3-дюймовая полупроводниковая кремниевая пластина высокой чистоты (HPSI) SiC, 350 мкм, сорт "Dummy grade" (первоклассный).
Приложение
Кремниевые пластины HPSI SiC играют ключевую роль в создании силовых устройств следующего поколения, используемых в различных высокопроизводительных приложениях:
Системы преобразования энергии: Кремниевые пластины (SiC) служат основным материалом для силовых устройств, таких как силовые MOSFET-транзисторы, диоды и IGBT-транзисторы, которые имеют решающее значение для эффективного преобразования энергии в электрических цепях. Эти компоненты используются в высокоэффективных источниках питания, приводах двигателей и промышленных инверторах.
Электромобили (EV):Растущий спрос на электромобили требует использования более эффективной силовой электроники, и кремниевые пластины (SiC) находятся в авангарде этой трансформации. В силовых установках электромобилей эти пластины обеспечивают высокую эффективность и быструю реакцию переключения, что способствует сокращению времени зарядки, увеличению запаса хода и улучшению общих характеристик автомобиля.
Возобновляемая энергия:В системах возобновляемой энергетики, таких как солнечная и ветровая энергия, кремниевые пластины (SiC) используются в инверторах и преобразователях, что позволяет более эффективно улавливать и распределять энергию. Высокая теплопроводность и превосходное напряжение пробоя SiC обеспечивают надежную работу этих систем даже в экстремальных условиях окружающей среды.
Промышленная автоматизация и робототехника:Высокопроизводительная силовая электроника в системах промышленной автоматизации и робототехнике требует устройств, способных к быстрому переключению, работе с большими нагрузками и в условиях высоких нагрузок. Полупроводники на основе карбида кремния отвечают этим требованиям, обеспечивая более высокую эффективность и надежность даже в суровых условиях эксплуатации.
Телекоммуникационные системы:В телекоммуникационной инфраструктуре, где критически важны высокая надежность и эффективное преобразование энергии, кремниевые пластины (SiC) используются в источниках питания и преобразователях постоянного тока. Устройства на основе SiC помогают снизить энергопотребление и повысить производительность систем в центрах обработки данных и сетях связи.
Благодаря созданию надежной основы для мощных приложений, кремниевая пластина HPSI SiC позволяет разрабатывать энергоэффективные устройства, помогая отраслям промышленности переходить к более экологичным и устойчивым решениям.
Характеристики
| владение | Производственный класс | Научный уровень | Оценка фиктивного образца |
| Диаметр | 75,0 мм ± 0,5 мм | 75,0 мм ± 0,5 мм | 75,0 мм ± 0,5 мм |
| Толщина | 350 мкм ± 25 мкм | 350 мкм ± 25 мкм | 350 мкм ± 25 мкм |
| Ориентация пластины | По оси: <0001> ± 0,5° | По оси: <0001> ± 2,0° | По оси: <0001> ± 2,0° |
| Плотность микротрубочек для 95% пластин (MPD) | ≤ 1 см⁻² | ≤ 5 см⁻² | ≤ 15 см⁻² |
| Электрическое сопротивление | ≥ 1E7 Ом·см | ≥ 1E6 Ом·см | ≥ 1E5 Ом·см |
| Допант | Нелегированный | Нелегированный | Нелегированный |
| Ориентация основной квартиры | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° | {11-20} ± 5,0° |
| Основная плоская длина | 32,5 мм ± 3,0 мм | 32,5 мм ± 3,0 мм | 32,5 мм ± 3,0 мм |
| Вторичная плоская длина | 18,0 мм ± 2,0 мм | 18,0 мм ± 2,0 мм | 18,0 мм ± 2,0 мм |
| Вторичная ориентация квартиры | Кремниевая поверхность обращена вверх: 90° по часовой стрелке от основной плоской пластины ± 5,0° | Кремниевая поверхность обращена вверх: 90° по часовой стрелке от основной плоской пластины ± 5,0° | Кремниевая поверхность обращена вверх: 90° по часовой стрелке от основной плоской пластины ± 5,0° |
| Исключение края | 3 мм | 3 мм | 3 мм |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 мкм/10 мкм/±30 мкм/40 мкм | 3 мкм/10 мкм/±30 мкм/40 мкм | 5 мкм/15 мкм/±40 мкм/45 мкм |
