Эпитаксиальные пластины 4H-SiC для сверхвысоковольтных MOSFET-транзисторов (100–500 мкм, 6 дюймов)

Краткое описание:

Быстрое развитие электромобилей, интеллектуальных энергосетей, систем возобновляемой энергии и мощного промышленного оборудования создало острую потребность в полупроводниковых приборах, способных выдерживать более высокие напряжения, более высокую плотность мощности и большую эффективность. Среди широкозонных полупроводников,карбид кремния (SiC)Отличительной чертой является широкая запрещенная зона, высокая теплопроводность и превосходная критическая напряженность электрического поля.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Подробная схема

Обзор продукта

НашЭпитаксиальные пластины 4H-SiCразработаны специально дляПрименение MOSFET-транзисторов сверхвысокого напряжения. С эпитаксиальными слоями, варьирующимися отот 100 мкм до 500 мкм on 6-дюймовые (150 мм) подложкиЭти пластины обеспечивают расширенные дрейфовые области, необходимые для устройств класса киловольт, сохраняя при этом исключительное качество кристалла и масштабируемость. Стандартная толщина составляет 100 мкм, 200 мкм и 300 мкм, возможна индивидуальная настройка.

Толщина эпитаксиального слоя

Эпитаксиальный слой играет решающую роль в определении характеристик MOSFET, в частности, в балансе междунапряжение пробояисопротивление включения.

100–200 мкмОптимизирован для MOSFET-транзисторов среднего и высокого напряжения, обеспечивая превосходный баланс эффективности проводимости и блокирующей способности.
200–500 мкмПодходит для устройств сверхвысокого напряжения (10 кВ и выше), обеспечивая длинные дрейфовые области для надежных характеристик пробоя.

Во всем диапазоне,Равномерность толщины контролируется в пределах ±2%.Это обеспечивает стабильность характеристик от пластины к пластине и от партии к партии. Такая гибкость позволяет разработчикам точно настраивать характеристики устройств для целевых классов напряжения, сохраняя при этом воспроизводимость в массовом производстве.

Производственный процесс

Наши пластины изготавливаются с использованиемсовременная CVD (химическое осаждение из паровой фазы) эпитаксиячто позволяет точно контролировать толщину, легирование и качество кристаллической структуры даже для очень толстых слоев.

Эпитаксия сердечно-сосудистых заболеваний– Газы высокой чистоты и оптимизированные условия обеспечивают гладкие поверхности и низкую плотность дефектов.
Рост толстого слоя– Запатентованные технологические рецептуры позволяют достигать эпитаксиальной толщины до500 мкмс превосходной однородностью.
Допинг-контроль– Регулируемая концентрация между1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ см⁻³с равномерностью лучше, чем ±5%.
Подготовка поверхности– Пластины подвергаютсяполировка CMPа также строгий контроль качества, обеспечивающий совместимость с передовыми процессами, такими как оксидирование затвора, фотолитография и металлизация.

Основные преимущества

Возможность работы при сверхвысоком напряжении– Толстые эпитаксиальные слои (100–500 мкм) поддерживают конструкции MOSFET-транзисторов класса kV.
Исключительное качество кристаллов– Низкая плотность дислокаций и дефектов в базисной плоскости обеспечивает надежность и минимизирует утечки.
Субстраты размером 6 дюймов– Поддержка крупносерийного производства, снижение себестоимости каждого устройства и совместимость с производственными площадками.
Превосходные тепловые свойства– Высокая теплопроводность и широкая запрещенная зона обеспечивают эффективную работу при высокой мощности и температуре.
Настраиваемые параметры– Толщина, легирование, ориентация и качество поверхности могут быть подобраны в соответствии с конкретными требованиями.

Типовые характеристики

Параметр	Спецификация
Тип проводимости	N-типа (легированный азотом)
Сопротивление	Любой
Угол отклонения от оси	4° ± 0,5° (в направлении [11-20])
Ориентация кристалла	(0001) Si-грань
Толщина	200–300 мкм (возможно изменение размера до 100–500 мкм)
Отделка поверхности	Лицевая сторона: полированная методом CMP (готовая к эпиляции). Обратная сторона: притертая или полированная.
ТТВ	≤ 10 мкм
Лук/Искривление	≤ 20 мкм

Области применения

Эпитаксиальные пластины 4H-SiC идеально подходят дляМОП-транзисторы в системах сверхвысокого напряжения, включая:

Инверторы тягового привода электромобилей и высоковольтные зарядные модули
Оборудование для передачи и распределения электроэнергии в интеллектуальных энергосетях
Инверторы для возобновляемых источников энергии (солнечная, ветровая, накопительная)
Мощные промышленные источники питания и коммутационные системы

Часто задаваемые вопросы

В1: Какой тип проводимости существует?
A1: N-тип, легированный азотом — отраслевой стандарт для MOSFET и других силовых устройств.

В2: Какие толщины эпитаксиальных слоев доступны?
A2: 100–500 мкм, стандартные варианты толщины: 100 мкм, 200 мкм и 300 мкм. Толщина по индивидуальному заказу доступна.

В3: Какова ориентация пластины и угол отклонения от оси?
A3: (0001) Si-грань, с отклонением от оси на 4° ± 0,5° в направлении [11-20].

О нас

Компания XKH специализируется на высокотехнологичной разработке, производстве и продаже специального оптического стекла и новых кристаллических материалов. Наша продукция используется в оптической электронике, бытовой электронике и военной промышленности. Мы предлагаем сапфировые оптические компоненты, защитные крышки для объективов мобильных телефонов, керамику, LT, карбид кремния (SIC), кварц и полупроводниковые кристаллические пластины. Благодаря высококвалифицированным специалистам и современному оборудованию мы преуспеваем в обработке нестандартной продукции, стремясь стать ведущим высокотехнологичным предприятием в области оптоэлектронных материалов.