Кремниевые пластины HPSI SiC диаметром 3 дюйма и толщиной 350 мкм ± 25 мкм для силовой электроники.
Приложение
Кремниевые пластины HPSI SiC используются в широком спектре применений в силовой электронике, в том числе:
Силовые полупроводники:Кремниевые пластины (SiC) широко используются в производстве силовых диодов, транзисторов (MOSFET, IGBT) и тиристоров. Эти полупроводники широко применяются в системах преобразования энергии, требующих высокой эффективности и надежности, например, в промышленных электроприводах, источниках питания и инверторах для систем возобновляемой энергии.
Электромобили (EV):В силовых установках электромобилей силовые приборы на основе карбида кремния (SiC) обеспечивают более высокую скорость переключения, более высокую энергоэффективность и снижение тепловых потерь. Компоненты на основе SiC идеально подходят для применения в системах управления батареями (BMS), зарядной инфраструктуре и бортовых зарядных устройствах (OBC), где минимизация веса и максимизация эффективности преобразования энергии имеют решающее значение.
Возобновляемые энергетические системы:Кремниевые пластины на основе карбида кремния (SiC) все чаще используются в солнечных инверторах, генераторах ветротурбин и системах хранения энергии, где важны высокая эффективность и надежность. Компоненты на основе SiC обеспечивают более высокую удельную мощность и улучшенные характеристики в этих областях применения, повышая общую эффективность преобразования энергии.
Промышленная силовая электроника:В высокопроизводительных промышленных приложениях, таких как приводы двигателей, робототехника и крупномасштабные источники питания, использование кремниево-карбидных пластин позволяет повысить эффективность, надежность и теплоотвод. Устройства на основе карбида кремния способны работать на высоких частотах переключения и при высоких температурах, что делает их пригодными для эксплуатации в сложных условиях.
Телекоммуникации и центры обработки данных:Карбид кремния (SiC) используется в источниках питания телекоммуникационного оборудования и центров обработки данных, где высокая надежность и эффективное преобразование энергии имеют решающее значение. Силовые устройства на основе SiC обеспечивают более высокую эффективность при меньших размерах, что приводит к снижению энергопотребления и повышению эффективности охлаждения в крупномасштабных инфраструктурах.
Высокое напряжение пробоя, низкое сопротивление в открытом состоянии и превосходная теплопроводность кремниево-карбидных пластин делают их идеальной подложкой для этих передовых применений, что позволяет разрабатывать энергоэффективную силовую электронику следующего поколения.
Характеристики
| Свойство | Ценить |
| Диаметр пластины | 3 дюйма (76,2 мм) |
| Толщина пластины | 350 мкм ± 25 мкм |
| Ориентация пластины | <0001> по оси ± 0,5° |
| Плотность микротрубок (MPD) | ≤ 1 см⁻² |
| Электрическое сопротивление | ≥ 1E7 Ом·см |
| Допант | Нелегированный |
| Ориентация основной квартиры | {11-20} ± 5,0° |
| Основная плоская длина | 32,5 мм ± 3,0 мм |
| Вторичная плоская длина | 18,0 мм ± 2,0 мм |
| Вторичная ориентация квартиры | Кремниевая поверхность обращена вверх: 90° по часовой стрелке от основной плоской пластины ± 5,0° |
| Исключение края | 3 мм |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 мкм/10 мкм/±30 мкм/40 мкм |
| Шероховатость поверхности | Поверхность C: полированная, поверхность Si: CMP. |
| Трещины (проверка с помощью высокоинтенсивного света) | Никто |
| Шестигранные пластины (проверка с помощью высокоинтенсивного света) | Никто |
| Политипные участки (осмотрены при высокой интенсивности света) | Суммарная площадь 5% |
| Царапины (проверены при ярком освещении) | ≤ 5 царапин, суммарная длина ≤ 150 мм |
| Сколы кромки | Не допускается ширина и глубина ≥ 0,5 мм. |
| Поверхностное загрязнение (проверка с помощью высокоинтенсивного света) | Никто |
Основные преимущества
Высокая теплопроводность:Кремниевые пластины из карбида кремния известны своей исключительной способностью рассеивать тепло, что позволяет силовым устройствам работать с более высокой эффективностью и выдерживать более высокие токи без перегрева. Эта особенность имеет решающее значение в силовой электронике, где управление тепловым режимом является серьезной проблемой.
Высокое напряжение пробоя:Широкая запрещенная зона SiC позволяет устройствам выдерживать более высокие уровни напряжения, что делает их идеальными для высоковольтных применений, таких как электросети, электромобили и промышленное оборудование.
Высокая эффективность:Сочетание высоких частот переключения и низкого сопротивления в открытом состоянии приводит к созданию устройств с меньшими потерями энергии, что повышает общую эффективность преобразования энергии и снижает потребность в сложных системах охлаждения.
Надежность в суровых условиях:Карбид кремния (SiC) способен работать при высоких температурах (до 600 °C), что делает его пригодным для использования в средах, которые в противном случае повредили бы традиционные кремниевые устройства.
Экономия энергии:Силовые устройства на основе карбида кремния (SiC) повышают эффективность преобразования энергии, что имеет решающее значение для снижения энергопотребления, особенно в крупных системах, таких как промышленные преобразователи энергии, электромобили и инфраструктура возобновляемой энергетики.
Подробная схема
