12-дюймовая подложка из карбида кремния высшего сорта, диаметр 300 мм, большой размер 4H-N. Подходит для отвода тепла от мощных устройств.

Краткое описание:

12-дюймовая подложка из карбида кремния (SiC-подложка) — это крупногабаритная высокопроизводительная полупроводниковая подложка, изготовленная из монокристалла карбида кремния. Карбид кремния (SiC) — это широкозонный полупроводниковый материал с превосходными электрическими, тепловыми и механическими свойствами, широко используемый в производстве электронных устройств в условиях высокой мощности, высокой частоты и высокой температуры. 12-дюймовая (300 мм) подложка является современным передовым стандартом технологии карбида кремния, позволяющим значительно повысить эффективность производства и снизить затраты.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Характеристики продукта

1. Высокая теплопроводность: теплопроводность карбида кремния более чем в 3 раза выше, чем у кремния, что делает его подходящим для отвода тепла от мощных устройств.

2. Высокая напряженность пробоя: Напряженность пробоя в 10 раз выше, чем у кремния, что делает его подходящим для применения в условиях высокого давления.

3. Широкая запрещенная зона: ширина запрещенной зоны составляет 3,26 эВ (4H-SiC), что подходит для применения при высоких температурах и высоких частотах.

4. Высокая твердость: твердость по шкале Мооса составляет 9,2, уступая только алмазу, обладает превосходной износостойкостью и механической прочностью.

5. Химическая стабильность: высокая коррозионная стойкость, стабильная работа при высоких температурах и в агрессивных средах.

6. Большой размер: подложка 12 дюймов (300 мм), повышение эффективности производства, снижение себестоимости единицы продукции.

7. Низкая плотность дефектов: высококачественная технология выращивания монокристаллов обеспечивает низкую плотность дефектов и высокую однородность.

Основное направление применения продукта

1. Силовая электроника:

MOSFET-транзисторы: используются в электромобилях, промышленных электроприводах и преобразователях мощности.

Диоды: например, диоды Шоттки (SBD), используемые для эффективного выпрямления и импульсных источников питания.

2. Радиочастотные устройства:

Радиочастотный усилитель мощности: используется в базовых станциях связи 5G и спутниковой связи.

Микроволновые устройства: подходят для радиолокационных и беспроводных систем связи.

3. Транспортные средства на новых источниках энергии:

Системы электропривода: контроллеры двигателей и инверторы для электромобилей.

Зарядная станция: силовой модуль для оборудования быстрой зарядки.

4. Промышленное применение:

Высоковольтный инвертор: для управления промышленными электродвигателями и энергосбережения.

Интеллектуальная сеть: для линий электропередачи постоянного тока высокого напряжения и силовых электронных трансформаторов.

5. Аэрокосмическая отрасль:

Высокотемпературная электроника: подходит для работы в условиях высоких температур, характерных для аэрокосмического оборудования.

6. Область исследований:

Исследования широкозонных полупроводников: для разработки новых полупроводниковых материалов и устройств.

12-дюймовая подложка из карбида кремния представляет собой высокоэффективный полупроводниковый материал с превосходными свойствами, такими как высокая теплопроводность, высокая прочность на пробой и широкая запрещенная зона. Она широко используется в силовой электронике, радиочастотных устройствах, электромобилях, промышленном управлении и аэрокосмической отрасли и является ключевым материалом для развития следующего поколения эффективных и мощных электронных устройств.

Хотя в настоящее время подложки из карбида кремния имеют меньше прямых применений в потребительской электронике, например, в очках дополненной реальности, их потенциал в эффективном управлении питанием и миниатюризации электроники может способствовать созданию легких и высокопроизводительных решений для источников питания будущих устройств дополненной и виртуальной реальности. В настоящее время основное развитие подложек из карбида кремния сосредоточено в таких промышленных областях, как электромобили, коммуникационная инфраструктура и промышленная автоматизация, и способствует развитию полупроводниковой промышленности в более эффективном и надежном направлении.

