12-дюймовая подложка из карбида кремния, диаметр 300 мм, толщина 750 мкм, тип 4H-N (может быть изготовлен на заказ).

Подложка из карбида кремния (SiC) 12 дюймов, диаметр 300 мм, толщина 750 мкм, тип 4H-N (может быть изготовлен на заказ). Изображение на обложке.

Краткое описание:

На критическом этапе перехода полупроводниковой промышленности к более эффективным и компактным решениям появление 12-дюймовых подложек из карбида кремния (SiC) коренным образом изменило ситуацию. По сравнению с традиционными 6- и 8-дюймовыми размерами, преимущество 12-дюймовой подложки в большем размере позволяет увеличить количество производимых чипов на одной пластине более чем в четыре раза. Кроме того, себестоимость 12-дюймовой подложки из SiC снижается на 35-40% по сравнению с обычными 8-дюймовыми подложками, что имеет решающее значение для широкого распространения конечной продукции.
Благодаря использованию нашей запатентованной технологии выращивания кристаллов методом парофазного транспорта, мы достигли лучшего в отрасли контроля над плотностью дислокаций в 12-дюймовых кристаллах, обеспечив исключительную материальную основу для последующего производства устройств. Это достижение особенно важно в условиях нынешнего глобального дефицита микросхем.

Ключевые силовые устройства в повседневных приложениях, такие как станции быстрой зарядки электромобилей и базовые станции 5G, все чаще используют эту крупногабаритную подложку. Особенно в условиях высоких температур, высокого напряжения и других жестких условий эксплуатации 12-дюймовая подложка из карбида кремния демонстрирует гораздо более высокую стабильность по сравнению с материалами на основе кремния.

Отправьте нам электронное письмо

Функции

Технические параметры

Технические характеристики 12-дюймовой подложки из карбида кремния (SiC).
Оценка		Производство ZeroMPD Оценка (оценка Z)	Стандартное производство Оценка (P-оценка)		Оценка фиктивного образца (Оценка D)
Диаметр		3 0 0 мм~1305 мм
Толщина	4H-N	750 мкм ± 15 мкм	750 мкм ± 25 мкм
	4H-SI	750 мкм ± 15 мкм	750 мкм ± 25 мкм
Ориентация пластины		Отклонение от оси: 4,0° в направлении <1120> ± 0,5° для 4H-N, отклонение от оси: <0001> ± 0,5° для 4H-SI
Плотность микротрубок	4H-N	≤0,4 см-2	≤4 см-2		≤25 см-2
	4H-SI	≤5 см-2	≤10 см-2		≤25 см-2
Сопротивление	4H-N	0,015~0,024 Ом·см			0,015~0,028 Ом·см
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ом·см
Ориентация основной квартиры		{10-10} ±5,0°
Основная плоская длина	4H-N	Н/Д
	4H-SI	Вырез
Исключение края		3 мм
LTV/TTV/Bow/Warp		<5 мкм/<15 мкм/<35 мкм/<55 мкм			<5 мкм/<15 мкм/<35 □ мкм/<55 □ мкм
Шероховатость		Польское Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,2 нм			Ra≤0,5 нм
Трещины по краям, возникающие под воздействием света высокой интенсивности. Шестигранные пластины, освещенные светом высокой интенсивности. Политипные участки при высокой интенсивности света Визуальные включения углерода Поверхность кремния царапается под воздействием света высокой интенсивности.		Никто Суммарная площадь ≤0,05% Никто Суммарная площадь ≤0,05% Никто			Суммарная длина ≤ 20 мм, длина одного образца ≤ 2 мм Суммарная площадь ≤0,1% Суммарная площадь ≤3% Суммарная площадь ≤3% Суммарная длина ≤ 1 × диаметр пластины
Сколы на кромках под воздействием высокоинтенсивного света		Не допускается использование материалов шириной и глубиной ≥0,2 мм.			Допускается 7, ≤1 мм каждый
(TSD) Смещение резьбового винта		≤500 см-2		Н/Д
(BPD) Дислокация базовой плоскости		≤1000 см-2		Н/Д
Загрязнение поверхности кремния высокоинтенсивным светом		Никто
Упаковка		Многопластинчатая кассета или контейнер для одной пластины
Примечания:
1. Ограничения по количеству дефектов распространяются на всю поверхность пластины, за исключением зоны исключения по краям. 2. Царапины следует проверять только на кремниевой поверхности. 3. Данные о дислокациях получены только с пластин, протравленных KOH.

