Полуизолирующий слиток из карбида кремния 4H-SiC, 6 дюймов, муляж класса

6-дюймовый полуизоляционный слиток из карбида кремния 4H-SiC, пробный сорт. Изображение на обложке.

Краткое описание:

Карбид кремния (SiC) совершает революцию в полупроводниковой промышленности, особенно в областях применения, связанных с высокой мощностью, высокими частотами и радиационной стойкостью. 6-дюймовый полуизолирующий слиток 4H-SiC, предлагаемый в качестве образца, является незаменимым материалом для прототипирования, исследований и калибровки. Благодаря широкой запрещенной зоне, превосходной теплопроводности и механической прочности этот слиток представляет собой экономически выгодный вариант для тестирования и оптимизации процессов без ущерба для фундаментального качества, необходимого для перспективных разработок. Этот продукт подходит для различных применений, включая силовую электронику, радиочастотные (РЧ) устройства и оптоэлектронику, что делает его бесценным инструментом для промышленности и исследовательских учреждений.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Характеристики

1. Физические и структурные свойства
●Тип материала: Карбид кремния (SiC)
●Политип: 4H-SiC, гексагональная кристаллическая структура
●Диаметр: 6 дюймов (150 мм)
●Толщина: Настраиваемая (типичная толщина 5-15 мм для контрольного образца)
●Ориентация кристалла:
oОсновной: [0001] (С-плоскость)
Дополнительные опции: смещение от оси на 4° для оптимизации эпитаксиального роста.
●Основная ориентация плоскости: (10-10) ± 5°
●Ориентация вторичной плоскости: 90° против часовой стрелки от основной плоскости ± 5°

2. Электрические свойства
●Удельное сопротивление:
Полуизолирующий (>106^66 Ом·см), идеально подходит для минимизации паразитной емкости.
●Вид допинга:
oНепреднамеренное легирование, обеспечивающее высокое электрическое сопротивление и стабильность в широком диапазоне рабочих условий.

3. Тепловые свойства
●Теплопроводность: 3,5-4,9 Вт/см·К, что обеспечивает эффективное рассеивание тепла в мощных системах.
●Коэффициент теплового расширения: 4,2×10−64,2 × 10−64,2×10−6/K, что обеспечивает стабильность размеров при высокотемпературной обработке.

4. Оптические свойства
●Ширина запрещенной зоны: Широкая запрещенная зона 3,26 эВ, позволяющая работать при высоких напряжениях и температурах.
●Прозрачность: Высокая прозрачность для ультрафиолетового и видимого излучения, полезна для оптоэлектронных испытаний.

5. Механические свойства
●Твердость: по шкале Мооса 9, уступает только алмазу, что обеспечивает прочность при обработке.
●Плотность дефектов:
Контроль за минимальным количеством макродефектов обеспечивает достаточное качество для применения в качестве контрольного образца.
● Плоскостность: Равномерность с отклонениями

Параметр	Подробности	Единица
Оценка	Оценка фиктивного образца
Диаметр	150,0 ± 0,5	mm
Ориентация пластины	На оси: <0001> ± 0,5°	степень
Электрическое сопротивление	> 1E5	Ω·cm
Ориентация основной квартиры	{10-10} ± 5,0°	степень
Основная плоская длина	Вырез
Трещины (при осмотре с помощью высокоинтенсивного света)	< 3 мм в радиальном направлении	mm
Шестигранные пластины (для осмотра с помощью высокоинтенсивного света)	Суммарная площадь ≤ 5%	%
Полиморфные участки (инспекция при высокой интенсивности света)	Суммарная площадь ≤ 10%	%
Плотность микротрубок	< 50	см−2^-2−2
Сколы кромки	Допускается 3, каждый ≤ 3 мм	mm
Примечание	Толщина нарезанной пластины < 1 мм, > 70% (за исключением двух концов) соответствует вышеуказанным требованиям.

Приложения

1. Прототипирование и исследования
Образец шестидюймового слитка 4H-SiC является идеальным материалом для прототипирования и исследований, позволяя производителям и лабораториям:
●Проверка параметров процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD) или физического осаждения из паровой фазы (PVD).
● Разработка и совершенствование методов травления, полировки и нарезки пластин.
● Перед переходом на материалы серийного производства изучите новые конструкции устройств.

2. Калибровка и тестирование устройства
Благодаря своим полуизолирующим свойствам этот слиток незаменим для:
●Оценка и калибровка электрических свойств мощных и высокочастотных устройств.
● Моделирование рабочих условий для MOSFET-транзисторов, IGBT-транзисторов или диодов в испытательных средах.
●Служит экономически эффективной заменой высокочистым субстратам на ранних стадиях разработки.

3. Силовая электроника
Высокая теплопроводность и широкая запрещенная зона 4H-SiC обеспечивают эффективную работу в силовой электронике, в том числе:
● Высоковольтные источники питания.
● Инверторы для электромобилей (EV).
● Системы возобновляемой энергии, такие как солнечные инверторы и ветряные турбины.

4. Применение радиочастот (РЧ)
Низкие диэлектрические потери и высокая подвижность электронов в 4H-SiC делают его пригодным для:
● Радиочастотные усилители и транзисторы в коммуникационной инфраструктуре.
● Высокочастотные радиолокационные системы для аэрокосмической и оборонной отраслей.
● Компоненты беспроводных сетей для перспективных технологий 5G.

5. Радиационные устройства
Благодаря своей устойчивости к дефектам, вызванным радиацией, полуизолирующий 4H-SiC идеально подходит для:
● Оборудование для исследования космоса, включая спутниковую электронику и системы электропитания.
●Радиационно-стойкая электроника для ядерного мониторинга и управления.
●Оборонные приложения, требующие надежности в экстремальных условиях.

6. Оптоэлектроника
Оптическая прозрачность и широкая запрещенная зона 4H-SiC позволяют использовать его в:
●УФ-фотодетекторы и мощные светодиоды.
● Испытание оптических покрытий и методов обработки поверхностей.
●Разработка прототипов оптических компонентов для современных датчиков.

Преимущества материалов промежуточного качества

Экономическая эффективность:
Образец материала представляет собой более доступную альтернативу материалам исследовательского или производственного класса, что делает его идеальным для рутинных испытаний и совершенствования технологических процессов.

Возможность индивидуальной настройки:
Настраиваемые размеры и ориентация кристаллов обеспечивают совместимость с широким спектром применений.

Масштабируемость:
Диаметр в 6 дюймов соответствует отраслевым стандартам, что позволяет легко масштабировать производство до уровня, пригодного для серийного выпуска.

Устойчивость:
Высокая механическая прочность и термическая стабильность делают слиток долговечным и надежным в различных экспериментальных условиях.

Универсальность:
Подходит для различных отраслей промышленности, от энергетических систем до связи и оптоэлектроники.

Заключение

Полуизолирующий слиток из карбида кремния (4H-SiC) диаметром 6 дюймов (типовой сорт) представляет собой надежную и универсальную платформу для исследований, прототипирования и тестирования в передовых технологических отраслях. Его исключительные тепловые, электрические и механические свойства в сочетании с доступной ценой и возможностью индивидуальной настройки делают его незаменимым материалом как для академических кругов, так и для промышленности. От силовой электроники до радиочастотных систем и радиационно-стойких устройств, этот слиток поддерживает инновации на каждом этапе разработки.
Для получения более подробных технических характеристик или запроса коммерческого предложения, пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую. Наша техническая команда готова помочь вам разработать индивидуальные решения, отвечающие вашим требованиям.