Высокомощный эпитаксиальный лазер на основе подложки из арсенида галлия с длиной волны 905 нм для лазерного медицинского лечения.
Ключевые особенности лазерной эпитаксиальной пленки из GaAs включают в себя:
1. Высокая подвижность электронов: Арсенид галлия обладает высокой подвижностью электронов, что делает эпитаксиальные пластины GaAs перспективными для применения в высокочастотных и высокоскоростных электронных устройствах.
2. Люминесценция с прямым зонным переходом: Будучи материалом с прямым зонным переходом, арсенид галлия может эффективно преобразовывать электрическую энергию в световую в оптоэлектронных устройствах, что делает его идеальным для производства лазеров.
3. Длина волны: Лазеры на основе GaAs 905 обычно работают на длине волны 905 нм, что делает их пригодными для многих применений, включая биомедицину.
4. Высокая эффективность: благодаря высокой эффективности фотоэлектрического преобразования, устройство может эффективно преобразовывать электрическую энергию в лазерный луч.
5. Высокая выходная мощность: Он способен обеспечить высокую выходную мощность и подходит для применений, требующих мощного источника света.
6. Хорошие тепловые характеристики: материал GaAs обладает хорошей теплопроводностью, что способствует снижению рабочей температуры лазера и повышению стабильности.
7. Широкие возможности регулировки: выходную мощность можно регулировать, изменяя ток управления, для адаптации к различным требованиям применения.
Основные области применения эпитаксиальных таблеток на основе GaAs-лазера включают:
1. Волоконно-оптическая связь: эпитаксиальный слой GaAs можно использовать для изготовления лазеров в волоконно-оптической связи, обеспечивая высокоскоростную и дальнюю передачу оптических сигналов.
2. Промышленное применение: В промышленной сфере лазерная эпитаксиальная пленка из GaAs может использоваться для лазерной локации, лазерной маркировки и других применений.
3. VCSEL: Лазер с вертикальным резонатором и поверхностным излучением (VCSEL) является важной областью применения лазерной эпитаксиальной пленки GaAs, широко используемой в оптической связи, оптическом хранении данных и оптическом зондировании.
4. Инфракрасное излучение и точечное поле: эпитаксиальный слой GaAs, полученный методом лазерной эпитаксии, также может использоваться для производства инфракрасных лазеров, генераторов точечного излучения и других устройств, играя важную роль в инфракрасном детектировании, отображении света и других областях.
Получение эпитаксиальных слоев GaAs для лазерного роста в основном зависит от технологии эпитаксиального роста, включая металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы (MOCVD), молекулярно-лучевую эпитаксию (MBE) и другие методы. Эти методы позволяют точно контролировать толщину, состав и кристаллическую структуру эпитаксиального слоя для получения высококачественных эпитаксиальных слоев GaAs для лазерного роста.
Компания XKH предлагает изготовление эпитаксиальных листов GaAs различной структуры и толщины на заказ, охватывая широкий спектр применений в оптической связи, VCSEL, инфракрасной области и области световых пятен. Продукция XKH производится с использованием передового оборудования MOCVD, что обеспечивает высокую производительность и надежность. В плане логистики XKH располагает широкой сетью международных каналов поставок, что позволяет гибко обрабатывать заказы и предоставлять дополнительные услуги, такие как уточнение и подразделение. Эффективные процессы доставки гарантируют своевременную доставку и соответствие требованиям заказчика к качеству и срокам поставки. После получения товара клиенты получают всестороннюю техническую поддержку и послепродажное обслуживание, что обеспечивает бесперебойную эксплуатацию продукции.
Подробная схема