Основные характеристики

1. Преимущества в производственных мощностях и стоимости: Массовое производство 12-дюймовых подложек из карбида кремния (SiC) знаменует собой новую эру в полупроводниковом производстве. Количество чипов, получаемых с одной пластины, в 2,25 раза превышает количество чипов, получаемых с 8-дюймовых подложек, что напрямую приводит к скачку в эффективности производства. Отзывы клиентов показывают, что переход на 12-дюймовые подложки позволил снизить себестоимость производства силовых модулей на 28%, создав решающее конкурентное преимущество на рынке с жесткой конкуренцией.
2. Выдающиеся физические свойства: 12-дюймовая подложка из карбида кремния (SiC) унаследовала все преимущества материала карбида кремния — её теплопроводность в 3 раза выше, чем у кремния, а прочность на пробой достигает 10 раз большей, чем у кремния. Эти характеристики позволяют устройствам на основе 12-дюймовых подложек стабильно работать в условиях высоких температур, превышающих 200°C, что делает их особенно подходящими для таких требовательных применений, как электромобили.
3. Технология обработки поверхности: Мы разработали новый процесс химико-механической полировки (ХМП) специально для 12-дюймовых подложек из карбида кремния, обеспечивающий плоскостность поверхности на атомном уровне (Ra<0,15 нм). Этот прорыв решает глобальную проблему обработки поверхности кремниевых карбидных пластин большого диаметра, устраняя препятствия для высококачественного эпитаксиального роста.
4. Эффективность теплоотвода: В практических приложениях 12-дюймовые подложки из карбида кремния демонстрируют замечательные возможности рассеивания тепла. Данные испытаний показывают, что при одинаковой плотности мощности устройства на 12-дюймовых подложках работают при температурах на 40-50°C ниже, чем устройства на основе кремния, что значительно увеличивает срок службы оборудования.

Основные области применения

1. Экосистема электромобилей: 12-дюймовая подложка из карбида кремния (SiC) совершает революцию в архитектуре силовых установок электромобилей. От бортовых зарядных устройств (OBC) до главных инверторов привода и систем управления батареями, повышение эффективности, обеспечиваемое 12-дюймовыми подложками, увеличивает запас хода автомобиля на 5-8%. Отчеты одного из ведущих автопроизводителей показывают, что внедрение наших 12-дюймовых подложек позволило снизить потери энергии в их системе быстрой зарядки на впечатляющие 62%.
2. Сектор возобновляемой энергии: В фотоэлектрических электростанциях инверторы на основе 12-дюймовых подложек из карбида кремния не только отличаются меньшими габаритами, но и достигают эффективности преобразования, превышающей 99%. В частности, в сценариях распределенной генерации эта высокая эффективность приводит к ежегодной экономии сотен тысяч юаней на потерях электроэнергии для операторов.
3. Промышленная автоматизация: Частотные преобразователи на основе 12-дюймовых подложек демонстрируют превосходные характеристики в промышленных роботах, станках с ЧПУ и другом оборудовании. Их высокочастотные характеристики переключения повышают скорость отклика двигателя на 30%, одновременно снижая электромагнитные помехи до одной трети по сравнению с традиционными решениями.
4. Инновации в потребительской электронике: В технологиях быстрой зарядки смартфонов следующего поколения начали использоваться 12-дюймовые подложки из карбида кремния. Прогнозируется, что продукты с быстрой зарядкой мощностью более 65 Вт полностью перейдут на решения из карбида кремния, при этом 12-дюймовые подложки станут оптимальным вариантом с точки зрения соотношения цены и качества.

Компания XKH предлагает услуги по индивидуальному заказу для 12-дюймовых подложек из карбида кремния.

Для удовлетворения специфических требований к 12-дюймовым подложкам из карбида кремния (SiC) компания XKH предлагает комплексную сервисную поддержку:
1. Возможность индивидуальной настройки толщины:
Мы предлагаем 12-дюймовые подложки различной толщины, включая 725 мкм, для удовлетворения различных потребностей в применении.
2. Концентрация легирующей добавки:
Наше производство поддерживает различные типы проводимости, включая n-тип и p-тип подложек, с точным контролем удельного сопротивления в диапазоне 0,01-0,02 Ом·см.
3. Услуги тестирования:
Благодаря полному комплекту оборудования для тестирования на уровне пластин, мы предоставляем полные отчеты о проверке.
Компания XKH понимает, что у каждого клиента уникальные требования к 12-дюймовым подложкам из карбида кремния. Поэтому мы предлагаем гибкие модели делового сотрудничества, чтобы обеспечить наиболее конкурентоспособные решения, будь то:
• Образцы для НИОКР
• Закупки для массового производства
Наши услуги, разработанные с учетом ваших индивидуальных потребностей, позволяют нам удовлетворить ваши специфические технические и производственные требования к 12-дюймовым подложкам из карбида кремния.