Новости отрасли
-
Раскрытие секретов поиска надежного поставщика кремниевых пластин
От смартфона в вашем кармане до датчиков в беспилотных автомобилях, кремниевые пластины составляют основу современных технологий. Несмотря на их повсеместное распространение, найти надежного поставщика этих важнейших компонентов может быть на удивление сложно. Эта статья предлагает новый взгляд на ключевые аспекты...Читать далее -
Стекло становится новой платформой для упаковки.
Стекло быстро становится основным материалом для терминальных рынков, в первую очередь центров обработки данных и телекоммуникаций. В центрах обработки данных оно лежит в основе двух ключевых элементов упаковки: архитектуры чипов и оптических входов/выходов (I/O). Его низкий коэффициент теплового расширения (КТР) и защита от глубокого ультрафиолетового излучения (ДУВ)...Читать далее -
Chiplet преобразил чипы.
В 1965 году сооснователь Intel Гордон Мур сформулировал то, что впоследствии стало «законом Мура». Более полувека он лежал в основе устойчивого роста производительности интегральных схем (ИС) и снижения их стоимости — фундамента современных цифровых технологий. Вкратце: количество транзисторов на чипе примерно вдвое превышает...Читать далее -
Основные сырьевые материалы для производства полупроводников: типы подложек для кремниевых пластин.
Подложки из кремниевых пластин как ключевые материалы в полупроводниковых приборах. Подложки из кремниевых пластин являются физическими носителями полупроводниковых приборов, и их материальные свойства напрямую определяют производительность, стоимость и области применения устройств. Ниже приведены основные типы подложек из кремниевых пластин, а также их преимущества...Читать далее -
Конец эпохи? Банкротство Wolfspeed меняет ландшафт SiC.
Банкротство Wolfspeed знаменует собой важный поворотный момент для полупроводниковой промышленности на основе карбида кремния (SiC). Компания Wolfspeed, давний лидер в области технологий карбида кремния (SiC), на этой неделе подала заявление о банкротстве, что знаменует собой значительный сдвиг на глобальном рынке полупроводников SiC. Компания...Читать далее -
Комплексный обзор методов осаждения тонких пленок: MOCVD, магнетронное распыление и PECVD.
В полупроводниковом производстве, хотя фотолитография и травление являются наиболее часто упоминаемыми процессами, методы эпитаксиального осаждения или осаждения тонких пленок имеют не меньшее значение. В этой статье представлены несколько распространенных методов осаждения тонких пленок, используемых при изготовлении микросхем, включая MOCVD, магнетронное осаждение и т.д.Читать далее -
Защитные трубки для термопар из сапфира: повышение точности измерения температуры в суровых промышленных условиях.
1. Измерение температуры – основа промышленного контроля. В условиях современной промышленности, работающей во все более сложных и экстремальных условиях, точный и надежный мониторинг температуры стал крайне важным. Среди различных технологий измерения температуры термопары получили широкое распространение благодаря…Читать далее -
Карбид кремния осветил очки дополненной реальности, открывая безграничные возможности для визуального восприятия.
История человеческих технологий часто рассматривается как неустанное стремление к «усовершенствованиям» — внешним инструментам, которые усиливают естественные возможности. Огонь, например, служил «дополнительным» элементом пищеварительной системы, высвобождая больше энергии для развития мозга. Радио, появившееся в конце XIX века, стало...Читать далее -
В будущем лазерная резка станет основной технологией для обработки 8-дюймовых листов карбида кремния. (Вопросы и ответы)
В: Какие основные технологии используются при нарезке и обработке кремниевых пластин? О: Карбид кремния (SiC) обладает твердостью, уступающей только алмазу, и считается очень твердым и хрупким материалом. Процесс нарезки, который включает в себя разрезание выращенных кристаллов на тонкие пластины, представляет собой…Читать далее -
Современное состояние и тенденции развития технологий обработки кремниевых карбидных пластин
В качестве полупроводникового подложечного материала третьего поколения монокристалл карбида кремния (SiC) имеет широкие перспективы применения в производстве высокочастотных и мощных электронных устройств. Технология обработки SiC играет решающую роль в производстве высококачественных подложек...Читать далее -
Восходящая звезда полупроводников третьего поколения: нитрид галлия – несколько новых точек роста в будущем.
По сравнению с устройствами на основе карбида кремния, силовые устройства на основе нитрида галлия будут обладать большими преимуществами в сценариях, где одновременно требуются эффективность, частота, объем и другие комплексные параметры, как это уже успешно реализовано в устройствах на основе нитрида галлия...Читать далее -
Развитие отечественной индустрии нитрида галлия ускорилось.
Внедрение силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN) стремительно растёт, в первую очередь благодаря китайским производителям бытовой электроники, и ожидается, что к 2027 году рынок силовых GaN-устройств достигнет 2 миллиардов долларов, по сравнению со 126 миллионами долларов в 2021 году. В настоящее время сектор бытовой электроники является основным драйвером роста рынка нитрида галлия...Читать далее