N-типа SiC на композитных подложках Si, диаметр 6 дюймов
| 等级Оценка | У 级 | П 级 | Д 级 |
| Низкая степень БЛД | Производственный класс | Оценка манекена | |
| 直径Диаметр | 150,0 мм±0,25 мм | ||
| 厚度Толщина | 500 мкм±25 мкм | ||
| 晶片方向Ориентация пластины | Вне оси: 4,0° в направлении < 11-20 > ±0,5° для 4H-N На оси: <0001>±0,5° для 4H-SI | ||
| 主定位边方向Основная квартира | {10-10}±5,0° | ||
| 主定位边长度Длина первичной плоскости | 47,5 мм±2,5 мм | ||
| 边缘исключение края | 3 мм | ||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Лук/Деформация | ≤15мкм /≤40мкм /≤60мкм | ||
| 微管密度和基面位错MPD&BPD | МПД≤1 см-2 | МПД≤5 см-2 | МПД≤15 см-2 |
| БПД≤1000см-2 | |||
| 电阻率Удельное сопротивление | ≥1E5 Ом·см | ||
| 表面粗糙度Шероховатость | Полировка Ra≤1 нм | ||
| CMP Ra≤0,5 нм | |||
| 裂纹(强光灯观测) # | Никто | Общая длина ≤10 мм, отдельная длина ≤2 мм | |
| Трещины от света высокой интенсивности | |||
| 六方空洞 (强光灯观测)* | Кумулятивная площадь ≤1% | Суммарная площадь ≤5% | |
| Шестигранные пластины с высокой интенсивностью света | |||
| 多型(强光灯观测)* | Никто | Кумулятивная площадь≤5% | |
| Политипные области, освещенные светом высокой интенсивности | |||
| 划痕(强光灯观测)*& | 3 царапины на 1 диаметр пластины | 5 царапин на 1 диаметр пластины | |
| Царапины от света высокой интенсивности | кумулятивная длина | кумулятивная длина | |
| 崩边# Крайний чип | Никто | допускается 5, ≤1 мм каждый | |
| 表面污染物（强光灯观测） | Никто | ||
| Загрязнение светом высокой интенсивности | |||
Подробная схема