| Шероховатость поверхности | Поверхность C: полированная, поверхность Si: CMP. | Поверхность C: полированная, поверхность Si: CMP. | Поверхность C: полированная, поверхность Si: CMP. |
| Трещины (проверка с помощью высокоинтенсивного света) | Никто | Никто | Никто |
| Шестигранные пластины (проверка с помощью высокоинтенсивного света) | Никто | Никто | Суммарная площадь 10% |
| Политипные участки (осмотрены при высокой интенсивности света) | Суммарная площадь 5% | Суммарная площадь 5% | Суммарная площадь 10% |
| Царапины (проверены при ярком освещении) | ≤ 5 царапин, суммарная длина ≤ 150 мм | ≤ 10 царапин, суммарная длина ≤ 200 мм | ≤ 10 царапин, суммарная длина ≤ 200 мм |
| Сколы кромки | Не допускается ширина и глубина ≥ 0,5 мм. | Допускается 2 шт., ширина и глубина ≤ 1 мм. | Допустимое количество: 5, ширина и глубина ≤ 5 мм. |
| Поверхностное загрязнение (проверка с помощью высокоинтенсивного света) | Никто | Никто | Никто |
Основные преимущества
Превосходные тепловые характеристики: высокая теплопроводность SiC обеспечивает эффективное рассеивание тепла в силовых устройствах, позволяя им работать на более высоких уровнях мощности и частотах без перегрева. Это приводит к созданию более компактных и эффективных систем, а также увеличению срока службы.
Высокое напряжение пробоя: Благодаря более широкой запрещенной зоне по сравнению с кремнием, кремниевые пластины SiC подходят для применения в высоковольтных системах, что делает их идеальными для силовых электронных компонентов, которые должны выдерживать высокое напряжение пробоя, например, в электромобилях, энергосистемах и системах возобновляемой энергии.
Снижение потерь мощности: низкое сопротивление в открытом состоянии и высокая скорость переключения устройств на основе SiC приводят к снижению потерь энергии во время работы. Это не только повышает эффективность, но и увеличивает общую энергосбережение систем, в которых они используются.
Повышенная надежность в суровых условиях: Прочные свойства материала SiC позволяют ему работать в экстремальных условиях, таких как высокие температуры (до 600 °C), высокие напряжения и высокие частоты. Это делает кремниевые пластины SiC подходящими для требовательных промышленных, автомобильных и энергетических применений.
Энергоэффективность: Устройства на основе карбида кремния (SiC) обладают более высокой удельной мощностью, чем традиционные кремниевые устройства, что позволяет уменьшить размеры и вес силовых электронных систем, одновременно повышая их общую эффективность. Это приводит к экономии средств и уменьшению воздействия на окружающую среду в таких областях применения, как возобновляемая энергия и электромобили.
Масштабируемость: 3-дюймовый диаметр и точные производственные допуски кремниево-карбидной пластины HPSI обеспечивают возможность масштабирования для массового производства, удовлетворяя как исследовательским, так и коммерческим производственным требованиям.
Заключение
Кремниевая пластина HPSI SiC диаметром 3 дюйма и толщиной 350 мкм ± 25 мкм является оптимальным материалом для высокопроизводительных силовых электронных устройств следующего поколения. Уникальное сочетание теплопроводности, высокого напряжения пробоя, низких потерь энергии и надежности в экстремальных условиях делает ее незаменимым компонентом для различных применений в преобразовании энергии, возобновляемой энергетике, электромобилях, промышленных системах и телекоммуникациях.
Эта кремниевая пластина на основе карбида кремния особенно подходит для отраслей, стремящихся к повышению эффективности, большей экономии энергии и улучшению надежности систем. По мере дальнейшего развития технологий силовой электроники, кремниевая пластина HPSI на основе карбида кремния обеспечивает основу для разработки энергоэффективных решений следующего поколения, способствуя переходу к более устойчивому, низкоуглеродному будущему.
Подробная схема
