?
Кристаллы сапфира выращиваются из порошка высокочистого оксида алюминия с чистотой >99,995%, что делает их наиболее востребованными в сегменте высокочистого оксида алюминия. Они обладают высокой прочностью, твердостью и стабильными химическими свойствами, что позволяет использовать их в суровых условиях, таких как высокие температуры...Читать далее -
Что означают TTV, BOW, WARP и TIR в кремниевых пластинах?
При исследовании полупроводниковых кремниевых пластин или подложек, изготовленных из других материалов, мы часто сталкиваемся с техническими показателями, такими как: TTV, BOW, WARP, а также, возможно, TIR, STIR, LTV и другими. Какие параметры они представляют? TTV — общее изменение толщины; BOW — изгиб; WARP — деформация; TIR — ...Читать далее -
Высокоточное лазерное оборудование для нарезки 8-дюймовых кремниево-карбидных пластин: ключевая технология для обработки кремниево-карбидных пластин будущего.
Карбид кремния (SiC) — это не только важнейшая технология для национальной обороны, но и ключевой материал для мировой автомобильной и энергетической промышленности. Нарезка пластины, являющаяся первым критически важным этапом в обработке монокристаллов SiC, напрямую определяет качество последующего утонения и полировки. ...Читать далее -
Оптические волноводные антибликовые стекла из карбида кремния: изготовление полуизолирующих подложек высокой чистоты.
На фоне революции в области искусственного интеллекта очки дополненной реальности постепенно входят в общественное сознание. Будучи парадигмой, органично сочетающей виртуальный и реальный миры, очки дополненной реальности отличаются от устройств виртуальной реальности тем, что позволяют пользователям одновременно воспринимать как цифровые проецируемые изображения, так и окружающий свет...Читать далее -
Гетероэпитаксиальный рост 3C-SiC на кремниевых подложках с различной ориентацией.
1. Введение. Несмотря на десятилетия исследований, гетероэпитаксиальный 3C-SiC, выращенный на кремниевых подложках, до сих пор не достиг достаточного качества кристалла для промышленного применения в электронике. Рост обычно осуществляется на подложках Si(100) или Si(111), каждая из которых представляет собой определенные проблемы: антифаза...Читать далее -
Керамика из карбида кремния против полупроводникового карбида кремния: один и тот же материал с двумя разными судьбами.
Карбид кремния (SiC) — это замечательное соединение, которое можно найти как в полупроводниковой промышленности, так и в современных керамических изделиях. Это часто приводит к путанице среди непрофессионалов, которые могут ошибочно принимать их за один и тот же тип продукции. В действительности, несмотря на идентичный химический состав, SiC проявляет...Читать далее -
Достижения в технологиях получения высокочистой керамики из карбида кремния
Высокочистая керамика на основе карбида кремния (SiC) стала идеальным материалом для критически важных компонентов в полупроводниковой, аэрокосмической и химической промышленности благодаря своей исключительной теплопроводности, химической стабильности и механической прочности. В условиях растущего спроса на высокоэффективные, низкополяризованные материалы...Читать далее -
Технические принципы и процессы эпитаксиального осаждения светодиодов из кремниевых пластин.
Исходя из принципа работы светодиодов, очевидно, что эпитаксиальный материал подложки является ключевым компонентом светодиода. Фактически, ключевые оптоэлектронные параметры, такие как длина волны, яркость и прямое напряжение, в значительной степени определяются эпитаксиальным материалом. Технология и оборудование для эпитаксиального осаждения...Читать далее -
Ключевые аспекты получения высококачественных монокристаллов карбида кремния.
К основным методам получения монокристаллов кремния относятся: физическая парофазная транспортировка (PVT), выращивание из раствора с затравкой сверху (TSSG) и высокотемпературное химическое осаждение из газовой фазы (HT-CVD). Среди них метод PVT широко применяется в промышленном производстве благодаря простоте оборудования и легкости выполнения...Читать далее