Компания XKH стремится предоставлять высококачественные 12-дюймовые подложки SIC с всесторонней технической поддержкой и услугами, включая:

1. Изготовление на заказ: В соответствии с потребностями заказчика предоставляются подложки с различным сопротивлением, ориентацией кристаллов и обработкой поверхности.

2. Оптимизация процесса: Оказание технической поддержки клиентам в области эпитаксиального роста, производства устройств и других процессов для повышения производительности продукции.

3. Испытания и сертификация: Обеспечение строгого контроля дефектов и сертификации качества для гарантии соответствия подложки отраслевым стандартам.

4. Сотрудничество в области НИОКР: Совместная разработка новых устройств на основе карбида кремния с заказчиками для содействия технологическим инновациям.

Диаграмма данных

Технические характеристики подложки из карбида кремния (SiC) размером 1/2 дюйма.
Оценка		Производство ZeroMPD Оценка (оценка Z)	Стандартное производство Оценка (P-оценка)		Оценка фиктивного образца (Оценка D)
Диаметр		3 0 0 мм~305 мм
Толщина	4H-N	750 мкм ± 15 мкм	750 мкм ± 25 мкм
	4H-SI	750 мкм ± 15 мкм	750 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины		Отклонение от оси: 4,0° в направлении <1120> ± 0,5° для 4H-N, отклонение от оси: <0001> ± 0,5° для 4H-SI
Плотность микротрубок	4H-N	≤0,4 см-2	≤4 см-2		≤25 см-2
	4H-SI	≤5 см-2	≤10 см-2		≤25 см-2
Сопротивление	4H-N	0,015~0,024 Ом·см			0,015~0,028 Ом·см
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ом·см
Ориентация основной квартиры		{10-10} ±5,0°
Основная плоская длина	4H-N	Н/Д
	4H-SI	Вырез
Исключение края		3 мм
LTV/TTV/Bow/Warp		<5 мкм/<15 мкм/<35 мкм/<55 мкм			<5 мкм/<15 мкм/<35 □ мкм/<55 □ мкм
Шероховатость		Польское Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,2 нм			Ra≤0,5 нм
Трещины по краям, возникающие под воздействием света высокой интенсивности. Шестигранные пластины, освещенные светом высокой интенсивности. Политипные участки при высокой интенсивности света Визуальные включения углерода Поверхность кремния царапается под воздействием света высокой интенсивности.		Никто Суммарная площадь ≤0,05% Никто Суммарная площадь ≤0,05% Никто			Суммарная длина ≤ 20 мм, длина одного образца ≤ 2 мм Суммарная площадь ≤0,1% Суммарная площадь ≤3% Суммарная площадь ≤3% Суммарная длина ≤ 1 × диаметр пластины
Сколы на кромках под воздействием высокоинтенсивного света		Не допускается использование материалов шириной и глубиной ≥0,2 мм.			Допускается 7, ≤1 мм каждый
(TSD) Смещение резьбового винта		≤500 см-2		Н/Д
(BPD) Дислокация базовой плоскости		≤1000 см-2		Н/Д
Загрязнение поверхности кремния высокоинтенсивным светом		Никто
Упаковка		Многопластинчатая кассета или контейнер для одной пластины
Примечания:
1. Ограничения по количеству дефектов распространяются на всю поверхность пластины, за исключением зоны исключения по краям. 2. Царапины следует проверять только на кремниевой поверхности. 3. Данные о дислокациях получены только с пластин, протравленных KOH.

Компания XKH продолжит инвестировать в исследования и разработки для продвижения прорыва в области 12-дюймовых подложек из карбида кремния больших размеров, с низким уровнем дефектов и высокой стабильностью, одновременно изучая возможности их применения в таких перспективных областях, как бытовая электроника (например, силовые модули для устройств дополненной и виртуальной реальности) и квантовые вычисления. Снижая затраты и увеличивая производственные мощности, XKH принесет процветание полупроводниковой промышленности.